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MOSFET de Super Junção Industrial N Processo de Multicamadas de Canal

  • Industrial Super Junction MOSFET N Channel Multi Layer Process
Lugar de origem Guangdong, NC
Marca REASUNOS
Preço Confirm price based on product
Detalhes da embalagem Embalagens tubulares impermeáveis ao pó, à água e antistáticas, colocadas numa caixa de cartão em ca
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Detalhes do produto
Resistencia interna Resistência interna ultra pequena Aplicação Motorista do diodo emissor de luz, circuito de PFC, fonte de alimentação de comutação, UPS do sistem
Vantagens É feito pelo processo da epitaxia da Multi-camada. Comparado com o processo da trincheira, tem anti Margem do IEM Grande EMI Margin
Capacidade Ultra-baixa capacidade de junção Pacote Pacote ultra pequeno
Tipo N Tipo de dispositivo Dispositivos discretos do poder
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MOSFET de Superjunção Industrial

,

Super Junção MOSFET N Canal

,

Multilayer Mosfet N Canal
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RSE60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
2 RSE60R190S N 17.6 600 165 190 TO-263 800
3 RSE60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
4 RSF60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
5 RSF60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
6 RS60R130F N 30 600 110 130 TO-220F 1000
7 RS60R130W N 30 600 110 130 TO247-3 600
8 RSF60R099F N 31 600 86 99 TO-220F 1000
9 RSF60R099W N 31 600 86 99 TO247-3 600
10 RSF60R070W N 45 600 61 70 TO247-3 600
11 RSF60R041W N 70 600 35 41 TO247-3 600
12 RSF60R070F N 48 600 58 68 TO-220F 1000
13 RSF60R026W N 100 600 20 26 TO247-3 600
14 RSU4N65D N 4 650 880 1000 TO-252 2500
15 RSU7N65D N 7 650 560 650 TO-252 2500
16 RSU7N65F N 7 650 560 650 TO-220F 1000
17 RS65R600D N 7.3 650 520 600 TO-252 2500
18 RS65R600F N 7.3 650 520 600 TO-220F 1000
19 RSE65R550D N 7.6 650 480 550 TO-252 2500
20 RSU12N65F N 12 650 380 420 TO-220F 1000
21 RS65R380D N 11 650 340 380 TO-252 2500
22 RS65R380F N 11 650 340 380 TO-220F 1000
23 RS65R280D N 15 650 240 280 TO-252 2500
24 RS65R280F N 15 650 240 280 TO-220F 1000
25 RSE65R210F N 16.8 650 185 210 TO-220F 1000
26 RS65R190F N 20 650 160 190 TO-220F 1000
27 RS65R190S N 20 650 160 190 TO-263 800
28 RS65R190T N 20 650 160 190 TO-220 1000
29 RSF65R190T N 20 650 170 190 TO-220 1000
30 RSE65R180F N 22 650 150 180 TO-220F 1000
31 RSE65R165F N 20.4 650 145 165 TO-220F 1000
32 RSF65R130F N 26 650 115 130 TO-220F 1000
33 RSE70R600F N 7.3 700 520 600 TO-220F 1000
34 RSE70R420F N 11 700 365 420 TO-220F 1000
35 RSE70R360F N 12 700 315 360 TO-220F 1000
36 RSE80R850D N 7 800 740 850 TO-252 2500
37 RS80R500F N 9 800 420 500 TO-220F 1000
38 RSE80R380F N 13 800 330 380 TO-220F 1000
39 RSE80R250F N 18 800 220 250 TO-220F 1000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descrição de produto

Transistor de efeito de campo de óxido metálico de superjunção tipo N com resistência interna ultra pequena

Descrição do produto:

O Super Junction Metal Oxide Field Effect Transistor (super mosfet) é uma nova geração de dispositivo de energia.Tem excelentes capacidades anti EMI e anti surge, tornando-o a escolha ideal para o controlador LED, circuito PFC, fonte de alimentação de comutação, UPS de sistema de alimentação contínua e equipamentos de energia nova.As suas características notáveis incluem a capacidade de junção ultra-baixa, grande margem EMI e ultra pequena resistência interna.

O Super Junction Metal Oxide Field Effect Transistor (super mosfet) é uma ótima escolha para aplicações onde é desejada uma grande margem EMI e uma capacidade de junção ultra-baixa.Seu processo de epitaxia em várias camadas e suas capacidades anti-EMI e anti-surge tornam-no adequado para o driver de LEDO circuito PFC, a fonte de alimentação de comutação, o UPS do sistema de alimentação contínua e o equipamento de energia de energia nova.

