Langlebiger Wechselrichter Hochspannungstransistor, Multifunktionskanal N Mosfet
Herkunftsort | Guangdong, KN |
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Markenname | REASUNOS |
Preis | Confirm price based on product |
Verpackung Informationen | Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons |
Lieferzeit | 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge) |
Zahlungsbedingungen | 100% T/T im Voraus (EXW) |
Versorgungsmaterial-Fähigkeit | 5KK/Monat |

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xLeckage | Niedriges Durchsickern kann weniger als 1 µ A erreichen | Nennspannung | Hochspannungs-/Ultrahochspannung |
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Anwendung MOSFET-Ultra-Hochspg | Intelligentes Meter, Kabinett-Stromversorgung, industrielles Schaltnetzteil, System der elektrischen | Eingebettete FRD Hochspg MOSFET-Anwendung | Bewegungs-Reihe, Inverter, Halbbrücke-/Vollbrückenschaltung Anwendungen, etc. |
Typ | N | Produktbezeichnung | Hochspannungs-MOSFET |
Wärmeableitung | Große Wärmeableitung | Vorteile | Neue seitliche variable lackierende Technologie, spezielle Energie MOS Structure, ausgezeichnete Eig |
Hervorheben | Langlebiger Hochspannungstransistor,Inverter Hochspannungstransistor,Mehrfunktionskanal N Mosfet |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | Diode Trr(nS) | |
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1 | RSF38N30F | N | 38 | 300 | 0.09 | 0.11 | TO-220F | 1000 | 80 | |
2 | RSF45N50W | N | 45 | 500 | 0.1 | 0.125 | TO-247 | 600 | 95 | |
3 | RSF5N50D | N | 5 | 500 | 1.5 | 1.85 | TO-252 | 2500 | 61 | |
4 | RSF7N50D | N | 7 | 500 | 1.1 | 1.5 | TO-252 | 2500 | 100 | |
5 | RSF3N60D | N | 3 | 600 | 2.8 | 3.4 | TO-252 | 2500 | 55 | |
6 | RSF4N60D | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | 60 | |
7 | RSF4N60F | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | 60 | |
8 | RS2N65D | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
9 | RS2N65F | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
10 | RS4N65D | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
11 | RS4N65MD | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
12 | RS4N65F | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
13 | RS5N65D | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-252 | 2500 | -- | |
14 | RS5N65F | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-220F | 1000 | -- | |
15 | RS6N65D | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-252 | 2500 | -- | |
16 | RS6N60F | N | 6 | 600 | 1 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
17 | RS6N65F | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
18 | RS7N65D | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
19 | RS7N65MD | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
20 | RS7N65F | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
21 | RS8N60F | N | 8 | 600 | 0.75 | 0.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
22 | RS8N65F | N | 8 | 650 | 0.95 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
23 | RS10N65D | N | 10 | 650 | 0.93 | 1.05 | TO-252 | 2500 | -- | |
24 | RS10N65F | N | 10 | 650 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
25 | RS10N60F | N | 10 | 600 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
26 | RS12N65F | N | 12 | 650 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
27 | RS12N60F | N | 12 | 600 | 0.5 | 0.62 | TO-220F | 1000 | -- | |
28 | RS13N65F | N | 13 | 650 | 0.52 | 0.65 | TO-220F | 1000 | -- | |
29 | RS16N65F | N | 16 | 650 | 0.45 | 0.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
30 | RS20N65F | N | 20 | 650 | 0.35 | 0.45 | TO-220F | 1000 | -- | |
31 | RS5N50D | N | 5 | 500 | 1.25 | 1.45 | TO-252 | 2500 | -- | |
32 | RS6N50D | N | 6 | 500 | 1.2 | 1.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
33 | RS9N50D | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-252 | 2500 | -- | |
34 | RS9N50F | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
35 | RS10N50F | N | 10 | 500 | 0.66 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
36 | RS11N50F | N | 11 | 500 | 0.48 | 0.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
