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Transistor à super jonction d'oxyde métallique multifonctionnel pour l'industrie
Résistance interne: | Résistance interne ultra petite |
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Avantages: | Il est fait par procédé multicouche d'épitaxie. Comparé au processus de fossé, il a excellente anti |
Nom du produit: | Jonction superbe MOSFET/SJ MOSTET |
ISO9001 Transistors à fonction multiple à base d'oxyde métallique
Fréquence: | À haute fréquence |
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Le type: | N |
Nom du produit: | Transistor MOSFET de puissance élevée |
Éclairage Stable MOSFET à haute puissance Multi-scène Commutation à grande vitesse
Avantages: | Basé sur la chaîne de production de normes militaires nationales, le processus est stable et la qual |
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Type de dispositif: | Transistor MOSFET |
Application du projet: | Onduleur solaire, convertisseur DC/DC haute tension, pilote de moteur, alimentation UPS, alimentatio |
Réducteur de barrière Schottky à plusieurs scènes Durable 100V MBR20150CT
Fuite: | Basse fuite |
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Caractéristiques: | Faible tension vers l'avant Faible chute de tension, faible perte, temps de récupération inverse ext |
Application du projet: | Écran d'affichage, alimentation de l'ordinateur portable, alimentation de commutation, etc. |
Diodes de barrière industrielles de Schottky MBR10100CT pour l'alimentation électrique par commutation
Caractéristiques: | Faible tension vers l'avant Faible chute de tension, faible perte, temps de récupération inverse ext |
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Nom du produit: | Diodes de barrière de Schottky |
Coût: | Coût bas |
Diodes de barrière Schottky polyvalentes à haut rendement MBR10150CT
Tension en avant: | Faible fréquence VF |
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Application du projet: | Écran d'affichage, alimentation de l'ordinateur portable, alimentation de commutation, etc. |
Fuite: | Basse fuite |
Réctifieur Schottky de puissance multifonctionnel pratique MBRF20100CT
Coût: | Coût bas |
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Fuite: | Basse fuite |
Caractéristiques: | Faible tension vers l'avant Faible chute de tension, faible perte, temps de récupération inverse ext |
Affichage durable Diodes de barrière de Schottky Haute efficacité pour l'application ETC
Nom du produit: | Diodes de barrière de Schottky |
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Tension en avant: | Faible fréquence VF |
Coût: | Coût bas |
400A/Cm2 IGBT haute puissance pratique pour l'onduleur photovoltaïque
Vitesse de changement: | Vitesse de commutation plus rapide |
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Densité de courant: | 400 A/cm2 |
Type de dispositif: | IGBT |
60KHz Multiscène IGBT de haute puissance pratique avec vitesse de commutation rapide
Application du projet: | OBC, pile de charge, machine à souder, alimentation électrique par commutation, onduleur photovoltaï |
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Avantages: | Conception de plateau étroit, conception de combinaison de rainures plus optimisée, conception de fi |
Vitesse de changement: | Vitesse de commutation plus rapide |