Многоценальный ультравысоковольтный электротранзистор 500 В для промышленности
Место происхождения | Гуандун, CN |
---|---|
Фирменное наименование | REASUNOS |
Цена | Confirm price based on product |
Упаковывая детали | Прочная, водонепроницаемая и антистатическая трубчатая упаковка, помещенная в картонную коробку в ка |
Время доставки | 2-30 дней (зависит от общего количества) |
Условия оплаты | 100% T/T заранее ((EXW) |
Поставка способности | 5кк/месяц |

Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.
WhatsApp:0086 18588475571
Вичат: 0086 18588475571
Скайп: sales10@aixton.com
Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.
xПрименение Mosfet HV | Водитель СИД, переходники, промышленное переключая электропитание, инверторы Etc | Оценка напряжения тока | Высоковольтное/ультравысокое напряжение тока |
---|---|---|---|
Наименование продукта | Высоковольтный MOSFET | Технологии | MOSFET |
Применение MOSFET Ультра-HV | Умный метр, электропитание шкафа, промышленное переключая электропитание, система электропитания, Et | Утечка | Низкая утечка может достигнуть меньше чем 1 µ a |
тепловыделение | Большее тепловыделение | Врезанное применение MOSFET HV FRD | Серия мотора, инвертор, половинный мост/полные применения мостиковой схемы, Etc. |
Выделить | Транзистор высокого напряжения,Транзистор высокого напряжения 500 В,Промышленный ультравысоковольтный транзистор |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | Diode Trr(nS) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1 | RSF38N30F | N | 38 | 300 | 0.09 | 0.11 | TO-220F | 1000 | 80 | |
2 | RSF45N50W | N | 45 | 500 | 0.1 | 0.125 | TO-247 | 600 | 95 | |
3 | RSF5N50D | N | 5 | 500 | 1.5 | 1.85 | TO-252 | 2500 | 61 | |
4 | RSF7N50D | N | 7 | 500 | 1.1 | 1.5 | TO-252 | 2500 | 100 | |
5 | RSF3N60D | N | 3 | 600 | 2.8 | 3.4 | TO-252 | 2500 | 55 | |
6 | RSF4N60D | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | 60 | |
7 | RSF4N60F | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | 60 | |
8 | RS2N65D | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
9 | RS2N65F | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
10 | RS4N65D | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
11 | RS4N65MD | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
12 | RS4N65F | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
13 | RS5N65D | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-252 | 2500 | -- | |
14 | RS5N65F | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-220F | 1000 | -- | |
15 | RS6N65D | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-252 | 2500 | -- | |
16 | RS6N60F | N | 6 | 600 | 1 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
17 | RS6N65F | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
18 | RS7N65D | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
19 | RS7N65MD | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
20 | RS7N65F | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
21 | RS8N60F | N | 8 | 600 | 0.75 | 0.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
22 | RS8N65F | N | 8 | 650 | 0.95 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
23 | RS10N65D | N | 10 | 650 | 0.93 | 1.05 | TO-252 | 2500 | -- | |
24 | RS10N65F | N | 10 | 650 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
25 | RS10N60F | N | 10 | 600 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
26 | RS12N65F | N | 12 | 650 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
27 | RS12N60F | N | 12 | 600 | 0.5 | 0.62 | TO-220F | 1000 | -- | |
28 | RS13N65F | N | 13 | 650 | 0.52 | 0.65 | TO-220F | 1000 | -- | |
29 | RS16N65F | N | 16 | 650 | 0.45 | 0.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
30 | RS20N65F | N | 20 | 650 | 0.35 | 0.45 | TO-220F | 1000 | -- | |
31 | RS5N50D | N | 5 | 500 | 1.25 | 1.45 | TO-252 | 2500 | -- | |
32 | RS6N50D | N | 6 | 500 | 1.2 | 1.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
