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Palabras clave [ base station low voltage mosfet ] partido 40 productos.
Conducción del motor baja tensión Fet estable para el interruptor de alta frecuencia
eficiencia: | Alta eficiencia y confiable |
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Capacidad EAS: | Alta capacidad EAS |
Resistencia: | RDS bajo (ENCENDIDO) |
60V 150V Baja tensión Alta corriente Mosfet Función múltiple duradera
Resistencia: | RDS bajo (ENCENDIDO) |
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eficiencia: | Alta eficiencia y confiable |
Capacidad EAS: | Alta capacidad EAS |
Transistor de conmutación de baja tensión de RSP pequeño
Ventajas de proceso de SGT: | Optimización de la brecha FOM, cubriendo más uso. |
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Consumo de energía: | Pérdida de la energía baja |
Aplicación del proceso de zanja: | Carga inalámbrica, carga rápida, controlador de motor, convertidor CC/CC, interruptor de alta frecue |
Transistores Mosfet de baja potencia 20V 60V para carga inalámbrica
Ventajas del proceso de zanja: | RSP más pequeño, tanto en serie como en paralelo, se pueden combinar y utilizar libremente. |
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Ventajas de proceso de SGT: | Optimización de la brecha FOM, cubriendo más uso. |
Capacidad EAS: | Alta capacidad EAS |
Proceso de trinchera de MOSFET de baja tensión controlador de motor de alta eficiencia para estación base 5G
Efficiency: | High Efficiency And Reliable |
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Power consumption: | Low Power Loss |
Trench process Advantages: | Smaller RSP, Both Series And Parallel Configurations Can Be Freely Combined And Utilized. |
Conmutador Mosfet práctico de baja potencia, transistor multifuncional de baja tensión
Aplicación del proceso de zanja: | Carga inalámbrica, carga rápida, controlador de motor, convertidor CC/CC, interruptor de alta frecue |
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Resistencia: | RDS bajo (ENCENDIDO) |
Capacidad EAS: | Alta capacidad EAS |
MOSFET de potencia de baja tensión de zanja duradera, MOSFET de voltaje de umbral ultra bajo SGT
Ventajas de proceso de SGT: | Optimización de la brecha FOM, cubriendo más uso. |
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eficiencia: | Alta eficiencia y confiable |
Consumo de energía: | Pérdida de la energía baja |
Carga rápida Baja potencia Fet estable Multifuncción Bajo umbral
eficiencia: | Alta eficiencia y confiable |
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Nombre del producto: | MOSFET de bajo voltaje |
Capacidad EAS: | Alta capacidad EAS |
Proceso de trinchera de MOSFET de baja tensión controlador de motor de alta eficiencia para estación base 5G
SGT process Advantages: | Breakthrough FOM Optimization, Covering More Application. |
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resistance: | Low Rds(ON) |
SGT process Application: | Motor Driver, 5G Base Station, Energy Storage, High-frequency Switch, Synchronous Rectification. |
Capacidad EAS alta Baja Rds ((ON) Proceso de zanja MOSFET Rectificación síncrona
Trench process Application: | Wireless Charging, Fast Charging, Motor Driver, DC/DC Converter, High-frequency Switch, Synchronous Rectification. |
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Trench process Advantages: | Smaller RSP, Both Series And Parallel Configurations Can Be Freely Combined And Utilized. |
SGT process Advantages: | Breakthrough FOM Optimization, Covering More Application. |