Inverter Langlebig SiC Schottky Barrierediode, Wärmebeständigkeit Mosfet SBD

Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen Staubdichte, wasserdichte und antistatische Rohrverpackung, in Kartons in einer Kartonbox.
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

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Produktdetails
Wärmebeständigkeit Widerstand der hohen Temperatur Vorteile Basierend auf der Produktionslinie nach nationalem Militärstandard ist der Prozess stabil und die Qu
Anwendung PFC-Schaltkreis, Gleichspannungs-/Wechselstromumrichter für Solar- und Windenergieerzeugung, UPS-Str Effizienz Hohe Leistungsfähigkeit
Häufigkeit Hochfrequenz Material Siliziumkarbid
Einheitentyp Energie-getrennte Geräte Eigenschaften Extrem geringer Rückwärtsstrom, starke Überspannungsschutzleistung
Hervorheben

Inverter SiC Schottky Barrierediode

,

Langlebige SiC-Schottky-Schrankscheibe

,

Wärmebeständigkeit Mosfet SBD

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No. Part No. VF(V)Typ (TA=25℃) IF(A)TC=145℃(TA=25℃) Typ IR(µA)(TA=25℃) VR(V)(TA=25℃) Package MOQ(pcs)
1 RSS04065D 1.4 4 1 650 TO-252 2500
2 RSS04065G 1.4 4 1 650 DFN5*6 5000
3 RSS04065A 1.4 4 1 650 TO-220-2L 1000
4 RSS04065B 1.4 4 1 650 TO-220Internal insulation 1000
5 RSS06065D 1.36 6 1.2 650 TO-252 2500
6 RSS06065G 1.36 6 1.2 650 DFN5*6 5000
7 RSS06065R 1.36 6 1.2 650 DFN8*8 260
8 RSS06065S 1.36 6 1.2 650 TO-263 800
9 RSS06065A 1.36 6 1.2 650 TO-220-2L 1000
10 RSS06065B 1.36 6 1.2 650 TO-220Internal insulation 1000
11 RSS08065D 1.39 8 6 650 TO-252 2500
12 RSS08065G 1.39 8 6 650 DFN5*6 5000
13 RSS08065R 1.39 8 6 650 DFN8*8 260
14 RSS08065S 1.39 8 6 650 TO-263 800
15 RSS08065A 1.39 8 6 650 TO-220-2L 1000
16 RSS08065B 1.39 8 6 650 TO-220Internal insulation 1000
17 RSS10065D 1.37 10 5 650 TO-252 2500
18 RSS10065R 1.37 10 5 650 DFN8*8 260
19 RSS10065S 1.37 10 5 650 TO-263 800
20 RSS10065A 1.37 10 5 650 TO-220-2L 1000
21 RSS10065B 1.37 10 5 650 TO-220Internal insulation 1000
22 RSS15065A 1.4 15 2 650 TO-220-2L 1000
23 RSS20065A 1.35 20 6 650 TO-220-2L 1000
24 RSS20065W 1.45 20 5 650 TO-247-2L 600
25 RSS20065K 1.37 20 5 650 TO-247-3L 600
26 RSS30065W 1.5 30 2 650 TO-247-2L 600
27 RSS30065K 1.4 30 1 650 TO-247-3L 600
28 RSS40065K 1.35 40 6 650 TO-247-3L 600
29 RSS50065W 1.5 50 2 650 TO-247-2L 600
30 RSS60065K 1.5 60 2 650 TO-247-3L 600
31 RSS02120D 1.38 2 1 1200 TO-252 2500
32 RSS10120A 1.43 10 2 1200 TO-220-2L 1000
33 RSS10120W 1.43 10 2 1200 TO-247-2L 600
34 RSS15120W 1.55 15 5 1200 TO-247-2L 600
35 RSS20120W 1.45 20 2 1200 TO-247-2L 600
36 RSS20120K 1.45 20 2 1200 TO-247-3L 600
37 RSS30120W 1.5 30 5 1200 TO-247-2L 600
38 RSS30120K 1.55 30 5 1200 TO-247-3L 600
39 RSS40120K 1.45 40 2 1200 TO-247-3L 600
40 RSS40120W 1.45 40 2 1200 TO-247-2L 600
41 RSS50120W 1.4 50 30 1200 TO-247-2L 600
42 RSS25170W 1.55 25 5 1700 TO-247-2L 600
43 RSS10200W 1.45 10 8 2000 TO-247-2L 600
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No. Part No. VF(V)Typ (TA=25℃) IF(A)TC=145℃(TA=25℃) Typ IR(µA)(TA=25℃) VR(V)(TA=25℃) Package MOQ(pcs)
Produkt-Beschreibung

Leistungsdiskrete Geräte Siliziumkarbid SBD basierend auf der nationalen Militärstandard-Produktionslinie

Beschreibung des Produkts:

Siliziumkarbidbarrieredioden (SiC SBD) sind leistungsdiskrete Geräte mit extrem niedrigem Rückwärtsstrom und starker Überspannungskraft.Diese Geräte können bei hohen Temperaturen stabil arbeiten und werden hauptsächlich in PFC-Schaltkreisen verwendet, Gleichspannungs­/Wechselstromumrichter für die Solar­ und Windenergieerzeugung, UPS­Stromversorgungen, Motorantriebe usw. Mit den hervorragenden Eigenschaften der Silicon­Carbide­Schottky­Barriere­Rectifier­Diode (SiC SBD),es kann eine bessere Leistungsumwandlungseffizienz bieten, schnelle Schaltgeschwindigkeit und höhere Temperaturstabilität.Die hohe Temperaturbeständigkeit der Siliziumkarbidbarrierediode (SiC SBD) kann die Sicherheit und Zuverlässigkeit des Geräts unter extremen Temperaturbedingungen gewährleisten., so dass es eine ideale Wahl für Anwendungen in rauen Umgebungen.

