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Praktische Hochspannungs-MOSFET-Wärmedimmer 300V-1500V für Halbbrücke
| Herkunftsort | Guangdong, KN |
|---|---|
| Markenname | REASUNOS |
| Preis | Confirm price based on product |
| Verpackung Informationen | Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons |
| Lieferzeit | 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge) |
| Zahlungsbedingungen | 100% T/T im Voraus (EXW) |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit | 5KK/Monat |
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xProduktdetails
| Vorteile | Neue seitliche variable lackierende Technologie, spezielle Energie MOS Structure, ausgezeichnete Eig | Anwendung MOSFET-Ultra-Hochspg | Intelligentes Meter, Kabinett-Stromversorgung, industrielles Schaltnetzteil, System der elektrischen |
|---|---|---|---|
| Technologie | MOSFET | Hochspg Mosfet-Anwendung | LED-Fahrer, Adapter, industrielles Schaltnetzteil, Inverter usw. |
| Wärmeableitung | Große Wärmeableitung | Nennspannung | Hochspannungs-/Ultrahochspannung |
| Eingebettete FRD Hochspg MOSFET-Anwendung | Bewegungs-Reihe, Inverter, Halbbrücke-/Vollbrückenschaltung Anwendungen, etc. | Leckage | Niedriges Durchsickern kann weniger als 1 µ A erreichen |
| Hervorheben | Praktische Hochspannungs-MOSFET,Hochspannungs-MOSFET,Halbbrücke Mosfet Hochspannung |
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| No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | Diode Trr(nS) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | RSF38N30F | N | 38 | 300 | 0.09 | 0.11 | TO-220F | 1000 | 80 | |
| 2 | RSF45N50W | N | 45 | 500 | 0.1 | 0.125 | TO-247 | 600 | 95 | |
| 3 | RSF5N50D | N | 5 | 500 | 1.5 | 1.85 | TO-252 | 2500 | 61 | |
| 4 | RSF7N50D | N | 7 | 500 | 1.1 | 1.5 | TO-252 | 2500 | 100 | |
| 5 | RSF3N60D | N | 3 | 600 | 2.8 | 3.4 | TO-252 | 2500 | 55 | |
| 6 | RSF4N60D | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | 60 | |
| 7 | RSF4N60F | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | 60 | |
| 8 | RS2N65D | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 9 | RS2N65F | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 10 | RS4N65D | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 11 | RS4N65MD | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 12 | RS4N65F | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 13 | RS5N65D | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 14 | RS5N65F | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 15 | RS6N65D | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 16 | RS6N60F | N | 6 | 600 | 1 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 17 | RS6N65F | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 18 | RS7N65D | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 19 | RS7N65MD | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 20 | RS7N65F | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 21 | RS8N60F | N | 8 | 600 | 0.75 | 0.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 22 | RS8N65F | N | 8 | 650 | 0.95 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 23 | RS10N65D | N | 10 | 650 | 0.93 | 1.05 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 24 | RS10N65F | N | 10 | 650 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 25 | RS10N60F | N | 10 | 600 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 26 | RS12N65F | N | 12 | 650 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 27 | RS12N60F | N | 12 | 600 | 0.5 | 0.62 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 28 | RS13N65F | N | 13 | 650 | 0.52 | 0.65 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 29 | RS16N65F | N | 16 | 650 | 0.45 | 0.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 30 | RS20N65F | N | 20 | 650 | 0.35 | 0.45 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 31 | RS5N50D | N | 5 | 500 | 1.25 | 1.45 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 32 | RS6N50D | N | 6 | 500 | 1.2 | 1.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 33 | RS9N50D | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 34 | RS9N50F | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 35 | RS10N50F | N | 10 | 500 | 0.66 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 36 | RS11N50F | N | 11 | 500 | 0.48 | 0.