Wytrzymały Inwerter Transistor wysokiego napięcia, Wielofunkcyjny Kanał N Mosfet
Miejsce pochodzenia | Guangdong, CN |
---|---|
Nazwa handlowa | REASUNOS |
Cena | Confirm price based on product |
Szczegóły pakowania | Pyłoszczelne, wodoodporne i antystatyczne opakowania rurowe, umieszczane wewnątrz kartonu w kartonac |
Czas dostawy | 2-30 dni (w zależności od całkowitej ilości) |
Zasady płatności | 100% T/T z góry (EXW) |
Możliwość Supply | 5KK/miesiąc |

Skontaktuj się ze mną, aby otrzymać bezpłatne próbki i kupony.
WhatsApp:0086 18588475571
czat: 0086 18588475571
Skype'a: sales10@aixton.com
W razie jakichkolwiek wątpliwości zapewniamy całodobową pomoc online.
xPrzeciek | Niski wyciek może osiągnąć mniej niż 1 µA | Napięcie znamionowe | Wysokie napięcie/bardzo wysokie napięcie |
---|---|---|---|
Zastosowanie MOSFET o ultrawysokim napięciu | Inteligentny licznik, zasilacz szafkowy, przemysłowy zasilacz impulsowy, system zasilania elektryczn | Wbudowana aplikacja FRD HV MOSFET | Seria silników, falownik, zastosowania obwodów półmostkowych/pełnych mostków itp. |
Rodzaj | N | Nazwa produktu | MOSFET wysokiego napięcia |
Rozpraszanie ciepła | Świetne odprowadzanie ciepła | Zalety | Nowa technologia dopingu bocznego, specjalna struktura MOS Power, doskonałe właściwości w wysokiej t |
Podkreślić | Trwały tranzystor wysokiego napięcia,Inwerter Transistor wysokiego napięcia,Wielofunkcyjny kanał N Mosfet |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | Diode Trr(nS) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1 | RSF38N30F | N | 38 | 300 | 0.09 | 0.11 | TO-220F | 1000 | 80 | |
2 | RSF45N50W | N | 45 | 500 | 0.1 | 0.125 | TO-247 | 600 | 95 | |
3 | RSF5N50D | N | 5 | 500 | 1.5 | 1.85 | TO-252 | 2500 | 61 | |
4 | RSF7N50D | N | 7 | 500 | 1.1 | 1.5 | TO-252 | 2500 | 100 | |
5 | RSF3N60D | N | 3 | 600 | 2.8 | 3.4 | TO-252 | 2500 | 55 | |
6 | RSF4N60D | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | 60 | |
7 | RSF4N60F | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | 60 | |
8 | RS2N65D | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
9 | RS2N65F | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
10 | RS4N65D | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
11 | RS4N65MD | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
12 | RS4N65F | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
13 | RS5N65D | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-252 | 2500 | -- | |
14 | RS5N65F | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-220F | 1000 | -- | |
15 | RS6N65D | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-252 | 2500 | -- | |
16 | RS6N60F | N | 6 | 600 | 1 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
17 | RS6N65F | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
18 | RS7N65D | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
19 | RS7N65MD | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
20 | RS7N65F | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
21 | RS8N60F | N | 8 | 600 | 0.75 | 0.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
22 | RS8N65F | N | 8 | 650 | 0.95 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
23 | RS10N65D | N | 10 | 650 | 0.93 | 1.05 | TO-252 | 2500 | -- | |
24 | RS10N65F | N | 10 | 650 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
25 | RS10N60F | N | 10 | 600 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
26 | RS12N65F | N | 12 | 650 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
27 | RS12N60F | N | 12 | 600 | 0.5 | 0.62 | TO-220F | 1000 | -- | |
28 | RS13N65F | N | 13 | 650 | 0.52 | 0.65 | TO-220F | 1000 | -- | |
29 | RS16N65F | N | 16 | 650 | 0.45 | 0.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
30 | RS20N65F | N | 20 | 650 | 0.35 | 0.45 | TO-220F | 1000 | -- | |
31 | RS5N50D | N | 5 | 500 | 1.25 | 1.45 | TO-252 | 2500 | -- | |
32 | RS6N50D | N | 6 | 500 | 1.2 | 1.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
33 | RS9N50D | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-252 | 2500 | -- | |
34 | RS9N50F | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