37 | RS13N50F | N | 13 | 500 | 0.39 | 0.46 | TO-220F | 1000 | -- | |
38 | RS15N50F | N | 15 | 500 | 0.35 | 0.42 | TO-220F | 1000 | -- | |
39 | RS18N50F | N | 18 | 500 | 0.28 | 0.34 | TO-220F | 1000 | -- | |
40 | RS20N50F | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-220F | 1000 | -- | |
41 | RS20N50W | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-247-3 | 600 | -- | |
42 | RS25N50F | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-220F | 1000 | -- | |
43 | RS25N50W | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-247-3 | 600 | -- | |
44 | RS28N50W | N | 28 | 500 | 0.14 | 0.18 | TO-247-3 | 600 | -- | |
45 | RS30N50W | N | 30 | 500 | 0.085 | 0.12 | TO-247-3 | 600 | -- | |
46 | RS4N80F | N | 4 | 800 | 3.2 | 3.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
47 | RS8N80F | N | 8 | 800 | 1.35 | 1.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
48 | RS10N80F | N | 10 | 800 | 1 | 1.2 | TO-220F | 1000 | -- | |
49 | RS3N90MD | N | 3 | 900 | 4 | 4.8 | TO-251 | 4000 | -- | |
50 | RS4N90D | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
51 | RS4N90F | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
52 | RS6N90F | N | 6 | 900 | 1.7 | 2.05 | TO-220F | 1000 | -- | |
53 | RS9N90F | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
54 | RS9N90PF | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-3PF | 300 | -- | |
55 | RS2N100D | N | 2 | 1000 | 6 | 7.2 | TO-252 | 2500 | -- | |
56 | RSE3N100F | N | 3 | 1000 | 4.6 | 5.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
57 | RS6N100F | N | 6 | 1000 | 1.2 | 1.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
58 | RS2N120D | N | 2 | 1200 | 10.5 | 12.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
59 | RS3N120D | N | 3 | 1200 | 7.3 | 8.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
60 | RS6N120T | N | 6 | 1200 | 2.1 | 2.5 | TO-220 | 1000 | -- | |
61 | RS3N150F | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
62 | RS3N150PF | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-3PF | 300 | -- | |
63 | RS3N150W | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO247-3 | 600 | -- |
Beschreibung des Produkts:
Ein eingebettetes FRD HV MOSFET ist ein Hochspannungs-MOSFET mit ultrahoher Spannungsanwendung, geringem Widerstand, großer Wärmeabgabe und geringer Leckage, die weniger als 1 μA erreichen kann.Es wird weit verbreitet in Smart-Meter verwendet, Kabinettstromversorgung, industrielle Schaltstromversorgung, Stromversorgungssystem usw. Er bietet eine hervorragende Leistung bei der Steuerung und Schaltung von Hochspannungsstrom.mit einer Leistung von mehr als 50 W und einer Leistung von mehr als 50 W, kann es die Wahrscheinlichkeit von Schäden durch die Überspannung erheblich verringern und einen zuverlässigen Betrieb in den extremsten Umgebungen gewährleisten.Die hohe Wärmeabgabe und die geringe Leckage sorgen dafür, dass alle Komponenten und Schaltungen stabil und sicher arbeiten können..
Technische Parameter:
Produktbezeichnung | Hochspannungs-MOSFET |
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Typ | N |
Anwendung von HV Mosfet | LED-Treiber, Adapter, industrielle Schaltanlage, Wechselrichter usw. |
Leckage | Niedrige Leckage kann weniger als 1 μ A erreichen |
Technologie | MOSFET |
Vorteile | Neue Technologie für das doppende Abwechslungsmittel, spezielle MOS-Struktur, ausgezeichnete Eigenschaften bei hohen Temperaturen. |
Widerstand | Niedriger Einsatzwiderstand |
Eingebettete FRD HV MOSFET-Anwendung | Motorreihe, Wechselrichter, Halbbrücken-/Vollbrücken-Schaltkreis-Anwendungen usw. |
Anwendung von Ultra-HV-MOSFET | Smart Meter, Kabinettstromversorgung, industrielle Schaltanlage, elektrische Stromversorgung usw. |
Wärmeabbau | Große Wärmeverteilung |
Anwendungen:
Reasunos ist eine Marke für Hochspannungs-MOSFET-Produkte, die in Guangdong, China, hergestellt werden.die zusätzliche Wärmeableitung und Hochspannungs-/Ultrahochspannungsspannung bietenReasunos-Produkte werden in verschiedenen Anwendungen wie Smart-Meter, Schrankenstromversorgung, industrielle Schaltstromversorgung und elektrische Stromversorgung eingesetzt.