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 37 | RS13N50F | N | 13 | 500 | 0.39 | 0.46 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 38 | RS15N50F | N | 15 | 500 | 0.35 | 0.42 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 39 | RS18N50F | N | 18 | 500 | 0.28 | 0.34 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 40 | RS20N50F | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 41 | RS20N50W | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 42 | RS25N50F | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 43 | RS25N50W | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 44 | RS28N50W | N | 28 | 500 | 0.14 | 0.18 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 45 | RS30N50W | N | 30 | 500 | 0.085 | 0.12 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 46 | RS4N80F | N | 4 | 800 | 3.2 | 3.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 47 | RS8N80F | N | 8 | 800 | 1.35 | 1.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 48 | RS10N80F | N | 10 | 800 | 1 | 1.2 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 49 | RS3N90MD | N | 3 | 900 | 4 | 4.8 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 50 | RS4N90D | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 51 | RS4N90F | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 52 | RS6N90F | N | 6 | 900 | 1.7 | 2.05 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 53 | RS9N90F | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 54 | RS9N90PF | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-3PF | 300 | -- | |
| 55 | RS2N100D | N | 2 | 1000 | 6 | 7.2 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 56 | RSE3N100F | N | 3 | 1000 | 4.6 | 5.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 57 | RS6N100F | N | 6 | 1000 | 1.2 | 1.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 58 | RS2N120D | N | 2 | 1200 | 10.5 | 12.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 59 | RS3N120D | N | 3 | 1200 | 7.3 | 8.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 60 | RS6N120T | N | 6 | 1200 | 2.1 | 2.5 | TO-220 | 1000 | -- | |
| 61 | RS3N150F | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 62 | RS3N150PF | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-3PF | 300 | -- | |
| 63 | RS3N150W | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO247-3 | 600 | -- |
Produkt-Beschreibung
Hochspannungs-MOSFET für Half-Bridge-/Full-Bridge-Schaltkreis-Anwendungen
Beschreibung des Produkts:
Das Hochspannungs-MOSFET ist ein neues Leistungs-MOSFET mit seitlicher variabler Dopingtechnologie, das für Motoren, Wechselrichter, Half-Bridge-/Full-Bridge-Schaltkreis-Anwendungen usw. entwickelt wurde.Es weist hervorragende Eigenschaften bei hohen Temperaturen auf und bietet einen extrem niedrigen AnsprechwiderstandDiese Art von MOSFET ist mit einer speziellen Leistungs-MOS-Struktur mit Hochspannungsfähigkeit ausgelegt, die in der Lage ist, Hochspannungsbedingungen zu bewältigen und eine zuverlässige Leistung zu bieten.Es ist ein zuverlässiges und effizientes Stromversorgungsgerät mit überlegener Leistung und hoher Temperaturbeständigkeit, das sich ideal für Hochspannungsanwendungen eignet.
Das Hochspannungs-MOSFET ist ein zuverlässiges und effizientes Stromversorgungsgerät, das bei hohen Temperaturen eine überlegene Leistung bietet.mit einer Leistung von mehr als 100 W, Wechselrichter, Halbbrücken-/Vollbrücken-Schaltkreis-Anwendungen usw. Die seitliche variable Dopingtechnologie gewährleistet einen geringen Einsatzwiderstand und ausgezeichnete Eigenschaften bei hohen Temperaturen.
Hochspannungsleistung MOSFET ist die ideale Wahl für Anwendungen, die hohe Spannung und hohe Temperaturwiderstand erfordern.Es ist mit einer speziellen Leistung MOS-Struktur ausgelegt und verwendet seitliche variable Doping-Technologie, um niedrigen Aufstand und ausgezeichnete Eigenschaften bei hohen TemperaturenDiese Art von MOSFET ist ideal für Motorenreihen, Wechselrichter, Halbbrücken-/Fullbrücken-Schaltkreis-Anwendungen usw. geeignet.
