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산업용 슈퍼 융합 MOSFET N 채널 다층 프로세스

  • Industrial Super Junction MOSFET N Channel Multi Layer Process
원래 장소 광동, CN
브랜드 이름 REASUNOS
가격 Confirm price based on product
포장 세부 사항 방진, 방수, 정전기 방지 관형 포장으로 판지 상자 안에 포장되어 있습니다.
배달 시간 2-30일 (총 수량에 따라 다름)
지불 조건 사전에 100% T/T(EXW)
공급 능력 5KK/월

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제품 상세 정보
내부 저항 초소형 내부 저항 적용 LED 드라이버, PFC 회로, 스위칭 전원 공급 장치, 연속 전원 공급 시스템의 UPS, 신 에너지 전력 장비 등
장점 It Is Made By Multi-layer Epitaxy Process. 다층 에피택시 공정으로 만들어졌습니다. Compared With Tren EMI 마진 큰 EMI 마진
전기 용량 초저 접합 정전 용량 패키지 초소형 패키지
종류 엔 장치 타입 전력 이산 장치
강조하다

산업용 슈퍼 융합 MOSFET

,

슈퍼 융합 MOSFET N 채널

,

다층 모스페트 N 채널
필요한 제품을 선택하고 게시판에서 당사와 소통 할 수 있습니다.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RSE60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
2 RSE60R190S N 17.6 600 165 190 TO-263 800
3 RSE60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
4 RSF60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
5 RSF60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
6 RS60R130F N 30 600 110 130 TO-220F 1000
7 RS60R130W N 30 600 110 130 TO247-3 600
8 RSF60R099F N 31 600 86 99 TO-220F 1000
9 RSF60R099W N 31 600 86 99 TO247-3 600
10 RSF60R070W N 45 600 61 70 TO247-3 600
11 RSF60R041W N 70 600 35 41 TO247-3 600
12 RSF60R070F N 48 600 58 68 TO-220F 1000
13 RSF60R026W N 100 600 20 26 TO247-3 600
14 RSU4N65D N 4 650 880 1000 TO-252 2500
15 RSU7N65D N 7 650 560 650 TO-252 2500
16 RSU7N65F N 7 650 560 650 TO-220F 1000
17 RS65R600D N 7.3 650 520 600 TO-252 2500
18 RS65R600F N 7.3 650 520 600 TO-220F 1000
19 RSE65R550D N 7.6 650 480 550 TO-252 2500
20 RSU12N65F N 12 650 380 420 TO-220F 1000
21 RS65R380D N 11 650 340 380 TO-252 2500
22 RS65R380F N 11 650 340 380 TO-220F 1000
23 RS65R280D N 15 650 240 280 TO-252 2500
24 RS65R280F N 15 650 240 280 TO-220F 1000
25 RSE65R210F N 16.8 650 185 210 TO-220F 1000
26 RS65R190F N 20 650 160 190 TO-220F 1000
27 RS65R190S N 20 650 160 190 TO-263 800
28 RS65R190T N 20 650 160 190 TO-220 1000
29 RSF65R190T N 20 650 170 190 TO-220 1000
30 RSE65R180F N 22 650 150 180 TO-220F 1000
31 RSE65R165F N 20.4 650 145 165 TO-220F 1000
32 RSF65R130F N 26 650 115 130 TO-220F 1000
33 RSE70R600F N 7.3 700 520 600 TO-220F 1000
34 RSE70R420F N 11 700 365 420 TO-220F 1000
35 RSE70R360F N 12 700 315 360 TO-220F 1000
36 RSE80R850D N 7 800 740 850 TO-252 2500
37 RS80R500F N 9 800 420 500 TO-220F 1000
38 RSE80R380F N 13 800 330 380 TO-220F 1000
39 RSE80R250F N 18 800 220 250 TO-220F 1000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
제품 설명

N형 초융합 금속산화장 효과 트랜지스터

제품 설명:

슈퍼 융합 금속 산화장 효과 트랜지스터 (super mosfet) 는 새로운 세대의 전력 장치입니다. 고급 다층 에피타시 공정으로 만들어집니다.그것은 우수한 반 EMI 및 반 급증 능력을 가지고 있습니다, 따라서 LED 드라이버, PFC 회로, 스위칭 전원 공급 장치, 연속 전원 공급 시스템 UPS 및 새로운 에너지 전력 장비에 대한 이상적인 선택입니다.그 의 주목 할 만한 특징 들 은 극히 낮은 결합 용량 이다, 큰 EMI 마진과 아주 작은 내부 저항.

슈퍼 융합 금속 산화장 효과 트랜지스터 (super mosfet) 는 큰 EMI 마진과 초저융합 용량이 원하는 애플리케이션에 훌륭한 선택입니다.그것의 다층 에피택시 프로세스 및 항 EMI 및 항 급증 능력 LED 드라이버에 적합합니다, PFC 회로, 스위칭 전원 공급, 연속 전원 공급 시스템 UPS, 그리고 새로운 에너지 전력 장비. 더 나아가, 그것의 극소 내부 저항은 그 성능을 더욱 향상시킵니다.

