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Palabras clave [ base station low voltage mosfet ] partido 41 productos.
Proceso de trinchera de MOSFET de baja tensión controlador de motor de alta eficiencia para estación base 5G
| Efficiency: | High Efficiency And Reliable |
|---|---|
| EAS capability: | High EAS Capability |
| SGT process Application: | Motor Driver, 5G Base Station, Energy Storage, High-frequency Switch, Synchronous Rectification. |
Almacenamiento de energía MOSFET de baja tensión Práctico de N canales Alta capacidad EAS
| Capacidad EAS: | Alta capacidad EAS |
|---|---|
| Ventajas del proceso de zanja: | RSP más pequeño, tanto en serie como en paralelo, se pueden combinar y utilizar libremente. |
| Proceso de estructura: | Trinchera/SGT |
MOSFET de baja tensión de RSP pequeño de escenas múltiples N canal de umbral bajo
| Capacidad EAS: | Alta capacidad EAS |
|---|---|
| Ventajas de proceso de SGT: | Optimización de la brecha FOM, cubriendo más uso. |
| Uso de proceso de SGT: | Conductor del motor, 5G estación base, almacenamiento de energía, interruptor de alta frecuencia, re |
Estable 20V de baja potencia P canal Mosfet, práctico transistor de baja tensión de alta corriente
| eficiencia: | Alta eficiencia y confiable |
|---|---|
| Consumo de energía: | Pérdida de la energía baja |
| Uso de proceso de SGT: | Conductor del motor, 5G estación base, almacenamiento de energía, interruptor de alta frecuencia, re |
SGT Estables de Puerta Baja de Umbral de Tensión Mosfet Para el Convertidor de CC a CC
| Ventajas del proceso de zanja: | RSP más pequeño, tanto en serie como en paralelo, se pueden combinar y utilizar libremente. |
|---|---|
| Uso de proceso de SGT: | Conductor del motor, 5G estación base, almacenamiento de energía, interruptor de alta frecuencia, re |
| Proceso de estructura: | Trinchera/SGT |
Transistores Mosfet de baja potencia multiscene SGT estables con voltaje de umbral bajo
| Consumo de energía: | Pérdida de la energía baja |
|---|---|
| Nombre del producto: | MOSFET de bajo voltaje |
| Aplicación del proceso de zanja: | Carga inalámbrica, carga rápida, controlador de motor, convertidor CC/CC, interruptor de alta frecue |
Conductor de motor de baja tensión Mosfet, Multiscene baja Vgs N canal Mosfet
| Ventajas del proceso de zanja: | RSP más pequeño, tanto en serie como en paralelo, se pueden combinar y utilizar libremente. |
|---|---|
| Resistencia: | RDS bajo (ENCENDIDO) |
| Aplicación del proceso de zanja: | Carga inalámbrica, carga rápida, controlador de motor, convertidor CC/CC, interruptor de alta frecue |
FET de baja tensión multipropósito, Mosfet de baja potencia duradero de canal N
| Resistencia: | RDS bajo (ENCENDIDO) |
|---|---|
| Aplicación del proceso de zanja: | Carga inalámbrica, carga rápida, controlador de motor, convertidor CC/CC, interruptor de alta frecue |
| Proceso de estructura: | Trinchera/SGT |
SGT Potencia de baja tensión industrial Mosfet, Mosfet estable Voltado de umbral de puerta baja
| Proceso de estructura: | Trinchera/SGT |
|---|---|
| Ventajas del proceso de zanja: | RSP más pequeño, tanto en serie como en paralelo, se pueden combinar y utilizar libremente. |
| Resistencia: | RDS bajo (ENCENDIDO) |
Mosfets de baja potencia multipropósito, N canal Mosfet baja tensión de umbral
| Capacidad EAS: | Alta capacidad EAS |
|---|---|
| Proceso de estructura: | Trinchera/SGT |
| Aplicación del proceso de zanja: | Carga inalámbrica, carga rápida, controlador de motor, convertidor CC/CC, interruptor de alta frecue |