Technische Parameter:
| Produktbezeichnung | Hochspannungs-MOSFET |
|---|---|
| Typ | N |
| Technologie | MOSFET |
| Anwendung von Ultra-HV-MOSFET | Smart Meter, Kabinettstromversorgung, industrielle Schaltanlage, elektrische Stromversorgung usw. |
| Anwendung von HV Mosfet | LED-Treiber, Adapter, industrielle Schaltanlage, Wechselrichter usw. |
| Eingebettete FRD HV MOSFET-Anwendung | Motorreihe, Wechselrichter, Halbbrücken-/Vollbrücken-Schaltkreis-Anwendungen usw. |
| Vorteile | Neue Technologie für das doppende Abwechslungsmittel, spezielle MOS-Struktur, ausgezeichnete Eigenschaften bei hohen Temperaturen. |
| Wärmeabbau | Große Wärmeverteilung |
| Widerstand | Niedriger Einsatzwiderstand |
| Leckage | Niedrige Leckage kann weniger als 1 μ A erreichen |
Anwendungen:
REASUNOS High Voltage MOSFET, High Voltage Power Mosfet und High Voltage MOS-Gate Transistor werden in Guangdong, CN, hergestellt. Jedes Produkt ist staub-, wasser- und antistatisch verpackt,und wird in einem Karton in Kartons gelegtDie Lieferzeit beträgt 2-30 Tage, abhängig von der Gesamtmenge, und die Zahlungsbedingungen sind 100% T/T im Voraus (EXW).KabinettstromversorgungDie Vorteile des Produkts sind neue Lateralvariable Doping Technologie, spezielle Power MOS Struktur,und ausgezeichnete Eigenschaften bei hohen TemperaturenEs hat auch einen geringen Widerstand.
Unterstützung und Dienstleistungen:
Technische Unterstützung und Service von Hochspannungs-MOSFET
Unser Team von Ingenieuren ist hier, um Ihnen technische Unterstützung und Dienstleistungen für alle Ihre Hochspannungs-MOSFET-Bedürfnisse zu bieten.Unser Team ist bereit, alle Fragen zu beantworten., bei der Installation und Wartung Ihres Produkts unterstützen und dafür sorgen, dass Ihr Produkt optimal funktioniert.
Wir bieten auch eine umfassende Garantie für alle unsere Hochspannungs-MOSFET-Produkte an.Unsere Garantien bieten Schutz vor Herstellungsfehlern und stellen sicher, dass Ihr Produkt ordnungsgemäß und sicher arbeitetWenn Sie Probleme mit Ihrem Produkt haben, sind wir hier, um Ihnen zu helfen.
Verpackung und Versand:
Verpackung und Versand von Hochspannungs-MOSFET
Das Hochspannungs-MOSFET wird sicher in einer antistatischen, stoßsicheren Verpackung verpackt, die mit dem Produktnamen und Warnzeichen versehen ist.Es werden sorgfältige Maßnahmen ergriffen, um sicherzustellen, dass das MOSFET während der Beförderung nicht beschädigt wird..
Das Hochspannungs-MOSFET wird über einen zuverlässigen Kurierdienst versandt.Kunden erhalten eine Benachrichtigung mit den Informationen zur Verfolgung..
Häufige Fragen:
Frage und Antwort für REASUNOS Hochspannungs-MOSFET
- F1: Wie heißt der Markenname von REASUNOS Hochspannungs-MOSFET?
- A1: Die Marke ist REASUNOS.
- F2: Wo ist der Ursprungsort von REASUNOS Hochspannungs-MOSFET?
- A2: Herkunftsort ist Guangdong, CN.
- F3: Wie hoch ist der Preis von REASUNOS Hochspannungs-MOSFET?
- A3: Der Preis von REASUNOS Hochspannungs-MOSFET ist Preis basierend auf dem Produkt bestätigen.
- F4: Wie ist die Verpackung von REASUNOS Hochspannungs-MOSFET?
- A4: Die Verpackungsdetails von REASUNOS High Voltage MOSFET ist eine staub-, wasserdichte und antistatische Rohrverpackung, die in einem Karton in Karton verpackt ist.
- F5: Wie lange dauert die Lieferzeit von REASUNOS Hochspannungs-MOSFET?
- A5: Die Lieferzeit von REASUNOS Hochspannungs-MOSFET beträgt 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge).
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