Deskripsi Produk

Deskripsi produk:

Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor (SiC MOSFET) adalah daya tinggi, perangkat frekuensi tinggi yang didasarkan pada lini produksi standar militer nasional.Bahannya adalah silikon karbidaProduk ini cocok untuk banyak aplikasi seperti catu daya mode switch, drive motor, dan konverter daya.Ini memiliki berbagai keuntungan seperti konduksi rendah dan kehilangan switching, operasi frekuensi tinggi, low gate-charge, dan high blocking voltage.low-gate-charge dan tegangan pemblokiran tinggi membuatnya pilihan yang sangat baik untuk banyak aplikasi.

MOSFET SiC yang diproduksi oleh perusahaan kami memiliki kualitas dan keandalan yang tinggi, menjadikannya pilihan yang sempurna untuk banyak aplikasi.Kami memiliki berbagai macam produk untuk memenuhi berbagai aplikasi dan persyaratanProduk kami dirancang untuk memenuhi standar tertinggi dan diproduksi dengan cara yang aman dan andal.Kami berusaha memberikan layanan pelanggan terbaik dan memastikan bahwa produk kami memenuhi semua kebutuhan pelanggan kami.

Parameter teknis:

Properti	Nilai
Frekuensi	Frekuensi Tinggi
Resistensi	Kurang Resistensi
Keuntungan	Berdasarkan jalur produksi standar militer nasional, prosesnya stabil dan kualitasnya dapat diandalkan
Jenis	N
Bahan	Karbida Silikon
Efisiensi	Efisiensi Tinggi
Jenis Perangkat	MOSFET
Aplikasi	Solar Inverter, DC/DC Konverter Tegangan Tinggi, Driver Motor, UPS Power Supply, Switching Power Supply, Charging Pile, dll.
Kekuatan	Kekuatan Tinggi
Nama produk	Silicon Carbide MOSFET
Kata kunci	Silikon Karbida Metal Oksida Semikonduktor Efek Lapangan Transistor, SiC Efek Lapangan Transistor, Silikon Karbida Metal-Oksida-Semikonduktor Efek Lapangan Transistor

Aplikasi:

REASUNOS Silicon Carbide MOSFET cocok untuk berbagai aplikasi dan skenario. Ini adalah Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) berdasarkan Silicon Carbide.frekuensi tinggi, dan rendah pada resistensi, menjadikannya pilihan yang bagus untuk aplikasi industri, otomotif, dan konsumen.

MOSFET Karbida Silikon REASUNOS adalah perangkat berkinerja tinggi dengan kemampuan suhu, tegangan, dan arus yang unggul, yang memungkinkan operasi frekuensi tinggi.Ini dirancang untuk memberikan keandalan yang sangat baikKonstruksinya yang tangguh dan rendah pada resistensi membuatnya cocok untuk operasi tegangan tinggi, memberikan solusi daya yang andal.

REASUNOS Silicon Carbide MOSFET adalah solusi ideal untuk berbagai aplikasi termasuk otomotif, elektronik konsumen, dan industri.Ini tersedia dalam berbagai paket dan konfigurasi, membuatnya cocok untuk berbagai aplikasi. Itu terbuat dari silikon karbida berkualitas tinggi dan kinerja superior dan daya tahan membuatnya sempurna untuk aplikasi seperti otomotif,konsumen, dan elektronik industri.

REASUNOS Silicon Carbide MOSFET tersedia dengan jumlah pesanan minimum 600, dan dilengkapi dengan kemasan tabung anti debu, anti air, dan anti statis,ditempatkan di dalam kotak kardus dalam karton. Harga perangkat ini didasarkan pada produk. Waktu pengiriman diperkirakan antara 2-30 hari, tergantung pada jumlah total. Pembayaran harus dilakukan secara penuh dengan T / T terlebih dahulu (EXW).Kemampuan pasokan REASUNOS Silicon Carbide MOSFET adalah 5KK/bulan.

Dukungan dan Layanan:

Dukungan dan Layanan Teknis MOSFET Karbida Silikon

Kami menawarkan dukungan teknis dan layanan untuk produk Silicon Carbide MOSFET kami. insinyur berpengalaman kami tersedia untuk membantu pelanggan dengan pemilihan produk, saran desain,dukungan teknis dan pemecahan masalah.

Tim teknis kami berpengalaman dalam semua aspek operasi dan desain MOSFET Karbida Silikon. Kami menyediakan simulasi sirkuit, analisis termal, dan banyak lagi.Insinyur kami juga tersedia untuk membantu dengan pengujian produk dan validasi.

Kami menawarkan pelatihan dan dukungan yang komprehensif untuk produk MOSFET Karbida Silikon kami.Sesi pelatihan kami menyediakan pelanggan dengan pengetahuan dan keterampilan yang mereka butuhkan untuk menggunakan dan memelihara produk Silicon Carbide MOSFET mereka.

