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Commutateur pratique Mosfet Transistor à basse tension multifonctionnel
| Application du procédé de tranchée: | Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur DC/DC, commutateur haute fréquen |
|---|---|
| Résistance: | Le bas RDS (DESSUS) |
| Capacité EAS: | Capacité EAS élevée |
MOSFET à basse tension pratique multifonctionnel à basse tension
| Processus de structuration: | Tranchée/SGT |
|---|---|
| l'efficacité: | Haute efficacité et fiabilité |
| Avantages de processus de SGT: | Optimisation de la percée FOM, couvrant plus d'application. |
Convertisseur à basse tension MOSFET polyvalent pour la charge sans fil
| Processus de structuration: | Tranchée/SGT |
|---|---|
| Application de processus de SGT: | Conducteur de moteur, station de la base 5G, stockage de l'énergie, commutateur à haute fréquence, r |
| Application du procédé de tranchée: | Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur DC/DC, commutateur haute fréquen |
Fonction multi MOSFET SGT à basse tension durable avec RSP plus petit
| Application de processus de SGT: | Conducteur de moteur, station de la base 5G, stockage de l'énergie, commutateur à haute fréquence, r |
|---|---|
| Résistance: | Le bas RDS (DESSUS) |
| Application du procédé de tranchée: | Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur DC/DC, commutateur haute fréquen |
MOSFET à basse tension polyvalent à haut rendement pour le conducteur automobile
| Processus de structuration: | Tranchée/SGT |
|---|---|
| Application du procédé de tranchée: | Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur DC/DC, commutateur haute fréquen |
| Capacité EAS: | Capacité EAS élevée |
MOSFET à haute tension pratique à l'épreuve de la chaleur 300V-1500V pour demi-pont
| Avantages: | Nouvelle technologie de dopage variable latérale, puissance spéciale MOS Structure, excellentes cara |
|---|---|
| Application du transistor MOSFET Ultra-HT: | Mètre intelligent, alimentation d'énergie de Cabinet, alimentation d'énergie de changement industrie |
| Technologie: | Transistor MOSFET |
MOSFET à haute tension multifonctionnelle stable pour l'alimentation électrique du cabinet
| Fuite: | La basse fuite peut atteindre moins de 1 µ A |
|---|---|
| Application incluse de transistor MOSFET de HT de FRD: | Série de moteur, inverseur, demi pont/pleines applications de montage en pont, etc. |
| Avantages: | Nouvelle technologie de dopage variable latérale, puissance spéciale MOS Structure, excellentes cara |
Anti-surge MOSFET à haute tension
| Estimation de tension: | Tension à haute tension/ultra-haute |
|---|---|
| dissipation thermique: | Grande dissipation thermique |
| Résistance: | Basse Sur-résistance |
Moteur Transistor de puissance ultra haute tension Multifonctionnel Durable
| Fuite: | La basse fuite peut atteindre moins de 1 µ A |
|---|---|
| Avantages: | Nouvelle technologie de dopage variable latérale, puissance spéciale MOS Structure, excellentes cara |
| Technologie: | Transistor MOSFET |
Transistor à très haute tension polyvalent
| Avantages: | Nouvelle technologie de dopage variable latérale, puissance spéciale MOS Structure, excellentes cara |
|---|---|
| Application de transistor MOSFET de HT: | Conducteur de LED, adaptateurs, alimentation d'énergie de changement industrielle, inverseurs etc. |
| Nom du produit: | Transistor MOSFET à haute tension |