33 | RS9N50D | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-252 | 2500 | -- | |
34 | RS9N50F | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
35 | RS10N50F | N | 10 | 500 | 0.66 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
36 | RS11N50F | N | 11 | 500 | 0.48 | 0.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
37 | RS13N50F | N | 13 | 500 | 0.39 | 0.46 | TO-220F | 1000 | -- | |
38 | RS15N50F | N | 15 | 500 | 0.35 | 0.42 | TO-220F | 1000 | -- | |
39 | RS18N50F | N | 18 | 500 | 0.28 | 0.34 | TO-220F | 1000 | -- | |
40 | RS20N50F | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-220F | 1000 | -- | |
41 | RS20N50W | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-247-3 | 600 | -- | |
42 | RS25N50F | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-220F | 1000 | -- | |
43 | RS25N50W | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-247-3 | 600 | -- | |
44 | RS28N50W | N | 28 | 500 | 0.14 | 0.18 | TO-247-3 | 600 | -- | |
45 | RS30N50W | N | 30 | 500 | 0.085 | 0.12 | TO-247-3 | 600 | -- | |
46 | RS4N80F | N | 4 | 800 | 3.2 | 3.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
47 | RS8N80F | N | 8 | 800 | 1.35 | 1.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
48 | RS10N80F | N | 10 | 800 | 1 | 1.2 | TO-220F | 1000 | -- | |
49 | RS3N90MD | N | 3 | 900 | 4 | 4.8 | TO-251 | 4000 | -- | |
50 | RS4N90D | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
51 | RS4N90F | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
52 | RS6N90F | N | 6 | 900 | 1.7 | 2.05 | TO-220F | 1000 | -- | |
53 | RS9N90F | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
54 | RS9N90PF | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-3PF | 300 | -- | |
55 | RS2N100D | N | 2 | 1000 | 6 | 7.2 | TO-252 | 2500 | -- | |
56 | RSE3N100F | N | 3 | 1000 | 4.6 | 5.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
57 | RS6N100F | N | 6 | 1000 | 1.2 | 1.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
58 | RS2N120D | N | 2 | 1200 | 10.5 | 12.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
59 | RS3N120D | N | 3 | 1200 | 7.3 | 8.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
60 | RS6N120T | N | 6 | 1200 | 2.1 | 2.5 | TO-220 | 1000 | -- | |
61 | RS3N150F | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
62 | RS3N150PF | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-3PF | 300 | -- | |
63 | RS3N150W | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO247-3 | 600 | -- |
Сверхвысоковольтный MOSFET с низким сопротивлением Новая технология латерального переменного допинга
Описание продукта:
Высоковольтный MOSFET - это новый тип мощного MOSFET транзистора с высоким напряжением и сверхвысоким напряжением, основанный на новейшей технологии латерального переменного допирования.который может достигать менее 1μAЭтот высоковольтный MOSFET предлагает множество преимуществ, таких как высокая эффективность, высокая скорость переключения и низкое сопротивление.Он широко используется в умных счетчиках, электроснабжение шкафов, промышленное переключающее питание и электрическая система питания и т.д.
Уникальная технология латерального переменного допинга гарантирует, что оксид шлюза ультра-ВВ MOSFET может противостоять высокому напряжению и высокой температуре.Специальная мощность MOS структура обеспечивает высокое напряжение и сверхвысокое напряжение производительностиМосфет высокого напряжения имеет низкий уровень утечки тока и отличные характеристики при высоких температурах, что делает его идеальным выбором для применения при высоких температурах.
Высоковольтный MOSFET является идеальным решением для приложений, требующих высокого напряжения и сверхвысокого напряжения.Он также подходит для тех приложений, которые требуют низкого течения утечки и отличные характеристики при высоких температурахС его превосходными характеристиками, высоковольтный MOSFET является лучшим выбором для энергетических приложений.