Em conclusão, o Super Junction Metal Oxide Field Effect Transistor (super mosfet) é um dispositivo de potência altamente avançado com características extraordinárias.Capacidades anti-EMI e anti-surge, e ultra pequena resistência interna torná-lo a escolha ideal para LED driver, circuito PFC, comutação de fonte de alimentação, UPS de sistema de alimentação contínua, e novos equipamentos de energia.

 

Parâmetros técnicos:

Parâmetro Valor
Nome do produto MOSFET de superjunção (SJ MOSFET)
Margem do IME Margem de EMI elevada
Capacidade Capacidade de junção ultra-baixa
Pacote Pacote ultra pequeno
Aplicação Dirigente de LED, circuito PFC, fonte de alimentação de comutação, UPS de sistema de alimentação contínua, equipamento de energia de energia nova, etc.
Vantagens É feito por processo de epitaxia de múltiplas camadas. Em comparação com o processo de trincheira, tem excelentes capacidades anti-EMI e anti-surge.
Resistência interna Resistência interna ultra pequena
Tipo de dispositivo Dispositivos discretos de energia
Tipo N
 

Aplicações:

MOSFETs de Super Junção REASUNOS: Uma Solução Ideal para Dispositivos Discreto de Potência

A REASUNOS, uma marca reconhecida internacionalmente, tem orgulho de oferecer os seus Transistores de Efeito de Campo de Óxido Metálico de Super Junção (MOSFETs) como a solução ideal para dispositivos discretos de potência.Este MOSFET de super junção de Si é feito usando um processo de epitaxia de várias camadasAlém disso, os MOSFETs de super junção REASUNOS Si também possuem capacidade de junção ultra-baixa e resistência interna ultra-baixa.

Estes dispositivos estão disponíveis em embalagens ultrapequenas e têm um preço competitivo adaptado a cada produto.com encomendas geralmente entregues num prazo de dois a trinta dias, dependendo da quantidadeOs MOSFETs REASUNOS Super Junction são fornecidos com embalagens tubulares à prova de poeira, à prova de água e antistáticas, que são colocadas dentro de uma caixa de papelão em caixas de papelão.O pagamento é exigido com antecedência e é aceito através de T/TA REASUNOS garante um abastecimento de até 5,000, 000 unidades dos MOSFETs Super Junction por mês.

 

Apoio e Serviços:

Estamos dedicados a fornecer suporte técnico e serviço abrangente para o Super Junction MOSFET.Avaliação do projetoOferecemos também recursos técnicos e ferramentas de design aprofundados para facilitar as revisões de projetos dos clientes.A nossa experiente equipa de vendas está disponível para ajudar na selecção de produtos e fornecer apoio técnicoTambém fornecemos uma variedade de recursos educacionais para ajudar os clientes a manterem-se atualizados com as últimas tendências de tecnologia e design.

 

Embalagem e transporte:

Embalagem e envio do MOSFET de Superjunção

Os Super Junction MOSFETs são geralmente enviados em embalagens plásticas padrão, que podem fornecer boa proteção contra poeira, umidade e outros elementos ambientais.A embalagem deve ser concebida para proteger o dispositivo de qualquer choque mecânico ou danos durante o transporte.As embalagens devem também estar claramente rotuladas com o nome do fabricante e o nome do produto.

O método de envio deve ser escolhido com base no tamanho e no peso do MOSFET Super Junction.Enquanto os pacotes maiores devem ser enviados através do transporte terrestreO método de envio deve ser escolhido com base no tempo de entrega e no custo.

 

Perguntas frequentes:

P: O que é um MOSFET de Super Junção?
R: Um MOSFET de Super Junção é um tipo de transistor de efeito de campo de óxido de metal-semicondutor (MOSFET) que foi projetado para aplicações de interruptor de energia de alta tensão.É fabricado pela REASUNOS e está disponível em vários tamanhos e embalagens.

P: Qual é a origem do REASUNOS Super Junction MOSFET?
R: O REASUNOS Super Junction MOSFET é um produto de Guangdong, China.

P: Qual é o preço do MOSFET de Super Junção?
R: O preço do Super Junction MOSFET depende do produto.

P: Como é que o Super Junction MOSFET é embalado?
R: O Super Junction MOSFET é embalado em embalagens tubulares à prova de poeira, à prova de água e antistáticas e colocado dentro de uma caixa de papelão em caixas de papelão.

P: Quanto tempo demora a entrega do Super Junction MOSFET?
R: O prazo de entrega do Super Junction MOSFET varia de 2 a 30 dias, dependendo da quantidade total.

Etiquetas:

Transistores de Superjunção de Óxido Metálico

MOSFET de superjunção do circuito PFC

MOSFET de Superjunção de Fornecimento de Energia