Kami berkomitmen untuk menyediakan pelanggan dengan tingkat tertinggi dukungan teknis dan layanan. tim kami tersedia melalui telepon, email,dan live chat untuk menjawab semua pertanyaan Anda dan memberikan layanan cepat.

Kemasan dan Pengiriman:

Kemasan dan Pengiriman MOSFET Karbida Silikon:

Kemasan: Silicon Carbide MOSFET akan dikemas dalam kantong anti-statis, yang kemudian disegel dalam kantong elektrostatik-dissipatif.
Pengiriman: MOSFET Karbida Silikon akan dikirim dalam kotak aman dengan bantalan yang tepat untuk melindungi dari kerusakan selama transit.

FAQ:

Silicon Carbide MOSFET adalah merek REASUNOS.

Silicon Carbide MOSFET dibuat di Guangdong, Cina.

Jumlah pesanan minimum MOSFET Silicon Carbide adalah 600.

Harga MOSFET Karbida Silikon ditentukan oleh produk.

Silicon Carbide MOSFET dikemas dalam kemasan tabung anti debu, anti air, dan anti statis, ditempatkan di dalam kotak karton dalam karton.

Tag:

Tempat asal	Guangdong, CN
Nama merek	REASUNOS
Kuantitas min Order	600
Harga	Confirm price based on product
Kemasan rincian	Kemasan berbentuk tabung tahan debu, tahan air, dan antistatis, ditempatkan di dalam kotak karton da
Waktu pengiriman	2-30 hari (Tergantung Jumlah Total)
Syarat-syarat pembayaran	100% T/T di Muka (EXW)
Menyediakan kemampuan	5KK/bulan

Aplikasi	Inverter Surya, Konverter DC/DC Tegangan Tinggi, Driver Motor, Catu Daya UPS, Catu Daya Switching, T	Perlawanan	Resistensi Rendah
efisiensi	Efisiensi tinggi	Jenis	N
Bahan	Silikon Karbida	Keuntungan	Berdasarkan Lini Produksi Standar Militer Nasional, Prosesnya Stabil Dan Kualitasnya Dapat Diandalka
Nama produk	MOSFET Silikon Karbida	Tipe perangkat	MOSFET
Menyoroti	650V Silicon Carbide Power Mosfet , Silicon Carbide Power Mosfet Multifungsi , MOSFET Saluran N Silikon yang tahan lama

	No.	Part No.	Type	ID(A)	VDSS(V)	RDS(ON) Typ(mΩ)	RDS(ON) Max(mΩ)	Package	MOQ(pcs)
checkbox	1	RSM065030W	N	55	650	30	50	TO247-3	600
checkbox	2	RSM065030Z	N	55	650	30	50	TO247-4	600
checkbox	3	RSM065060W	N	29	650	60	79	TO247-3	600
checkbox	4	RSM065060Z	N	29	650	60	79	TO247-4	600
checkbox	5	RSM120018Z	N	105	1200	18	26	TO247-4	600
checkbox	6	RSM120025W	N	90	1200	25	34	TO247-3	600
checkbox	7	RSM120025Z	N	90	1200	25	34	TO247-4	600
checkbox	8	RSM120040W	N	68	1200	40	55	TO247-3	600
checkbox	9	RSM120040Z	N	68	1200	40	55	TO247-4	600
checkbox	10	RSM120075W	N	33	1200	75	95	TO247-3	600
checkbox	11	RSM120075Z	N	33	1200	75	95	TO247-4	600
checkbox	12	RSM120080W	N	36	1200	80	98	TO247-3	600
checkbox	13	RSM120080Z	N	36	1200	80	98	TO247-4	600
checkbox	14	RSM120160W	N	18	1200	160	196	TO247-3	600
checkbox	15	RSM120160Z	N	18	1200	160	196	TO247-4	600
checkbox	16	RSM1701K0W	N	5	1700	1000	1300	TO247-3	600
checkbox	17	RSM1701K0Z	N	5	1700	1000	1300	TO247-4	600
checkbox	18	RSM170045W	N	72	1700	45	70	TO247-3	600
checkbox	19	RSM170045Z	N	72	1700	45	70	TO247-4	600

MOSFET Daya Tinggi

MOSFET Silikon Karbida

Super Junction MOSFET

Silicon Carbide SBD

MOSFET Tegangan Tinggi

MOSFET Tegangan Rendah

IGBT Daya Tinggi

Dioda Penghalang Schottky

Semikonduktor Daya Tinggi

Semikonduktor Daya SIC

650V Silicon Carbide Power Mosfet Multifungsi Berkelanjutan N Channel