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Transistor de superunión de óxido metálico multifuncional para la industria
| Resistencia interna: | Resistencia interna ultra pequeña |
|---|---|
| Ventajas: | Es hecho por proceso de múltiples capas de la epitaxia. Comparado con proceso del foso, tiene EMI An |
| Nombre del producto: | Empalme estupendo MOSFET/SJ MOSTET |
ISO9001 Óxido metálico Semiconductor Fet Mosfet Transistor de múltiples funciones
| Frecuencia: | De alta frecuencia |
|---|---|
| El tipo: | N |
| Nombre del producto: | MOSFET del poder más elevado |
Iluminación MOSFET de alta potencia estable con conmutación de alta velocidad de múltiples escenas
| Ventajas: | Basado en la línea de producción de normas militares nacionales, el proceso es estable y la calidad |
|---|---|
| Tipo de dispositivo: | MOSFET |
| Aplicación: | Inversor solar, convertidor CC/CC de alto voltaje, controlador de motor, fuente de alimentación UPS, |
Rectificador de barrera de Schottky de múltiples escenas de 100 V duradero MBR20150CT
| Fuga: | Salida baja |
|---|---|
| Características: | Baja caída de voltaje hacia adelante baja, baja pérdida, tiempo de recuperación inversa extremadamen |
| Aplicación: | Fuente de alimentación de pantalla, fuente de alimentación de computadora portátil, fuente de alimen |
Diodos de barrera de Schottky industriales MBR10100CT para la conmutación de la fuente de alimentación
| Características: | Baja caída de voltaje hacia adelante baja, baja pérdida, tiempo de recuperación inversa extremadamen |
|---|---|
| Nombre del producto: | Diodos de barrera de Schottky |
| Coste: | Bajo costo |
Diodos de barrera de Schottky multipropósito de alta eficiencia MBR10150CT
| Voltaje delantero: | Baja FV |
|---|---|
| Aplicación: | Fuente de alimentación de pantalla, fuente de alimentación de computadora portátil, fuente de alimen |
| Fuga: | Salida baja |
Rectificador de Schottky de potencia multifunción práctico MBRF20100CT
| Coste: | Bajo costo |
|---|---|
| Fuga: | Salida baja |
| Características: | Baja caída de voltaje hacia adelante baja, baja pérdida, tiempo de recuperación inversa extremadamen |
Diodos de barrera de Schottky de alta eficiencia para aplicaciones ETC
| Nombre del producto: | Diodos de barrera de Schottky |
|---|---|
| Voltaje delantero: | Baja FV |
| Coste: | Bajo costo |
400A/Cm2 IGBT de alta potencia práctico para el inversor fotovoltaico
| Velocidad que cambia: | Velocidad de cambio más rápida |
|---|---|
| Densidad corriente: | 400 A/cm2 |
| Tipo de dispositivo: | IGBT |
60KHz Multiscene IGBT de alta potencia práctico con velocidad de conmutación rápida
| Aplicación: | OBC, pila de carga, máquina de soldadura, fuente de alimentación de conmutación, inversor fotovoltai |
|---|---|
| Ventajas: | Diseño de mesa estrecha, diseño de combinación de ranuras más optimizado, diseño de mayor confiabili |
| Velocidad que cambia: | Velocidad de cambio más rápida |