Mehrzweck-SiC-Schottky-Barrierediode
Herkunftsort | Guangdong, KN |
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Markenname | REASUNOS |
Preis | Confirm price based on product |
Verpackung Informationen | Staubdichte, wasserdichte und antistatische Rohrverpackung, in Kartons in einer Kartonbox. |
Lieferzeit | 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge) |
Zahlungsbedingungen | 100% T/T im Voraus (EXW) |
Versorgungsmaterial-Fähigkeit | 5KK/Monat |

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xMacht | Hohe Leistung | Häufigkeit | Hochfrequenz |
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Wärmebeständigkeit | Widerstand der hohen Temperatur | Vorteile | Basierend auf der Produktionslinie nach nationalem Militärstandard ist der Prozess stabil und die Qu |
Einheitentyp | Energie-getrennte Geräte | Material | Siliziumkarbid |
Anwendung | PFC-Schaltkreis, Gleichspannungs-/Wechselstromumrichter für Solar- und Windenergieerzeugung, UPS-Str | Produktbezeichnung | Silikonkarbid SBD/Sic SBD |
Hervorheben | Mehrzweck-SiC-Schottky-Schrankendiode,SiC-Schottky-Schrankscheibe,Schottky-Schranke mit Temperaturdiode |
No. | Part No. | VF(V)Typ (TA=25℃) | IF(A)TC=145℃(TA=25℃) | Typ IR(µA)(TA=25℃) | VR(V)(TA=25℃) | Package | MOQ(pcs) | |
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1 | RSS04065D | 1.4 | 4 | 1 | 650 | TO-252 | 2500 | |
2 | RSS04065G | 1.4 | 4 | 1 | 650 | DFN5*6 | 5000 | |
3 | RSS04065A | 1.4 | 4 | 1 | 650 | TO-220-2L | 1000 | |
4 | RSS04065B | 1.4 | 4 | 1 | 650 | TO-220Internal insulation | 1000 | |
5 | RSS06065D | 1.36 | 6 | 1.2 | 650 | TO-252 | 2500 | |
6 | RSS06065G | 1.36 | 6 | 1.2 | 650 | DFN5*6 | 5000 | |
7 | RSS06065R | 1.36 | 6 | 1.2 | 650 | DFN8*8 | 260 | |
8 | RSS06065S | 1.36 | 6 | 1.2 | 650 | TO-263 | 800 | |
9 | RSS06065A | 1.36 | 6 | 1.2 | 650 | TO-220-2L | 1000 | |
10 | RSS06065B | 1.36 | 6 | 1.2 | 650 | TO-220Internal insulation | 1000 | |
11 | RSS08065D | 1.39 | 8 | 6 | 650 | TO-252 | 2500 | |
12 | RSS08065G | 1.39 | 8 | 6 | 650 | DFN5*6 | 5000 | |
13 | RSS08065R | 1.39 | 8 | 6 | 650 | DFN8*8 | 260 | |
14 | RSS08065S | 1.39 | 8 | 6 | 650 | TO-263 | 800 | |
15 | RSS08065A | 1.39 | 8 | 6 | 650 | TO-220-2L | 1000 | |
16 | RSS08065B | 1.39 | 8 | 6 | 650 | TO-220Internal insulation | 1000 | |
17 | RSS10065D | 1.37 | 10 | 5 | 650 | TO-252 | 2500 | |
18 | RSS10065R | 1.37 | 10 | 5 | 650 | DFN8*8 | 260 | |
19 | RSS10065S | 1.37 | 10 | 5 | 650 | TO-263 | 800 | |
20 | RSS10065A | 1.37 | 10 | 5 | 650 | TO-220-2L | 1000 | |
21 | RSS10065B | 1.37 | 10 | 5 | 650 | TO-220Internal insulation | 1000 | |
22 | RSS15065A | 1.4 | 15 | 2 | 650 | TO-220-2L | 1000 | |
23 | RSS20065A | 1.35 | 20 | 6 | 650 | TO-220-2L | 1000 | |
24 | RSS20065W | 1.45 | 20 | 5 | 650 | TO-247-2L | 600 | |
25 | RSS20065K | 1.37 | 20 | 5 | 650 | TO-247-3L | 600 | |
26 | RSS30065W | 1.5 | 30 | 2 | 650 | TO-247-2L | 600 | |
27 | RSS30065K | 1.4 | 30 | 1 | 650 | TO-247-3L | 600 | |
28 | RSS40065K | 1.35 | 40 | 6 | 650 | TO-247-3L | 600 | |
29 | RSS50065W | 1.5 | 50 | 2 | 650 | TO-247-2L | 600 | |
30 | RSS60065K | 1.5 | 60 | 2 | 650 | TO-247-3L | 600 | |
31 | RSS02120D | 1.38 | 2 | 1 | 1200 | TO-252 | 2500 | |
32 | RSS10120A | 1.43 | 10 | 2 | 1200 | TO-220-2L | 1000 | |
33 | RSS10120W | 1.43 | 10 | 2 | 1200 | TO-247-2L | 600 | |
34 | RSS15120W | 1.55 | 15 | 5 | 1200 | TO-247-2L | 600 | |
35 | RSS20120W | 1.45 | 20 | 2 | 1200 | TO-247-2L | 600 | |
36 | RSS20120K | 1.45 | 20 | 2 | 1200 | TO-247-3L | 600 | |
37 | RSS30120W | 1.5 | 30 | 5 | 1200 | TO-247-2L | 600 | |
38 | RSS30120K | 1.55 | 30 | 5 | 1200 | TO-247-3L | 600 | |
39 | RSS40120K | 1.45 | 40 | 2 | 1200 | TO-247-3L | 600 | |
40 | RSS40120W | 1.45 | 40 | 2 | 1200 | TO-247-2L | 600 | |
41 | RSS50120W | 1.4 | 50 | 30 | 1200 | TO-247-2L | 600 | |