35 | RS10N50F | N | 10 | 500 | 0.66 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
36 | RS11N50F | N | 11 | 500 | 0.48 | 0.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
37 | RS13N50F | N | 13 | 500 | 0.39 | 0.46 | TO-220F | 1000 | -- | |
38 | RS15N50F | N | 15 | 500 | 0.35 | 0.42 | TO-220F | 1000 | -- | |
39 | RS18N50F | N | 18 | 500 | 0.28 | 0.34 | TO-220F | 1000 | -- | |
40 | RS20N50F | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-220F | 1000 | -- | |
41 | RS20N50W | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-247-3 | 600 | -- | |
42 | RS25N50F | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-220F | 1000 | -- | |
43 | RS25N50W | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-247-3 | 600 | -- | |
44 | RS28N50W | N | 28 | 500 | 0.14 | 0.18 | TO-247-3 | 600 | -- | |
45 | RS30N50W | N | 30 | 500 | 0.085 | 0.12 | TO-247-3 | 600 | -- | |
46 | RS4N80F | N | 4 | 800 | 3.2 | 3.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
47 | RS8N80F | N | 8 | 800 | 1.35 | 1.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
48 | RS10N80F | N | 10 | 800 | 1 | 1.2 | TO-220F | 1000 | -- | |
49 | RS3N90MD | N | 3 | 900 | 4 | 4.8 | TO-251 | 4000 | -- | |
50 | RS4N90D | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
51 | RS4N90F | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
52 | RS6N90F | N | 6 | 900 | 1.7 | 2.05 | TO-220F | 1000 | -- | |
53 | RS9N90F | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
54 | RS9N90PF | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-3PF | 300 | -- | |
55 | RS2N100D | N | 2 | 1000 | 6 | 7.2 | TO-252 | 2500 | -- | |
56 | RSE3N100F | N | 3 | 1000 | 4.6 | 5.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
57 | RS6N100F | N | 6 | 1000 | 1.2 | 1.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
58 | RS2N120D | N | 2 | 1200 | 10.5 | 12.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
59 | RS3N120D | N | 3 | 1200 | 7.3 | 8.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
60 | RS6N120T | N | 6 | 1200 | 2.1 | 2.5 | TO-220 | 1000 | -- | |
61 | RS3N150F | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
62 | RS3N150PF | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-3PF | 300 | -- | |
63 | RS3N150W | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO247-3 | 600 | -- |
Opis produktu:
Wbudowany FRD HV MOSFET jest mosfetem mocy wysokiego napięcia z zastosowaniem ultrawysokiego napięcia, niskim oporem, dużym rozpraszaniem ciepła i niskim wyciekiem, który może osiągnąć mniej niż 1 μA.Jest szeroko stosowany w inteligentnych licznikach, zasilanie gabinetu, zasilanie przemysłowe, system zasilania elektrycznego itp. Zapewnia doskonałą wydajność w sterowaniu i przełączaniu mocy wysokiego napięcia.Wyroby z tworzyw sztucznych, może znacznie zmniejszyć ryzyko uszkodzeń spowodowanych nad napięciem i zapewnić niezawodną pracę w najbardziej ekstremalnych warunkach.Jego duże rozpraszanie ciepła i niskie wycieki mogą zapewnić, że wszystkie komponenty i obwody mogą pracować stabilnie i bezpiecznie.
Parametry techniczne:
Nazwa produktu | MOSFET wysokonapięciowy |
---|---|
Rodzaj | N |
Zastosowanie HV Mosfet | Kierownicę LED, adaptery, przemysłowe zasilanie przenośne, inwertery itp. |
Wyciek | Niski poziom przecieku może osiągnąć mniej niż 1 μA |
Technologia | MOSFET |
Zalety | Nowa technologia dopingu zmiennego, specjalna struktura MOS, doskonałe właściwości w wysokich temperaturach. |
Odporność | Niski opór |
Wbudowana aplikacja FRD HV MOSFET | Seria silników, Inwerter, Aplikacje pół mostów/pełnych mostów, itp. |
Zastosowanie MOSFET Ultra-HV | Inteligentny licznik, zasilanie gabinetu, zasilanie przemysłowe, system zasilania elektrycznego itp. |
Rozpraszanie ciepła | Duże rozpraszanie ciepła |
Zastosowanie:
Reasunos jest marką produktów wysokonapięciowych MOSFET, które są produkowane w Guangdong w Chinach.zapewnienie dodatkowego rozpraszania ciepła i wysokiego/ultrawysokiego napięciaProdukty Reasunos są szeroko stosowane w różnych zastosowaniach, takich jak inteligentny licznik, zasilanie gabinetu, przemysłowe zasilanie przełącznikowe i system zasilania elektrycznego.
