MOSFET a super giunzione industriale N-canale processo a più strati

Luogo di origine Guangdong, CN
Marca REASUNOS
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Imballaggi particolari Imballaggi tubulari antipolvere, impermeabili e antistatici, collocati all'interno di una scatola di
Tempi di consegna 2-30 giorni (a seconda della quantità totale)
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Dettagli
Resistenza interna Resistenza interna ultra piccola Applicazione Driver del LED, circuito di PFC, alimentazione elettrica di commutazione, UPS dell'impianto di alime
Vantaggi È fatto tramite il processo a più strati di epitassia. Rispetto al processo della fossa, ha anti EMI Margine di EMI Grande EMI Margin
Capacità Capacità di giunzione ultrabassa pacchetto Pacchetto ultra piccolo
Tipo N Tipo di dispositivo Dispositivi discreti di potere
Evidenziare

MOSFET a super giunzione industriale

,

Super Junction MOSFET N Canale

,

Canali N di Mosfet a più strati

Puoi spuntare i prodotti di cui hai bisogno e comunicare con noi nella bacheca.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RSE60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
2 RSE60R190S N 17.6 600 165 190 TO-263 800
3 RSE60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
4 RSF60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
5 RSF60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
6 RS60R130F N 30 600 110 130 TO-220F 1000
7 RS60R130W N 30 600 110 130 TO247-3 600
8 RSF60R099F N 31 600 86 99 TO-220F 1000
9 RSF60R099W N 31 600 86 99 TO247-3 600
10 RSF60R070W N 45 600 61 70 TO247-3 600
11 RSF60R041W N 70 600 35 41 TO247-3 600
12 RSF60R070F N 48 600 58 68 TO-220F 1000
13 RSF60R026W N 100 600 20 26 TO247-3 600
14 RSU4N65D N 4 650 880 1000 TO-252 2500
15 RSU7N65D N 7 650 560 650 TO-252 2500
16 RSU7N65F N 7 650 560 650 TO-220F 1000
17 RS65R600D N 7.3 650 520 600 TO-252 2500
18 RS65R600F N 7.3 650 520 600 TO-220F 1000
19 RSE65R550D N 7.6 650 480 550 TO-252 2500
20 RSU12N65F N 12 650 380 420 TO-220F 1000
21 RS65R380D N 11 650 340 380 TO-252 2500
22 RS65R380F N 11 650 340 380 TO-220F 1000
23 RS65R280D N 15 650 240 280 TO-252 2500
24 RS65R280F N 15 650 240 280 TO-220F 1000
25 RSE65R210F N 16.8 650 185 210 TO-220F 1000
26 RS65R190F N 20 650 160 190 TO-220F 1000
27 RS65R190S N 20 650 160 190 TO-263 800
28 RS65R190T N 20 650 160 190 TO-220 1000
29 RSF65R190T N 20 650 170 190 TO-220 1000
30 RSE65R180F N 22 650 150 180 TO-220F 1000
31 RSE65R165F N 20.4 650 145 165 TO-220F 1000
32 RSF65R130F N 26 650 115 130 TO-220F 1000
33 RSE70R600F N 7.3 700 520 600 TO-220F 1000
34 RSE70R420F N 11 700 365 420 TO-220F 1000
35 RSE70R360F N 12 700 315 360 TO-220F 1000
36 RSE80R850D N 7 800 740 850 TO-252 2500
37 RS80R500F N 9 800 420 500 TO-220F 1000
38 RSE80R380F N 13 800 330 380 TO-220F 1000
39 RSE80R250F N 18 800 220 250 TO-220F 1000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descrizione di prodotto

Transistor a effetto campo di ossido metallico a super giunzione di tipo N con resistenza interna ultra piccola

Descrizione del prodotto:

Il Super Junction Metal Oxide Field Effect Transistor (super mosfet) è una nuova generazione di dispositivi di alimentazione.ha eccellenti capacità anti-EMI e anti-surge, rendendolo così la scelta ideale per il driver LED, il circuito PFC, l'alimentazione a commutazione, l'UPS del sistema di alimentazione continua e le nuove apparecchiature di alimentazione energetica.Le sue caratteristiche notevoli includono la capacità di giunzione ultra-bassa, grande margine EMI e resistenza interna ultra piccola.

Il transistor a effetto campo di ossido metallico a super giunzione (super mosfet) è una grande scelta per le applicazioni in cui si desidera un grande margine EMI e una capacità di giunzione ultra-bassa.Il suo processo di epitaxia a più strati e le sue capacità anti-EMI e anti-surge lo rendono adatto per il driver LEDInoltre, la sua resistenza interna ultra piccola migliora ulteriormente le sue prestazioni.