42 | RSS25170W | 1.55 | 25 | 5 | 1700 | TO-247-2L | 600 | |
43 | RSS10200W | 1.45 | 10 | 8 | 2000 | TO-247-2L | 600 |
Sic-Schottky-Schrankendiode mit starker Überspannungsfähigkeit
Beschreibung des Produkts:
Die Siliziumkarbidbarrierdiode (Silicon Carbide SBD) ist eine aus Siliziumkarbid hergestellte Leistungsdiskretvorrichtung.starke Überspannungsschutzleistung und hohe Effizienz. Siliziumkarbid SBD ist für den Betrieb in hohen Temperaturen konzipiert und ist eine gute Wahl für verschiedene Stromanwendungen.und hohe AbbruchspannungAußerdem bedeutet sein hoher Wirkungsgrad und der geringe Rückgewinnungsstrom, dass er weniger Energie verbraucht und Energieverluste reduziert.Es bietet auch eine höhere WärmeleitfähigkeitMit all diesen Eigenschaften ist Siliziumkarbid SBD eine ideale Lösung für Hochtemperatur-Anwendungen.
Technische Parameter:
Produktbezeichnung | Eigenschaften |
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Silikonkarbid SBD/Sic SBD | Hohe Temperaturbeständigkeit, hohe Leistung, leistungsunabhängige Geräte, hohe Effizienz, basierend auf der nationalen Militärstandard-Produktionslinie, der Prozess ist stabil und die Qualität ist zuverlässig,Hochfrequenz, Extrem geringer Rückwärtsstrom, starke Überspannungskraft. |
Anwendung | Material |
PFC-Schaltkreis, Gleichstrom-/Wechselstromumrichter für Solar- und Windenergieerzeugung, UPS-Stromversorgung, Motorantrieb usw. | Siliziumkarbid |
Anwendungen:
Das SiC SBD (Silicium Carbide SBD) von REASUNOS ist ein leistungsdiskretes Gerät mit einer Schottky-Rectifier-Diodenstruktur.Gleichstrom-/Wechselstromumrichter für Solar- und WindenergieMit einer hohen Frequenz und hoher Leistungsfähigkeit ist dieses Gerät ideal für effiziente und energiesparende Stromversorgungssysteme geeignet.und antistatische RohrverpackungenDer Preis hängt vom Produkt ab und die Lieferzeit beträgt je nach Gesamtmenge zwischen 2 und 30 Tagen.Die Zahlungsfrist beträgt 100% T/T im Voraus (EXW).
Unterstützung und Dienstleistungen:
Wir bieten umfassende technische Unterstützung und Service für unsere Silicon Carbide SBD Produkte.Unser Team von hochqualifizierten Ingenieuren ist bereit, Ihnen bei technischen Fragen zu helfen.. Wir können detaillierte Dokumentation, technischen Support und Unterstützung bei der Fehlerbehebung von Problemen liefern, die auftreten können.
Unsere Kundendienstmitarbeiter stehen Ihnen rund um die Uhr zur Verfügung, um Ihnen Fragen zu beantworten.Beratung bei der Installation und Wartung, und beantworten Sie alle Fragen, die Sie über unsere Silicon Carbide SBD Produkte haben könnten.
Wir verpflichten uns, unseren Kunden höchste Qualität an Service und Support zu bieten.Wir bemühen uns darum, dass Ihre Erfahrung mit unseren Silicon Carbide SBD Produkten so reibungslos und störungsfrei wie möglich ist.
Verpackung und Versand:
Die Produkte von Silicon Carbide SBD werden sicher verpackt und versendet.Das Paket wird dann versiegelt und mit einem Schutzmaterial eingewickelt, damit es sicher ankommt.
Die Pakete werden je nach Menge und Bestimmungsort mit einem zuverlässigen Kurierdienst oder per Luftfracht versandt.Versandgebühren können je nach Gewicht und Bestimmungsort variieren.
Häufige Fragen:
A1: Silicon Carbide SBD ist ein hochwertiges Halbleitersubstrat von REASUNOS mit Ursprungsort in Guangdong, China.
A2: Der Preis für Siliziumkarbid SBD hängt vom Produkt ab, bitte kontaktieren Sie uns für weitere Details.
A3: Silicon Carbide SBD ist in staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen verpackt, die in Kartons in einer Kartonbox platziert sind.
A4: Die Lieferzeit von Silicon Carbide SBD hängt von der Gesamtmenge ab.
A5: Die Zahlungsbedingungen von Silicon Carbide SBD sind 100% T/T im Voraus (EXW).