جميع المنتجات
التوتر العالي العملي MOSFET مقاوم للحرارة 300V-1500V لنصف الجسر
| مكان المنشأ | قوانغدونغ ، CN |
|---|---|
| اسم العلامة التجارية | REASUNOS |
| الأسعار | Confirm price based on product |
| تفاصيل التغليف | عبوات أنبوبية مقاومة للغبار والماء ومضادة للكهرباء الساكنة، موضوعة داخل صندوق من الورق المقوى في علب |
| وقت التسليم | 2-30 يومًا (يعتمد على الكمية الإجمالية) |
| شروط الدفع | 100% T/T مقدمًا (EXW) |
| القدرة على العرض | 5 مليون/شهر |
اتصل بي للحصول على عينات مجانية وكوبونات.
ال WhatsApp:0086 18588475571
wechat: 0086 18588475571
سكايب: sales10@aixton.com
إذا كان لديك أي قلق ، فنحن نقدم مساعدة عبر الإنترنت على مدار 24 ساعة.
xتفاصيل المنتج
| مزايا | تقنية المنشطات الجانبية المتغيرة الجديدة، وهيكل MOS ذو القدرة الخاصة، وخصائص ممتازة في درجات الحرارة | تطبيق MOSFET فائق الجهد | العداد الذكي، مصدر طاقة الخزانة، مصدر طاقة التحويل الصناعي، نظام الطاقة الكهربائية، إلخ. |
|---|---|---|---|
| تكنولوجيا | موسفيت | تطبيق HV Mosfet | سائق LED، محولات، تحويل التيار الكهربائي الصناعي، العاكسون الخ |
| التشتت الحراري | تبديد الحرارة الكبير | القوة الكهربائية | الجهد العالي/الجهد العالي للغاية |
| جزءا لا يتجزأ من تطبيق FRD HV MOSFET | سلسلة المحركات، العاكس، تطبيقات دائرة نصف الجسر/الجسر الكامل، إلخ. | تسرب | يمكن أن يصل التسرب المنخفض إلى أقل من 1 ميكرو أمبير |
| إبراز | MOSFET عالي الجهد العملي,MOSFET عالية الجهد مقاوم للحرارة,نصف الجسر الموسفيت الجهد العالي,High Voltage MOSFET Heatproof,Half Bridge Mosfet High Voltage |
||
يمكنك تحديد المنتجات التي تحتاجها والتواصل معنا في لوحة الرسائل.
| No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | Diode Trr(nS) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | RSF38N30F | N | 38 | 300 | 0.09 | 0.11 | TO-220F | 1000 | 80 | |
| 2 | RSF45N50W | N | 45 | 500 | 0.1 | 0.125 | TO-247 | 600 | 95 | |
| 3 | RSF5N50D | N | 5 | 500 | 1.5 | 1.85 | TO-252 | 2500 | 61 | |
| 4 | RSF7N50D | N | 7 | 500 | 1.1 | 1.5 | TO-252 | 2500 | 100 | |
| 5 | RSF3N60D | N | 3 | 600 | 2.8 | 3.4 | TO-252 | 2500 | 55 | |
| 6 | RSF4N60D | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | 60 | |
| 7 | RSF4N60F | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | 60 | |
| 8 | RS2N65D | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 9 | RS2N65F | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 10 | RS4N65D | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 11 | RS4N65MD | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 12 | RS4N65F | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 13 | RS5N65D | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 14 | RS5N65F | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 15 | RS6N65D | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 16 | RS6N60F | N | 6 | 600 | 1 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 17 | RS6N65F | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 18 | RS7N65D | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 19 | RS7N65MD | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 20 | RS7N65F | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 21 | RS8N60F | N | 8 | 600 | 0.75 | 0.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 22 | RS8N65F | N | 8 | 650 | 0.95 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 23 | RS10N65D | N | 10 | 650 | 0.93 | 1.05 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 24 | RS10N65F | N | 10 | 650 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 25 | RS10N60F | N | 10 | 600 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 26 | RS12N65F | N | 12 | 650 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 27 | RS12N60F | N | 12 | 600 | 0.5 | 0.62 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 28 | RS13N65F | N | 13 | 650 | 0.52 | 0.65 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 29 | RS16N65F | N | 16 | 650 | 0.45 | 0.