Reasunos Hochspannungs-MOSFET-Produkte werden in staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen geliefert, die in einer Kartonschachtel in Karton verpackt sind.und die Zahlungen erfolgen über 100% T/T im Voraus ((EXW)Reasunos stellt 5KK/Monat Lieferfähigkeit für ihre Hochspannungs-MOSFET-Produkte zur Verfügung.
Unterstützung und Dienstleistungen:
Wir bieten technische Unterstützung und Service für unsere Hochspannungs-MOSFET-Produkte.Unsere sehr erfahrenen technischen Mitarbeiter stehen Ihnen bei allen technischen Fragen zu unseren Produkten zur Verfügung..
Wir bieten umfassende technische Unterstützung und Service für unsere Hochspannungs-MOSFET-Produkte.Unser engagiertes Team von Ingenieuren steht Ihnen zur Verfügung, um Ihnen technische Unterstützung und Beratung zu allen Aspekten unserer Produkte zu geben..
Darüber hinaus bieten wir eine Reihe von Dienstleistungen an, darunter kundenspezifische Gestaltung und Entwicklung, Systemintegration, Produktprüfung und -validierung sowie Kundendienst.
Wenn Sie Fragen haben oder unsere Hochspannungs-MOSFET-Produkte ausführlicher besprechen möchten, zögern Sie bitte nicht, uns zu kontaktieren.
Verpackung und Versand:
Verpackung und Versand von Hochspannungs-MOSFET:
Hochspannungs-MOSFETs müssen sorgfältig verpackt und versandt werden, um sicherzustellen, dass sie während des Transports in unberührtem Zustand bleiben.Die MOSFETs sollten in einen statisch freien, mit Schaum gepolsterten Behälter gebracht werdenDer Behälter sollte mit einem starken Verpackungsteppi verschlossen und mit dem Inhalt gekennzeichnet sein.
Die Verpackung sollte dann in Blasenfolie eingewickelt und in eine starke Kartonbox gelegt werden, die mit starkem Klebeband verschlossen und mit dem Inhalt versehen ist.Es sollte auch klar gekennzeichnet sein, dass es Elektronik enthält., sowie etwaige Warnetiketten, die vom Reedereiunternehmen angefordert werden können.
Schließlich sollte das Paket zur Lieferung an einen Versandunternehmen wie UPS, FedEx oder USPS gebracht werden.
Häufige Fragen:
- F: Wie heißt der Hochspannungs-MOSFET?
A: Der Markenname des Hochspannungs-MOSFET ist REASUNOS. - F: Wo wird das Hochspannungs-MOSFET hergestellt?
A: Das Hochspannungs-MOSFET wird in Guangdong, China, hergestellt. - F: Wie hoch ist der Preis für das Hochspannungs-MOSFET?
A: Der Preis des Hochspannungs-MOSFET wird je nach Produkt bestätigt. - F: Wie ist das Hochspannungs-MOSFET verpackt?
A: Das Hochspannungs-MOSFET wird in staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen verpackt und in Kartons in einem Karton verpackt. - F: Wie lange dauert die Lieferung des Hochspannungs-MOSFET?
A: Die Lieferzeit hängt von der Gesamtmenge der Bestellung ab. Im Allgemeinen dauert es 2-30 Tage. - F: Welche Zahlungsbedingungen akzeptieren Sie?
A: Wir akzeptieren 100% T/T im Voraus (EXW). - F: Welche Versorgungsfähigkeit hat das Hochspannungs-MOSFET?
A: Die Versorgungsfähigkeit des Hochspannungs-MOSFET beträgt 5KK/Monat.