Langlebiger Wechselrichter Hochspannungstransistor, Multifunktionskanal N Mosfet

Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

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Produktdetails
Leckage Niedriges Durchsickern kann weniger als 1 µ A erreichen Nennspannung Hochspannungs-/Ultrahochspannung
Anwendung MOSFET-Ultra-Hochspg Intelligentes Meter, Kabinett-Stromversorgung, industrielles Schaltnetzteil, System der elektrischen Eingebettete FRD Hochspg MOSFET-Anwendung Bewegungs-Reihe, Inverter, Halbbrücke-/Vollbrückenschaltung Anwendungen, etc.
Typ N Produktbezeichnung Hochspannungs-MOSFET
Wärmeableitung Große Wärmeableitung Vorteile Neue seitliche variable lackierende Technologie, spezielle Energie MOS Structure, ausgezeichnete Eig
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Langlebiger Hochspannungstransistor

,

Inverter Hochspannungstransistor

,

Mehrfunktionskanal N Mosfet

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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
Produkt-Beschreibung

Beschreibung des Produkts:

Ein eingebettetes FRD HV MOSFET ist ein Hochspannungs-MOSFET mit ultrahoher Spannungsanwendung, geringem Widerstand, großer Wärmeabgabe und geringer Leckage, die weniger als 1 μA erreichen kann.Es wird weit verbreitet in Smart-Meter verwendet, Kabinettstromversorgung, industrielle Schaltstromversorgung, Stromversorgungssystem usw. Er bietet eine hervorragende Leistung bei der Steuerung und Schaltung von Hochspannungsstrom.mit einer Leistung von mehr als 50 W und einer Leistung von mehr als 50 W, kann es die Wahrscheinlichkeit von Schäden durch die Überspannung erheblich verringern und einen zuverlässigen Betrieb in den extremsten Umgebungen gewährleisten.Die hohe Wärmeabgabe und die geringe Leckage sorgen dafür, dass alle Komponenten und Schaltungen stabil und sicher arbeiten können..

 

Technische Parameter:

Produktbezeichnung Hochspannungs-MOSFET
Typ N
Anwendung von HV Mosfet LED-Treiber, Adapter, industrielle Schaltanlage, Wechselrichter usw.
Leckage Niedrige Leckage kann weniger als 1 μ A erreichen
Technologie MOSFET
Vorteile Neue Technologie für das doppende Abwechslungsmittel, spezielle MOS-Struktur, ausgezeichnete Eigenschaften bei hohen Temperaturen.
Widerstand Niedriger Einsatzwiderstand
Eingebettete FRD HV MOSFET-Anwendung Motorreihe, Wechselrichter, Halbbrücken-/Vollbrücken-Schaltkreis-Anwendungen usw.
Anwendung von Ultra-HV-MOSFET Smart Meter, Kabinettstromversorgung, industrielle Schaltanlage, elektrische Stromversorgung usw.
Wärmeabbau Große Wärmeverteilung
 

Anwendungen:

Reasunos ist eine Marke für Hochspannungs-MOSFET-Produkte, die in Guangdong, China, hergestellt werden.die zusätzliche Wärmeableitung und Hochspannungs-/Ultrahochspannungsspannung bietenReasunos-Produkte werden in verschiedenen Anwendungen wie Smart-Meter, Schrankenstromversorgung, industrielle Schaltstromversorgung und elektrische Stromversorgung eingesetzt.

Reasunos Hochspannungs-MOSFET-Produkte werden in staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen geliefert, die in einer Kartonschachtel in Karton verpackt sind.und die Zahlungen erfolgen über 100% T/T im Voraus ((EXW)Reasunos stellt 5KK/Monat Lieferfähigkeit für ihre Hochspannungs-MOSFET-Produkte zur Verfügung.

 

Unterstützung und Dienstleistungen:

Technische Unterstützung und Service von Hochspannungs-MOSFET

Wir bieten technische Unterstützung und Service für unsere Hochspannungs-MOSFET-Produkte.Unsere sehr erfahrenen technischen Mitarbeiter stehen Ihnen bei allen technischen Fragen zu unseren Produkten zur Verfügung..

Wir bieten umfassende technische Unterstützung und Service für unsere Hochspannungs-MOSFET-Produkte.Unser engagiertes Team von Ingenieuren steht Ihnen zur Verfügung, um Ihnen technische Unterstützung und Beratung zu allen Aspekten unserer Produkte zu geben..

Darüber hinaus bieten wir eine Reihe von Dienstleistungen an, darunter kundenspezifische Gestaltung und Entwicklung, Systemintegration, Produktprüfung und -validierung sowie Kundendienst.

Wenn Sie Fragen haben oder unsere Hochspannungs-MOSFET-Produkte ausführlicher besprechen möchten, zögern Sie bitte nicht, uns zu kontaktieren.

 

Verpackung und Versand:

Verpackung und Versand von Hochspannungs-MOSFET:

Hochspannungs-MOSFETs müssen sorgfältig verpackt und versandt werden, um sicherzustellen, dass sie während des Transports in unberührtem Zustand bleiben.Die MOSFETs sollten in einen statisch freien, mit Schaum gepolsterten Behälter gebracht werdenDer Behälter sollte mit einem starken Verpackungsteppi verschlossen und mit dem Inhalt gekennzeichnet sein.

Die Verpackung sollte dann in Blasenfolie eingewickelt und in eine starke Kartonbox gelegt werden, die mit starkem Klebeband verschlossen und mit dem Inhalt versehen ist.Es sollte auch klar gekennzeichnet sein, dass es Elektronik enthält., sowie etwaige Warnetiketten, die vom Reedereiunternehmen angefordert werden können.

Schließlich sollte das Paket zur Lieferung an einen Versandunternehmen wie UPS, FedEx oder USPS gebracht werden.

 

Häufige Fragen:

  • F: Wie heißt der Hochspannungs-MOSFET?
    A: Der Markenname des Hochspannungs-MOSFET ist REASUNOS.
  • F: Wo wird das Hochspannungs-MOSFET hergestellt?
    A: Das Hochspannungs-MOSFET wird in Guangdong, China, hergestellt.
  • F: Wie hoch ist der Preis für das Hochspannungs-MOSFET?
    A: Der Preis des Hochspannungs-MOSFET wird je nach Produkt bestätigt.
  • F: Wie ist das Hochspannungs-MOSFET verpackt?
    A: Das Hochspannungs-MOSFET wird in staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen verpackt und in Kartons in einem Karton verpackt.
  • F: Wie lange dauert die Lieferung des Hochspannungs-MOSFET?
    A: Die Lieferzeit hängt von der Gesamtmenge der Bestellung ab. Im Allgemeinen dauert es 2-30 Tage.
  • F: Welche Zahlungsbedingungen akzeptieren Sie?
    A: Wir akzeptieren 100% T/T im Voraus (EXW).
  • F: Welche Versorgungsfähigkeit hat das Hochspannungs-MOSFET?
    A: Die Versorgungsfähigkeit des Hochspannungs-MOSFET beträgt 5KK/Monat.