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MOSFET de baja tensión polivalente de alta eficiencia para el conductor de motor

  • Multipurpose Low Voltage MOSFET High Efficiency For Motor Driver
Lugar de origen Guangdong, NC
Nombre de la marca REASUNOS
Precio Confirm price based on product
Detalles de empaquetado Envases tubulares a prueba de polvo, agua y antistáticos, colocados en una caja de cartón en cartone
Tiempo de entrega 2-30 días (depende de la cantidad total)
Condiciones de pago 100% T/T por adelantado (EXW)
Capacidad de la fuente 5KK/mes

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Datos del producto
Proceso de estructura Trinchera/SGT Aplicación del proceso de zanja Carga inalámbrica, carga rápida, controlador de motor, convertidor CC/CC, interruptor de alta frecue
Capacidad EAS Alta capacidad EAS Uso de proceso de SGT Conductor del motor, 5G estación base, almacenamiento de energía, interruptor de alta frecuencia, re
Consumo de energía Pérdida de la energía baja Resistencia RDS bajo (ENCENDIDO)
Nombre del producto MOSFET de bajo voltaje eficiencia Alta eficiencia y confiable
Resaltar

MOSFET de baja tensión de usos múltiples

,

MOSFET de baja tensión del conductor del motor

,

MOSFET de conductor de motor de alta eficiencia
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descripción de producto

MOSFET de proceso de trinchera de baja pérdida de potencia para aplicaciones de conductores motorizados

Descripción del producto:

El MOSFET de bajo voltaje es un tipo de transistor de voltaje de umbral bajo que proporciona una optimización FOM innovadora y cubre más aplicaciones, con una baja pérdida de energía y una alta capacidad EAS.Se fabrica utilizando el proceso avanzado de Trench/SGTLos MOSFET de bajo voltaje ofrecen un excelente rendimiento de conmutación, bajo consumo de energía y alta confiabilidad.Es una opción perfecta para aplicaciones que requieren un voltaje de umbral bajo y una baja pérdida de potencia.

 

Parámetros técnicos:

Parámetros Descripción
Aplicación del proceso de zanja Carga inalámbrica, carga rápida, conductor del motor, convertidor de CC/DC, interruptor de alta frecuencia, rectificación síncrona
Capacidad de EAS Capacidad EAS elevada
Proceso de estructura En el caso de las empresas de transporte de mercancías
Resistencia Bajo Rds ((ON)
Consumo de energía Baja pérdida de energía
Eficiencia Alta eficiencia y fiabilidad
Nombre del producto MOSFET de baja tensión
Aplicación del proceso SGT El conductor del motor, la estación base 5G, el almacenamiento de energía, el interruptor de alta frecuencia, la rectificación síncrona.
Ventajas del proceso SGT Optimización FOM de gran avance, que cubre más aplicaciones
Ventajas del proceso de zanja RSP más pequeño, tanto en serie como en configuraciones paralelas pueden combinarse y utilizarse libremente
Palabras clave FET de baja tensión, MOSFET de baja tensión de puerta, MOSFET de baja VGS
 

Aplicaciones:

El MOSFET de bajo voltaje REASUNOS, fabricado en Guangdong, China, es una opción perfecta para diversas aplicaciones. Tiene baja pérdida de energía, y se puede utilizar en el conductor del motor, estación base 5G, almacenamiento de energía,interruptor de alta frecuenciaCon los dos tipos de proceso, Trench y SGT, proporciona a los clientes RSP más pequeños, tanto las configuraciones en serie como las paralelas se pueden combinar y utilizar libremente,y optimización de FOM de avanceAdemás, tiene un voltaje de umbral bajo y un voltaje de puerta bajo. Su precio es competitivo y el tiempo de entrega es rápido, generalmente de 2 a 30 días,dependiendo de la cantidad totalEl embalaje es a prueba de polvo, a prueba de agua y antistatico, en embalaje tubular y colocado dentro de una caja de cartón en cajas de cartón.Con una capacidad de suministro de 5KK/mes, este producto ha ganado gran popularidad.

 

Apoyo y servicios:

Soporte técnico y servicio de MOSFET de baja tensión

Estamos comprometidos a proporcionar a nuestros clientes el mejor soporte técnico y servicio para nuestros productos MOSFET de bajo voltaje.Nuestro equipo de ingenieros y técnicos experimentados están disponibles para responder a cualquier pregunta que pueda tener y proporcionar rápido, asistencia profesional.

Ofrecemos una variedad de servicios, incluyendo:

  • Asesoramiento técnico y selección de productos
  • Servicios de reparación y solución de problemas
  • Actualizaciones de software y firmware
  • Apoyo para la instalación y la configuración

También ofrecemos opciones de servicio y reparación extendidas para mantener sus productos MOSFET de bajo voltaje funcionando de manera óptima.

  • Mantenimiento preventivo
  • Pruebas de diagnóstico
  • Partes de repuesto
  • Reparación in situ

Para obtener más información sobre nuestro soporte técnico y servicio de MOSFET de baja tensión, por favorPóngase en contacto.

 

Embalaje y envío:

Embalaje y envío de MOSFET de bajo voltaje:

Los MOSFET de bajo voltaje deben almacenarse en un ambiente seco y lejos de la luz solar directa.Utilice un material de embalaje antiestático para evitar cualquier descarga electrostáticaEl paquete también debe estar claramente etiquetado con el nombre del producto y el número del producto.

Los MOSFET de bajo voltaje deben enviarse utilizando un servicio de mensajería de buena reputación que proporcione información de seguimiento.Se debe tener cuidado de que el producto no esté expuesto a temperaturas extremas u otros peligros ambientales durante el proceso de transporte..

 

Preguntas frecuentes:

P: ¿Qué es un MOSFET de bajo voltaje?

A: ¿Qué quieres decir?El MOSFET de bajo voltaje es un tipo de transistor de efecto de campo de semiconductores de óxido metálico (MOSFET) diseñado para operar con una fuente de alimentación de bajo voltaje.

P: ¿Cuáles son las principales características del MOSFET de baja tensión REASUNOS?

A: ¿Qué quieres decir?El MOSFET de bajo voltaje REASUNOS presenta un bajo consumo de energía, una alta velocidad de conmutación, una alta confiabilidad y una baja resistencia.

P: ¿Cuál es el lugar de origen del MOSFET de baja tensión REASUNOS?

A: ¿Qué quieres decir?El MOSFET de bajo voltaje de REASUNOS se fabrica en Guangdong, China.

P: ¿Cuál es el precio del MOSFET de baja tensión REASUNOS?

A: ¿Qué quieres decir?El precio de REASUNOS MOSFET baja tensión depende del producto. Póngase en contacto con nosotros para obtener más información.

P: ¿Cómo se empaqueta el MOSFET de bajo voltaje REASUNOS?

A: ¿Qué quieres decir?REASUNOS MOSFET de baja tensión está envasado en un embalaje tubular a prueba de polvo, a prueba de agua y antiestático, colocado dentro de una caja de cartón en cartones.

Etiquetas:

Tensión de umbral bajo del canal N Mosfet

Mosfet de canal P de baja potencia estable

MOSFET de baja tensión de la estación base