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Multifunktionales Siliziumkarbid-MOSFET-Hochspannungskonverter
| Herkunftsort | Guangdong, KN |
|---|---|
| Markenname | REASUNOS |
| Min Bestellmenge | 600 |
| Preis | Confirm price based on product |
| Verpackung Informationen | Staubdichte, wasserdichte und antistatische Rohrverpackung, in Kartons in einer Kartonbox. |
| Lieferzeit | 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge) |
| Zahlungsbedingungen | 100% T/T im Voraus (EXW) |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit | 5KK/Monat |
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xProduktdetails
| Effizienz | Hohe Leistungsfähigkeit | Häufigkeit | Hochfrequenz |
|---|---|---|---|
| Widerstand | Geringer Widerstand | Vorteile | Basierend auf der Produktionslinie nach nationalem Militärstandard ist der Prozess stabil und die Qu |
| Produktbezeichnung | Siliziumkarbid-MOSFET | Anwendung | Solarwechselrichter, Hochspannungs-DC/DC-Wandler, Motortreiber, USV-Stromversorgung, Schaltnetzteil, |
| Material | Siliziumkarbid | Einheitentyp | MOSFET |
| Hervorheben | Multifunktionales Siliziumkarbid-MOSFET,Silikonkarbid-MOSFET Hochspannung,Konverter Mosfet in Serie Hochspannung |
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| No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | RSM065030W | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-3 | 600 | |
| 2 | RSM065030Z | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-4 | 600 | |
| 3 | RSM065060W | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-3 | 600 | |
| 4 | RSM065060Z | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-4 | 600 | |
| 5 | RSM120018Z | N | 105 | 1200 | 18 | 26 | TO247-4 | 600 | |
| 6 | RSM120025W | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-3 | 600 | |
| 7 | RSM120025Z | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-4 | 600 | |
| 8 | RSM120040W | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-3 | 600 | |
| 9 | RSM120040Z | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-4 | 600 | |
| 10 | RSM120075W | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-3 | 600 | |
| 11 | RSM120075Z | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-4 | 600 | |
| 12 | RSM120080W | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-3 | 600 | |
| 13 | RSM120080Z | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-4 | 600 | |
| 14 | RSM120160W | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-3 | 600 | |
| 15 | RSM120160Z | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-4 | 600 | |
| 16 | RSM1701K0W | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-3 | 600 | |
| 17 | RSM1701K0Z | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-4 | 600 | |
| 18 | RSM170045W | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-3 | 600 | |
| 19 | RSM170045Z | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-4 | 600 |
Produkt-Beschreibung
Beschreibung des Produkts:
Silikonkarbid (SiC) Metalloxid-Halbleiterfeldwirkungstransistoren (MOSFETs) sind leistungsstarke Halbleiter mit hoher Effizienz, hoher Frequenz,und sind aus einem einzigartigen Material hergestellt. SiC-MOSFETs werden in einer Vielzahl von Anwendungen wie Solarumrichter, Hochspannungs-DC/DC-Wandler, Motordreiber, UPS-Stromversorgungen, Schaltnetzteile und Ladesäulen weit verbreitet.Diese Geräte verfügen über einen hohen Wirkungsgrad und einen breiten Betriebstemperaturbereich, so dass sie eine ideale Wahl für Anwendungen in der Stromversorgung sind. Darüber hinaus bieten SiC-MOSFETs eine Vielzahl von Vorteilen wie verbesserte Schaltleistung, geringere Wärmeabgabe,und eine höhere StromtragfähigkeitAls solche eignen sich SiC-MOSFETs für eine Vielzahl von Anwendungen in der Leistungselektronikindustrie.
Technische Parameter:
| Produktbezeichnung | MOSFET aus Siliziumkarbid |
|---|---|
| Typ | N |
| Vorteile | Auf der Basis der nationalen Militärstandard-Produktionslinie ist der Prozess stabil und die Qualität zuverlässig. |
| Anwendung | Solarumrichter, Hochspannungs-Gleichspannungs-/Gleichspannungsumrichter, Motorantrieb, UPS-Stromversorgung, Schaltstromversorgung, Ladestelle usw. |
| Effizienz | Hohe Effizienz |
| Widerstand | Niedriger Widerstand |
| Gerätetypen | MOSFET |
| Macht | Hohe Macht |
| Häufigkeit | Hochfrequenz |
| Material | Siliziumkarbid |
Anwendungen:
Silicon Carbide MOSFETs oder Silicon Carbide Field Effect Transistors (SCFETs) sind Metall-Oxid-Halbleiter-Feld-Effekt-Transistoren (MOSFETs), die aus Siliziumkarbid-Materialien hergestellt werden.Diese Geräte bieten viele VorteileREASUNOS, mit Sitz in Guangdong, ist ein führender Hersteller von Silicon Carbide MOSFETs.Ihre Siliziumkarbid-MOSFETs werden auf einer nationalen Militärstandard-Produktionslinie hergestellt.Diese Siliziumkarbid-MOSFETs sind für eine Vielzahl von Anwendungen wie Strommanagement, Batteriemanagement, Motorsteuerung,und Leistungsumwandlung, in Hochfrequenzschaltungen und Geräten mit hoher Leistungsdichte. Sie sind in Mindestbestellungen von 600 erhältlich und haben je nach Produkt einen wettbewerbsfähigen Preis.Wasserdicht, und antistatische Rohrverpackungen, die für eine sichere Lieferung in Kartons in Kartons eingebunden werden.Lieferzeiten von 2 bis 30 Tagen hängen von der Gesamtmenge ab.. Die Zahlungsbedingungen sind 100% T/T im Voraus (EXW). Insgesamt sind REASUNOS Silicon Carbide MOSFETs eine ideale Wahl für Kunden, die eine zuverlässige Hochfrequenz-Schaltleistung und einen geringen Widerstand suchen.
Unterstützung und Dienstleistungen:
Silicon Carbide MOSFET bietet technische Unterstützung und Dienstleistungen, um Kunden zu helfen, das Beste aus ihren Produkten zu machen.Installation und technische UnterstützungDie Dienstleistungen umfassen die Wartung, den Austausch und die Reparatur von Produkten, die Prüfung von Produkten und die Aufklärung der Kunden.
Verpackung und Versand:
Verpackung und Versand von Siliziumkarbid-MOSFET:
- Das Siliziumkarbid-MOSFET ist sicher in einer antistatischen Tasche verpackt.
- Das Gerät wird in einer statisch abgeschirmten Box geliefert.
- Alle Geräte werden vor dem Versand überprüft.
Häufige Fragen:
- F1: Was ist der Markenname des Siliziumkarbid-MOSFET?
- A1: Der Markenname des Siliziumkarbid-MOSFET ist REASUNOS.
- F2: Wo ist der Ursprungsort des Siliziumkarbid-MOSFET?
- A2: Der Ursprungsort des Siliziumkarbid-MOSFET ist Guangdong, China.
- F3: Was ist die Mindestbestellmenge für Siliziumkarbid-MOSFET?
- A3: Die Mindestbestellmenge für Siliziumkarbid-MOSFET beträgt 600.
- F4: Wie lange dauert die Lieferung von Silicon Carbide MOSFET?
- A4: Die Lieferzeit für Siliziumkarbid-MOSFET beträgt 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge).
- F5: Wie sind die Zahlungsbedingungen für Siliziumkarbid-MOSFET?
- A5: Die Zahlungsbedingungen für Siliziumkarbid-MOSFET sind 100% T/T im Voraus ((EXW).
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