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 30 | RS20N65F | N | 20 | 650 | 0.35 | 0.45 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 31 | RS5N50D | N | 5 | 500 | 1.25 | 1.45 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 32 | RS6N50D | N | 6 | 500 | 1.2 | 1.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 33 | RS9N50D | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 34 | RS9N50F | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 35 | RS10N50F | N | 10 | 500 | 0.66 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 36 | RS11N50F | N | 11 | 500 | 0.48 | 0.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 37 | RS13N50F | N | 13 | 500 | 0.39 | 0.46 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 38 | RS15N50F | N | 15 | 500 | 0.35 | 0.42 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 39 | RS18N50F | N | 18 | 500 | 0.28 | 0.34 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 40 | RS20N50F | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 41 | RS20N50W | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 42 | RS25N50F | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 43 | RS25N50W | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 44 | RS28N50W | N | 28 | 500 | 0.14 | 0.18 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 45 | RS30N50W | N | 30 | 500 | 0.085 | 0.12 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 46 | RS4N80F | N | 4 | 800 | 3.2 | 3.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 47 | RS8N80F | N | 8 | 800 | 1.35 | 1.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 48 | RS10N80F | N | 10 | 800 | 1 | 1.2 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 49 | RS3N90MD | N | 3 | 900 | 4 | 4.8 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 50 | RS4N90D | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 51 | RS4N90F | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 52 | RS6N90F | N | 6 | 900 | 1.7 | 2.05 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 53 | RS9N90F | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 54 | RS9N90PF | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-3PF | 300 | -- | |
| 55 | RS2N100D | N | 2 | 1000 | 6 | 7.2 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 56 | RSE3N100F | N | 3 | 1000 | 4.6 | 5.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 57 | RS6N100F | N | 6 | 1000 | 1.2 | 1.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 58 | RS2N120D | N | 2 | 1200 | 10.5 | 12.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 59 | RS3N120D | N | 3 | 1200 | 7.3 | 8.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 60 | RS6N120T | N | 6 | 1200 | 2.1 | 2.5 | TO-220 | 1000 | -- | |
| 61 | RS3N150F | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 62 | RS3N150PF | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-3PF | 300 | -- | |
| 63 | RS3N150W | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO247-3 | 600 | -- |
منتوج وصف
MOSFET عالي الجهد لتطبيقات نصف الجسر / دائرة الجسر الكاملة تقنية FRD المدمجة
وصف المنتج:
MOSFET عالية الجهد هو MOSFET جديد لتكنولوجيا التنفس المتغير الجانبي مصمم لسلسلة المحركات ، والعاكس ، وتطبيقات الدائرة نصف الجسر / الجسر الكامل ، إلخ.لديها خصائص ممتازة في درجة حرارة عالية وتوفر مقاومة منخفضة للغايةتم تصميم هذا النوع من MOSFET مع هيكل MOS خاص للطاقة مع قدرة الجهد العالي القادر على التعامل مع ظروف الجهد العالي وتوفير أداء موثوق به.هو جهاز طاقة موثوق بكفاءة مع أداء متفوق ومقاومة درجات الحرارة العالية التي هي مثالية لتطبيقات الجهد العالي.
الجهد العالي MOSFET هو جهاز طاقة موثوق بكفاءة يقدم أداءً متفوقًا في ظروف درجة حرارة عالية. وهو مناسب لمجموعة واسعة من التطبيقات التي تتطلب جهدًا مرتفعًا ،مثل سلسلة السيارات، عاكس، نصف الجسر / كامل الجسر تطبيقات الدائرة، الخ تقنيات الدوبينغ المتغيرة الجانبية تضمن مقاومة منخفضة وخصائص ممتازة في درجة حرارة عالية.