Технические параметры:
Технологии | MOSFET |
---|---|
Применение HV Mosfet | Диодный драйвер, адаптеры, промышленные переключатели питания, инверторы и т.д. |
Направление напряжения | Высокое напряжение/Ультравысокое напряжение |
Сопротивление | Низкое сопротивление |
Преимущества | Новая технология латерального переменного допинга, специальная структура MOS с мощностью, отличные характеристики при высоких температурах. |
Встроенное приложение FRD HV MOSFET | Моторные серии, инверторы, Half Bridge/Full Bridge Circuit приложения и т.д. |
Применение ультра-ВВ MOSFET | Умный счетчик, электроснабжение кабинета, промышленное переключающее электроснабжение, система электроэнергии и т.д. |
Утечка | Низкая утечка может достигать менее 1 мкА |
Тип | N |
Рассеивание тепла | Большое рассеивание тепла |
Применение:
Reasunos высоковольтный fet, hv mosfet и ультра-hv MOSFET являются идеальным выбором для серийных двигателей, инверторов, приложений полного моста / полного моста и многого другого.С его низким сопротивлением и новой боковой переменной допинговой технологии, специальная мощность MOS структура, отличные характеристики при высокой температуре, этот продукт является отличным выбором.
Этот продукт производится в Гуандун, Китай и доступен по конкурентоспособной цене, в зависимости от количества заказов.и антистатическая трубчатая упаковкаВремя доставки обычно составляет от 2 до 30 дней, в зависимости от общего количества и требуется предварительная оплата через 100% T/T (EXW).Reasunos имеет возможности поставки 5KK / месяц.
Поддержка и услуги:
Техническая поддержка и услуги высоковольтных MOSFET
Мы предоставляем надежную техническую поддержку и услуги для клиентов высокого напряжения MOSFET.Наша команда технической поддержки состоит из высококвалифицированных и знающих инженеров и техников, которые имеют большой опыт в области высокого напряжения MOSFET.
Мы предлагаем полную техническую поддержку и услуги для наших высоковольтных MOSFET продуктов.и помогать клиентам оптимизировать свой дизайн системыМы также предлагаем обучение и техническую поддержку на месте для клиентов, которым нужна помощь с их высоковольтными продуктами MOSFET.
Наша техническая поддержка и услуги доступны 24 часа в сутки, 7 дней в неделю.и наша команда всегда готова ответить на любые вопросы или вопросы клиентов.
Мы также предлагаем регулярные обновления программного обеспечения и прошивки, чтобы гарантировать, что наши высоковольтные MOSFET-продукты обновляются и остаются надежными.Мы также предоставляем техническую поддержку и услуги для наших клиентов.
Мы стремимся предоставить нашим клиентам наилучшую возможную техническую поддержку и услуги для их высоковольтных продуктов MOSFET.Наша команда стремится обеспечить отличное обслуживание клиентов и обеспечить нашим клиентам положительный опыт работы с нашими продуктами..
Упаковка и перевозка:
Опаковка и транспортировка высоковольтных MOSFET
Высоковольтные MOSFET упаковываются и отправляются в статически безопасные материалы.Он упакован в ESD-безопасный контейнер и отправляется в безопасном контейнере., подкованая коробка.
В коробке помещается название продукта, номер модели и другие соответствующие данные.Затем коробку закрывают и запечатывают лентой, чтобы гарантировать безопасность доставки продукта.
Часто задаваемые вопросы
Вопрос 1: Что такое высоковольтный MOSFET?
A1: MOSFET высокого напряжения - это тип MOSFET (транзистор с полевым эффектом металлического оксида-полупроводника), который может обрабатывать высокое напряжение, производимый Reasunos.
Q2: Где Reasunos производит высоковольтный MOSFET?
A2: Reasunos производит высоковольтный MOSFET в Гуандун, Китай.
Вопрос 3: Сколько это стоит?
A3: Цена высоковольтного MOSFET зависит от продукта; пожалуйста, свяжитесь с Reasunos для подтверждения цены.
Q4: Как он упакован?
A4: MOSFET высокого напряжения упаковывается в пылестойкую, водонепроницаемую и антистатическую трубчатую упаковку, помещенную в картонную коробку в картонные коробки.
Q5: Каково время доставки?
A5: Срок доставки высоковольтного MOSFET составляет 2-30 дней, в зависимости от общего количества.