 

Technische Parameter:

Eigentum Beschreibung
Material Siliziumkarbid
Anwendung PFC-Schaltkreis, Gleichstrom-/Wechselstromumrichter für Solar- und Windenergieerzeugung, UPS-Stromversorgung, Motorantrieb usw.
Produktbezeichnung Silikonkarbid Schottky-Diode, Silikonkarbid SBD, Silikonkarbid Barriere-Diode
Häufigkeit Hochfrequenz
Wärmebeständigkeit Hochtemperaturbeständigkeit
Gerätetypen Stromdiskrete Geräte
Effizienz Hohe Effizienz
Eigenschaften Extrem geringer Rückwärtsstrom, starke Überspannungsschutzleistung
Macht Hohe Macht
Vorteile Auf der Basis der nationalen Militärstandard-Produktionslinie ist der Prozess stabil und die Qualität zuverlässig.
 

Anwendungen:

Die Silikonkarbid-Schottky-Diode, allgemein als Sic SBD bekannt, wird von REASUNOS hergestellt und wird aufgrund ihrer hohen Leistungsfähigkeit in der Leistungselektronik weit verbreitet.Es besteht aus einem Material namens Siliziumkarbid., die eine Verbindung aus Silizium und Kohlenstoff ist und überlegene Eigenschaften wie höhere Leistung und bessere Wärmeleitfähigkeit aufweist.Dies macht es zu einer ausgezeichneten Wahl für Anwendungen, die hohe Leistung erfordernEs wird auch in leistungsdiskreten Geräten verwendet und kann in vielen industriellen Geräten und elektronischen Produkten gefunden werden.Dank seiner zuverlässigen Qualität und stabilen Prozess aus der nationalen militärischen Standard-Produktionslinie, REASUNOS Silicon Carbide SBD ist in der Industrie weithin anerkannt und akzeptiert.

REASUNOS Silicon Carbide SBD wird in staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen verpackt und in Kartons in Karton verpackt.und die Lieferzeit beträgt je nach Gesamtmenge in der Regel 2 bis 30 TageDie Zahlungsbedingungen sind 100% T/T im Voraus (EXW). Die Lieferkapazität beträgt 5KK/Monat.

 

Unterstützung und Dienstleistungen:

Silicon Carbide SBD bietet eine breite Palette von technischen Unterstützung und Dienstleistungen, um sicherzustellen, dass Ihr Produkt reibungslos und effizient läuft.Unser technisches Support-Team ist rund um die Uhr zur Verfügung, um alle Fragen zu beantworten.Wir bieten Ihnen auch eine Vielzahl von Dienstleistungen an, um Sie bei der Optimierung Ihres Produkts zu unterstützen, einschließlich Fehlerbehebung, Installation und Wartung.Unsere erfahrenen Spezialisten können Ihnen bei allen Anpassungsbedürfnissen helfenWenn Sie weitere Hilfe benötigen, ist unser Team mehr als glücklich, Ihnen diese zu geben.

 

Verpackung und Versand:

Verpackung und Versand von Siliziumcarbide SBD:

Jedes Silicon Carbide SBD wird in einer separaten Box verpackt und versandt. Die Box enthält das Produkt und eine Reihe von Anweisungen. Die Box wird dann versiegelt und mit den Spezifikationen des Produkts gekennzeichnet.Die Kiste wird dann in eine größere Kiste mit einem Verpackungsmaterial gelegt, um sie vor Schäden während des Transports zu schützenDie größere Schachtel wird dann versiegelt und mit den Spezifikationen des Produkts und der Adresse des Empfängers gekennzeichnet.

 

Häufige Fragen:

F1: Was ist Siliziumkarbid SBD?A1: Siliziumkarbid SBD ist ein Halbleitermaterial, das von REASUNOS mit dem Markennamen REASUNOS hergestellt wird, das sich in Guangdong, China, befindet.
F2: Wie hoch ist der Preis für Silicon Carbide SBD?A2: Der Preis für Siliziumkarbid SBD hängt vom Produkt ab, bitte kontaktieren Sie uns für weitere Details.
F3: Wie wird Silicon Carbide SBD verpackt?A3: Silicon Carbide SBD ist in staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen verpackt, die in Kartons in einer Kartonbox platziert sind.
F4: Wie lange dauert die Lieferzeit für Silicon Carbide SBD?A4: Die Lieferzeit für Silicon Carbide SBD beträgt 2-30 Tage, abhängig von der Gesamtmenge.
F5: Wie sind die Zahlungsbedingungen für Silicon Carbide SBD?A5: Die Zahlungsbedingungen für Silicon Carbide SBD sind 100% T/T im Voraus (EXW).