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Praktische 60KHz Hochfrequenz IGBT, Multi-Funktion Gate Bipolar Transistor
| Herkunftsort | Guangdong, KN |
|---|---|
| Markenname | REASUNOS |
| Preis | Confirm price based on product |
| Verpackung Informationen | Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons |
| Lieferzeit | 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge) |
| Zahlungsbedingungen | 100% T/T im Voraus (EXW) |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit | 5KK/Monat |
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xProduktdetails
| Schaltverzögerung | Schnellere Schaltgeschwindigkeit | Anwendungs-Frequenz | 60KHz |
|---|---|---|---|
| Macht | Hohe Leistung | Einheitentyp | IGBT |
| Anwendung | OBC, Ladestelle, Schweißmaschine, Schaltanlage, Photovoltaik-Wechselrichter, Energiespeicher usw. | Vorteile | Schmaler Messendesign, optimiertere Schleusenkombinationsdesign, höhere Zuverlässigkeitsdesign und s |
| Produktbezeichnung | IGBT mit hoher Leistung | Spezifische Stromdichte | 400 A/cm2 |
| Hervorheben | Praktische Hochfrequenz-IGBT,60 KHz Hochfrequenz-IGBT,Multifunktion Gate Bipolar Transistor |
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| No. | Part No. | Type | Specifications and models | Package | application | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | RSG50N65HW | B | 650V 50A | TO-247-3 | portable energy storage、UPS、power supply | |
| 2 | RSG75N65HW | B | 650V 75A | TO-247-3 | portable energy storage、UPS、power supply | |
| 3 | RSG75N65UW | B | 650V 75A (High frequency) | TO-247-3 | High frequency power supply、Charging pile | |
| 4 | RSG40N120W | B | 1200V 40A | TO-247-3 | UPS、Air-conditioning compressor、PTC | |
| 5 | RSG40N120HW | B | 1200V 40A(Middle frequency) | TO-247-3 | UPS、motor driven | |
| 6 | RSG75N120UWP | B | 1200V 75A(High frequency) | TO-247-3 | High frequency power supply、Charging pile、photovoltaic、welder | |
| 7 | RSG120N120HWP | B | 1200V 120A(Middle frequency) | TO-247-3 | energy storage system、photovoltaic、UPS | |
| 8 | RSG120N120HZP | B | 1200V 120A(Middle frequency) | TO-247-4 | energy storage system、UPS |
Produkt-Beschreibung
Hochleistungs-IGBT-Gerät für industrielle Anwendungen
Beschreibung des Produkts:
Ein High Power Isolated Gate Bipolar Transistor (IGBT) ist eine Art von Leistungshalbleitergerät, das speziell zur Bereitstellung hoher Leistung entwickelt wurde.Es ist ideal für Anwendungen mit hoher Spannung und hoher StromdichteEs verfügt über eine schnellere Schaltgeschwindigkeit, eine Stromdichte von 400 A/cm2 und eine Reihe von Vorteilen wie ein schmaler Messendesign, eine optimierte Schleppkombination, eine höhere Zuverlässigkeit,und eine strikte Bezugnahme auf die FahrzeugspezifikationenDies macht IGBT zur idealen Wahl für Hochleistungsanwendungen.
Technische Parameter:
| Produktbezeichnung | IGBT mit hoher Leistung |
| Gerätetypen | IGBT |
| Anwendung | OBC, Ladestelle, Schweißmaschine, Schaltanlage, Photovoltaik-Wechselrichter, Energiespeicher usw. |
| Häufigkeit der Anwendung | 60 kHz |
| Macht | Hohe Macht |
| Stromdichte | 400 A/cm2 |
| Schaltgeschwindigkeit | Schnellere Schaltgeschwindigkeit |
| Vorteile | Schmaler Messendesign, optimiertere Schleusenkombinationsdesign, höhere Zuverlässigkeitsdesign und strenge Bezugnahme auf die Fahrzeugspezifikationsanforderungen. |
Anwendungen:
High Power IGBT, hergestellt von REASUNOS aus Guangdong, China, ist ein zuverlässiges Gerät mit einer Stromdichte von 400A/cm2.SchweißmaschineEs verfügt über ein schmales Messendesign, eine optimierte Rillenkombination, eine höhere Zuverlässigkeit,und eine strikte Bezugnahme auf die FahrzeugspezifikationenDer Preis dieses Produkts variiert je nach Menge und wird in staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen in Karton verpackt.Lieferzeit beträgt in der Regel 2-30 TageDie Zahlungsbedingungen sind 100% T/T im Voraus (EXW). Die maximale Lieferkapazität beträgt 5KK/Monat.
Unterstützung und Dienstleistungen:
Technische Unterstützung und Wartung von Hochleistungs-IGBT
Wir bieten eine Reihe von technischen Support- und Servicemöglichkeiten für High Power IGBT-Produkte, um sicherzustellen, dass unsere Kunden den maximalen Nutzen aus ihren Investitionen ziehen können.
- Unterstützung bei der Produktauswahl und -gestaltung
- Anwendungstechnische Unterstützung
- Prüfungs- und Qualifizierungsdienste
- Produktzuverlässigkeit und Lebenszyklusmanagement
- Technische Unterstützung und Service vor Ort
- Online-Technische Unterstützung und Service
Unser Team von erfahrenen Ingenieuren steht zur Verfügung, um umfassende technische Unterstützung und Service für High Power IGBT-Produkte bereitzustellen.
Verpackung und Versand:
High Power IGBT Verpackung und Versand:
High Power IGBT-Produkte werden in speziellen antistatischen Verpackungsmaterialien verpackt und in zwei Schichten geliefert.KartonDie zweite Schicht besteht aus einer schützenden Innenverpackung, z. B. einer antistatischen Tasche, Schaumstoff usw.Die Innenverpackung sollte fest an der Außenverpackung befestigt sein und das Produkt während des Transports vor äußeren Kräften schützen.Die Verpackung sollte klar mit dem Produktnamen und der Modellnummer versehen sein.
Häufige Fragen:
- F: Wie heißt der High Power IGBT?
- A:Der Markenname des High Power IGBT ist REASUNOS.
- F: Wo wird die Hochleistungs-IGBT hergestellt?
- A:Die High Power IGBT wird in der chinesischen Provinz Guangdong hergestellt.
- F: Wie viel kostet das High Power IGBT?
- A:Die Kosten der Hochleistungs-IGBT hängen vom Produkt ab und müssen bestätigt werden.
- F: In welcher Verpackung kommt das High Power IGBT?
- A:Die High Power IGBT ist mit staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen ausgestattet, die in Kartons in einer Kartonbox platziert sind.
- F: Wie lange dauert die Lieferzeit für die Hochleistungs-IGBT?
- A:Die Lieferzeit für die High Power IGBT hängt von der Gesamtmenge ab und kann zwischen 2 und 30 Tagen liegen.
- F: Welche Zahlungsfrist gilt für die Hochleistungs-IGBT?
- A:Die Zahlungsfrist für die High Power IGBT beträgt 100% T/T im Voraus (EXW).
- F: Wie hoch ist die Versorgungsfähigkeit der Hochleistungs-IGBT?
- A:Die Versorgungsfähigkeit der Hochleistungs-IGBT beträgt 5KK/Monat.
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