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Metalloxid-Transistor mit Superverbindung
| Innenwiderstand: | Ultra kleiner Innenwiderstand |
|---|---|
| Vorteile: | Es wird durch mehrschichtigen Epitaxie-Prozess gemacht. Verglichen mit Graben-Prozess, hat es ausgez |
| Produktbezeichnung: | Superkreuzung MOSFET/SJ MOSTET |
ISO9001 Metalloxid Halbleiter Fet Mosfet Transistor Mehrfunktions
| Häufigkeit: | Hochfrequenz |
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| Typ: | N |
| Produktbezeichnung: | MOSFET der hohen Leistung |
Beleuchtung Stabil Hochleistungs-MOSFET-Multiscene Hochgeschwindigkeitsschalter
| Vorteile: | Basierend auf der Produktionslinie nach nationalem Militärstandard ist der Prozess stabil und die Qu |
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| Einheitentyp: | MOSFET |
| Anwendung: | Solarwechselrichter, Hochspannungs-DC/DC-Wandler, Motortreiber, USV-Stromversorgung, Schaltnetzteil, |
Multicene Schottky Barrier Rectifier Dauerhaft 100V MBR20150CT
| Leckage: | Niedriges Durchsickern |
|---|---|
| Eigenschaften: | Niedrig vorwärts Niedrigspannungsabfall, geringer Verlust, extrem kurze Rückwärtswiederherstellung |
| Anwendung: | Anzeige Bildschirm-Stromversorgung, Laptop-Stromversorgung, Schaltstromversorgung usw. |
Industrielle Schottky-Schrankendioden MBR10100CT zur Schaltversorgung
| Eigenschaften: | Niedrig vorwärts Niedrigspannungsabfall, geringer Verlust, extrem kurze Rückwärtswiederherstellung |
|---|---|
| Produktbezeichnung: | Schottky-Sperrschichtdioden |
| Kosten: | Niedrige Kosten |
Mehrzweck-Schottky-Schrankschichtdioden mit hohem Wirkungsgrad MBR10150CT
| Vorwärtsspannung: | Niedrige VF |
|---|---|
| Anwendung: | Anzeige Bildschirm-Stromversorgung, Laptop-Stromversorgung, Schaltstromversorgung usw. |
| Leckage: | Niedriges Durchsickern |
Multi-Funktion Power Schottky-Rectifier Praxis MBRF20100CT
| Kosten: | Niedrige Kosten |
|---|---|
| Leckage: | Niedriges Durchsickern |
| Eigenschaften: | Niedrig vorwärts Niedrigspannungsabfall, geringer Verlust, extrem kurze Rückwärtswiederherstellung |
Langlebige Anzeige Schottky-Barrieredioden hohe Effizienz für ETC-Anwendungen
| Produktbezeichnung: | Schottky-Sperrschichtdioden |
|---|---|
| Vorwärtsspannung: | Niedrige VF |
| Kosten: | Niedrige Kosten |
400A/Cm2 Hochleistungs-IGBT praktisch für Photovoltaik-Inverter
| Schaltverzögerung: | Schnellere Schaltgeschwindigkeit |
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| Spezifische Stromdichte: | 400 A/cm2 |
| Einheitentyp: | IGBT |
60KHz praktische Hochleistungs-IGBT-Multiscene mit schneller Schaltgeschwindigkeit
| Anwendung: | OBC, Ladestelle, Schweißmaschine, Schaltanlage, Photovoltaik-Wechselrichter, Energiespeicher usw. |
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| Vorteile: | Schmaler Messendesign, optimiertere Schleusenkombinationsdesign, höhere Zuverlässigkeitsdesign und s |
| Schaltverzögerung: | Schnellere Schaltgeschwindigkeit |