결론적으로, 슈퍼 융합 금속 산화장 효과 트랜지스터 (슈퍼 모스페트) 는 매우 발전된 전력 장치입니다.항 EMI 및 항 급증 기능, 그리고 극히 작은 내부 저항은 LED 드라이버, PFC 회로, 스위칭 전원 공급 장치, 연속 전원 공급 시스템의 UPS 및 새로운 에너지 전력 장비에 대한 이상적인 선택입니다.

 

기술 매개 변수:

매개 변수 가치
제품 이름 슈퍼 융합 MOSFET (SJ MOSFET)
EMI 마진 큰 EMI 마진
용량 초저조절 용량
패키지 아주 작은 패키지
적용 LED 드라이버, PFC 회로, 스위칭 전력 공급, UPS의 연속 전력 공급 시스템, 새로운 에너지 전력 장비, 등
장점 다층 에피택시 공정으로 만들어집니다. 트렌치 프로세스와 비교하면 우수한 반 EMI 및 항 급증 능력을 가지고 있습니다.
내적 저항 극히 작은 내부 저항
장치 유형 전력 분별 장치
종류 N
 

응용 프로그램:

REASUNOS 슈퍼 융합 MOSFET: 전력 분리 장치에 대한 이상적인 해결책

국제적으로 인정받는 브랜드인 REASUNOS는 슈퍼 융합 금속 산화장 효과 트랜지스터 (MOSFET) 를 전력 분리 장치의 이상적인 솔루션으로 제공하는 것을 자랑스럽게 생각합니다.이 Si 슈퍼 융합 MOSFET는 다층 에피택시 과정을 사용하여 만들어집니다., 이는 우수한 항 EMI 및 항 급증 기능을 허용합니다. 또한, REASUNOS Si 슈퍼 융합 MOSFET는 또한 극히 낮은 융합 용량과 극히 작은 내부 저항을 갖추고 있습니다.

이 장치들은 초소형 패키지로 제공되며, 각 제품에 맞춘 가격에 경쟁력 있는 가격으로 판매됩니다. 배송과 배달은 신속합니다.주문은 보통 양에 따라 2~30일 이내에 배달됩니다.REASUNOS 슈퍼 융합 MOSFET는 먼지, 방수 및 반 정적 튜버형 포장으로 제공됩니다.지불은 사전에 요구되며 T/T를 통해 받아들여집니다.REASUNOS는 최대 5개의 공급을 보장합니다.0001개월에 1000대의 슈퍼 융합 MOSFET

 

지원 및 서비스:

우리는 슈퍼 정크션 MOSFET에 대한 포괄적인 기술 지원과 서비스를 제공하기 위해 헌신합니다. 경험 많은 엔지니어의 팀은 제품 선택에 도움을 제공 할 수 있습니다.설계 평가우리는 또한 고객의 디자인 검토를 촉진하기 위해 심도 있는 기술 자원과 디자인 도구를 제공합니다.우리의 경험이 많은 판매 팀은 제품 선택에 도움을 제공하고 기술 지원을 제공합니다우리는 또한 고객들이 최신 기술과 디자인 트렌드를 최신 상태로 유지할 수 있도록 다양한 교육 자원을 제공합니다.

 

포장 및 운송:

슈퍼 융합 MOSFET의 포장 및 운송

슈퍼 융합 MOSFET는 일반적으로 먼지, 습기 및 기타 환경 요소로부터 좋은 보호를 제공 할 수있는 표준 플라스틱 포장으로 배송됩니다.패키지는 운송 중 기계적 충격 또는 손상에 대한 장치의 보호를 위해 설계되어야 합니다.또한 패키지는 제조업체의 이름과 제품 이름을 명확하게 표시해야합니다.

배송 방법은 슈퍼 융합 MOSFET의 크기와 무게에 따라 선택되어야 합니다. 더 작은 패키지는 항공 또는 택배 서비스를 통해 전송 될 수 있습니다.더 큰 패키지는 지상 운송을 통해 보내야 합니다.배송 방법은 배달 시간과 비용에 따라 선택해야합니다.

 

FAQ:

Q: 슈퍼 융합 MOSFET란 무엇인가요?
A: 슈퍼 융합 MOSFET는 고전압 전원 스위치 애플리케이션을 위해 설계된 금속 산화물 반도체 현장 효과 트랜지스터 (MOSFET) 의 일종입니다.이 약은 REASUNOS에 의해 제조되며 다양한 크기와 패키지로 제공됩니다..

Q: REASUNOS 슈퍼 융합 MOSFET의 기원은 무엇입니까?
A: REASUNOS 슈퍼 융합 MOSFET는 중국 광둥에서 생산된 제품입니다.

Q: 슈퍼 융합 MOSFET의 가격은 얼마입니까?
A: 슈퍼 융합 MOSFET의 가격은 제품에 따라 다릅니다. 자세한 내용은 저희에게 문의하십시오.

질문: 슈퍼 융합 MOSFET은 어떻게 포장됩니까?
A: 슈퍼 융합 MOSFET는 먼지, 방수 및 반 정적 튜버형 포장재에 포장되어 고리통에 포장됩니다.

Q: 슈퍼 융합 MOSFET의 배송시간은 얼마인가요?
A: 슈퍼 융합 MOSFET의 배송 시간은 전체 양에 따라 2일에서 30일 사이입니다.

꼬리표:

금속산화물 초결합 트랜지스터

PFC 회로 초연결 MOSFET

전원 공급 수퍼 융합 MOSFET