طاقة الجهد العالي MOSFET هو الخيار المثالي للتطبيقات التي تتطلب مقاومة الجهد العالي ودرجة الحرارة العالية.تم تصميمه مع بنية MOS خاصة للطاقة ويستخدم تقنية الدوبينغ المتغيرة الجانبية لتوفير مقاومة منخفضة وخصائص ممتازة في درجات الحرارة العاليةهذا النوع من MOSFET مثالي لسلسلة المحركات، والمعدل، نصف الجسر / كامل الجسر تطبيقات الدائرة، الخ
المعلمات التقنية:
| اسم المنتج | MOSFET عالية الجهد |
|---|---|
| النوع | ن |
| التكنولوجيا | MOSFET |
| تطبيق MOSFET فوق الصوتي | العدادات الذكية ، إمدادات الطاقة للخزانة ، إمدادات الطاقة الصناعية ، نظام الطاقة الكهربائية ، الخ. |
| تطبيق HV Mosfet | محركات LED ، المكيفات ، مصدر الطاقة الصناعي ، المحولات ، الخ |
| تطبيق FRD HV MOSFET المدمج | سلسلة المحركات ، المحولات ، نصف الجسر / تطبيقات الدوائر الكاملة ، الخ. |
| المزايا | تكنولوجيا الدوبينج المتغيرة الجانبية الجديدة، هيكل MOS خاص القوة، خصائص ممتازة في درجات الحرارة العالية. |
| تبديد الحرارة | تبديد الحرارة الكبير |
| المقاومة | المقاومة المنخفضة |
| تسرب | تسرب منخفض يمكن أن يصل إلى أقل من 1 ميكرو أيه |
التطبيقات:
يتم إنتاج REASUNOS High Voltage MOSFET ، High Voltage Power mosfet ، و High Voltage MOS-Gate Transistor في قوانغدونغ ، CN. كل منتج لديه عبوة مضادة للغبار والماء ومضادة للثبات ،ويتم وضعه داخل صندوق من الورق المقوى في علب الكرتون. وقت التسليم هو 2-30 يوماً اعتماداً على الكمية الإجمالية ، وشروط الدفع هي 100٪ T / T مقدماً (EXW). قدرة التوريد هي 5KK / الشهر. النوع هو N ، وهو مناسب لمتر الذكي ،إمدادات الطاقة للخزانة، التبديل الصناعي إمدادات الطاقة، نظام الطاقة الكهربائية، الخ المزايا المنتج هي تكنولوجيا الدوبينج المتغير الجانبي الجديدة، خاصة الطاقة هيكل MOS،و خصائص ممتازة في درجات الحرارة العاليةكما أن المقاومة منخفضة
الدعم والخدمات:
الدعم التقني وخدمة MOSFET عالية الجهد
فريقنا من المهندسين هنا لتوفير الدعم التقني والخدمات لجميع احتياجات MOSFET عالية الجهد. نحن نقدم المشورة الخبيرة، وإصلاح الأخطاء، والإصلاحات في الوقت المناسب وبشكل فعال.فريقنا متاح للإجابة على أي أسئلة لديك، تقديم المساعدة في تركيب المنتج وصيانته، والمساعدة في ضمان تشغيل المنتج بشكل مثالي.
نحن نقدم أيضاً ضماناً شاملاً يغطي جميع منتجاتنا من الجهد العالي.ضماناتنا توفر الحماية من عيوب التصنيع وتضمن أن منتجك يعمل بشكل صحيح وآمنإذا كان لديك أي مشاكل مع منتجك، نحن هنا لمساعدتك. فريقنا من الفنيين مكرس لتزويدك بأفضل خدمة ممكنة للعملاء.
التعبئة والشحن:
التعبئة والشحن لـ MOSFET عالي الجهد
سيتم تعبئة MOSFET عالية الجهد بأمان في صندوق مضاد للصدمات والصدمات. سيتم وضع اسم المنتج وعلامات تحذير على الصندوق.سيتم اتخاذ تدابير دقيقة لضمان عدم تلف MOSFET أثناء الشحن.
سيتم شحن الجهد العالي من خلال خدمة رسالة موثوقة سيتم تتبع جميع الطلبات والتأمينسيتلقى العملاء إشعارًا بمعلومات التتبع.
الأسئلة الشائعة:
أسئلة وأجوبة لـ REASUNOS High Voltage MOSFET
- س1: ما هو اسم العلامة التجارية لموسفيت الجهد العالي REASUNOS؟
- الإجابة: اسم العلامة التجارية هو REASUNOS.
- س2: أين هو مكان المنشأ من REASUNOS MOSFET عالية الجهد؟
- ج2: مكان المنشأ هو غوانغدونغ، CN.
- س3: ما هو سعر REASUNOS High Voltage MOSFET؟
- ج3: سعر REASUNOS High Voltage MOSFET هو تأكيد السعر بناءً على المنتج.
- س4: كيف هي تفاصيل التعبئة والتغليف لموسفيت REASUNOS عالي الجهد؟
- A4: تفاصيل التعبئة والتغليف REASUNOS High Voltage MOSFET هي عبوة أنبوبية مقاومة للغبار والماء ومضادة للثبات، وضعت داخل صندوق من الورق المقوى في الكرتون.
- س5: كم مدة تسليم REASUNOS High Voltage MOSFET؟
- ج5: وقت التسليم من REASUNOS MOSFET الجهد العالي هو 2-30 يوما (يعتمد على الكمية الإجمالية).
المنتجات الموصى بها