Produkty Reasunos wysokonapięciowe MOSFET są dostarczane w opakowaniach rurowych, wodoodpornych i antystatycznych, umieszczonych w kartonowych pudełkach.i płatności są dokonywane za pośrednictwem 100% T/T z góry ((EXW)Reasunos zapewnia 5KK/miesięczny zasilacz dla swoich produktów wysokonapięciowych MOSFET.
Wsparcie i usługi:
Zapewniamy wsparcie techniczne i serwis dla naszych produktów wysokonapięciowych MOSFET.Nasz bardzo doświadczony personel techniczny jest do dyspozycji, aby pomóc w wszelkich technicznych pytań, które mogą mieć w odniesieniu do naszych produktów.
Oferujemy kompleksowe wsparcie techniczne i usługi dla naszych produktów wysokonapięciowych MOSFET.Nasz dedykowany zespół inżynierów jest dostępny, aby zapewnić pomoc techniczną i doradztwo w każdym aspekcie naszych produktów.
Zapewniamy również szereg usług, w tym niestandardowe projektowanie i rozwój, integrację systemów, testowanie i walidację produktów oraz wsparcie posprzedażne.
Jeśli masz jakiekolwiek pytania lub chcesz omówić nasze produkty wysokonapięciowe MOSFET bardziej szczegółowo, nie wahaj się skontaktować z nami.
Opakowanie i wysyłka:
Opakowanie i wysyłka MOSFETów wysokonapięciowych:
MOSFETy wysokonapięciowe muszą być pakowane i wysyłane ostrożnie, aby zapewnić, że pozostają w stanie nienaruszonym podczas transportu.MOSFET należy umieszczać w statycznym pojemniku wypełnionym pianąPojemnik powinien być zamknięty mocną taśmą opakowaniową i oznaczony zawartością.
Następnie opakowanie należy owinąć w folio i umieścić w silnym pudełku z tektury, które należy zamknąć silną taśmą taśmową i oznaczyć zawartością.Należy również jasno oznaczyć, że zawiera elektroniczne urządzenia, a także wszelkich etykiet ostrzegawczych, które mogą być wymagane przez przewoźnika.
Wreszcie paczkę należy zabrać do przewoźnika, takiego jak UPS, FedEx lub USPS, w celu jej dostarczenia.
Częste pytania:
- P: Jaka jest nazwa marki wysokonapięciowego MOSFET?
A: Nazwa handlowa wysokonapięciowego MOSFET to REASUNOS. - P: Gdzie produkowany jest wysokonapięciowy MOSFET?
A: MOSFET wysokiego napięcia jest produkowany w Guangdong w Chinach. - P: Jaka jest cena wysokonapięciowego MOSFET?
O: Cena wysokonapięciowego MOSFET zostanie potwierdzona w zależności od produktu. - P: Jak pakowany jest wysokonapięciowy MOSFET?
Odpowiedź: MOSFET wysokiego napięcia jest pakowany w nieprzepuszczalny, wodoodporny i antystatyczny opakowanie rurowe, umieszczone w kartonowym pudełku w kartonach. - P: Ile czasu zajmie dostarczenie wysokonapięciowego MOSFET?
A: Czas dostawy zależy od całkowitej ilości zamówienia. - P: Jakie warunki płatności akceptujecie?
A: Akceptujemy 100% T/T z góry (EXW). - P: Jaka jest zdolność zasilania wysokonapięciowego MOSFET?
Odpowiedź: Zdolność dostawy wysokonapięciowego MOSFET wynosi 5KK/miesiąc.