In conclusione, il transistor a effetto campo di ossido di metallo a super giunzione (super mosfet) è un dispositivo di potenza altamente avanzato con caratteristiche straordinarie.capacità anti-EMI e anti-surge, e resistenza interna ultra piccola lo rendono la scelta ideale per driver LED, circuito PFC, alimentazione di commutazione, UPS di sistema di alimentazione continua e nuove apparecchiature di energia.

 

Parametri tecnici:

Parametro Valore
Nome del prodotto MOSFET a super giunzione (SJ MOSFET)
Margine dell'IME Grandi margini di IME
Capacità Capacità di giunzione ultra-bassa
Pacco Confezione ultrapiccola
Applicazione Conduttore a LED, circuito PFC, alimentazione a commutazione, UPS di sistema di alimentazione continua, apparecchiature di alimentazione a nuova energia, ecc.
Vantaggi E' prodotto con il processo di epitaxia multi-livello, ha eccellenti capacità anti-EMI e anti-surge rispetto al processo di trench.
Resistenza interna Resistenza interna molto piccola
Tipo di dispositivo Dispositivi discreti di potenza
Tipo N
 

Applicazioni:

MOSFET di super giunzione REASUNOS: una soluzione ideale per dispositivi discreti di potenza

REASUNOS, un marchio riconosciuto a livello internazionale, è orgoglioso di offrire i suoi transistor a effetto campo di ossido metallico a super giunzione (MOSFET) come soluzione ideale per dispositivi discreti di potenza.Questo MOSFET a super giunzione di Si è realizzato utilizzando un processo di epitaxia a più stratiInoltre, i MOSFET a super giunzione REASUNOS Si presentano anche una capacità di giunzione ultra-bassa e una resistenza interna ultra-piccola.

Questi dispositivi sono disponibili in un pacchetto ultra-piccolo e hanno un prezzo competitivo su misura per ogni singolo prodotto.con ordini generalmente consegnati entro due o trenta giorni a seconda della quantità. I MOSFET REASUNOS Super Junction sono dotati di un imballaggio tubulare antistatico, impermeabile e antirughe, che viene inserito in una scatola di cartone in cartone.Il pagamento è richiesto in anticipo ed è accettato tramite T/T. REASUNOS garantisce un approvvigionamento fino a 5,000- 000 unità di MOSFET al mese.

 

Supporto e servizi:

Il nostro team di ingegneri esperti è disponibile per fornire assistenza con la selezione del prodotto,valutazione del progettoOffriamo anche risorse tecniche approfondite e strumenti di progettazione per facilitare le revisioni dei progetti dei clienti.Il nostro team di vendita esperto è disponibile per assistere nella selezione del prodotto e fornire supporto tecnicoForniamo anche una varietà di risorse educative per aiutare i clienti a rimanere aggiornati sulle ultime tendenze tecnologiche e di design.

 

Imballaggio e trasporto:

Imballaggio e spedizione del MOSFET a super giunzione

I Super Junction MOSFET vengono generalmente spediti in imballaggi in plastica standard, che possono fornire una buona protezione contro polvere, umidità e altri elementi ambientali.L'imballaggio deve essere progettato in modo da proteggere il dispositivo da eventuali urti meccanici o danni durante il trasporto.Le confezioni devono inoltre essere chiaramente etichettate con il nome del fabbricante e il nome del prodotto.

Il metodo di spedizione deve essere scelto in base alle dimensioni e al peso del MOSFET Super Junction.mentre i pacchi più grandi dovrebbero essere inviati via trasporto terrestreIl metodo di spedizione deve essere scelto in base al tempo di consegna e al costo.

 

FAQ:

D: Cos'è un MOSFET a super giunzione?
R: Un MOSFET a super giunzione è un tipo di transistor a effetto campo a semiconduttore di ossido metallico (MOSFET) progettato per applicazioni di interruttore di alimentazione ad alta tensione.È prodotto da REASUNOS ed è disponibile in varie dimensioni e confezioni.

D: Qual è l'origine del REASUNOS Super Junction MOSFET?
R: REASUNOS Super Junction MOSFET è un prodotto del Guangdong, in Cina.

D: Qual è il prezzo del MOSFET Super Junction?
R: Il prezzo del Super Junction MOSFET dipende dal prodotto.

D: Come viene confezionato il MOSFET Super Junction?
R: Super Junction MOSFET è confezionato in imballaggi tubolari antipolvere, impermeabili e antistatici e collocato in una scatola di cartone in cartone.

D: Quanto tempo ci vuole per la consegna del Super Junction MOSFET?
R: Il tempo di consegna del MOSFET a super giunzione varia da 2 a 30 giorni, a seconda della quantità totale.