स्थिर बहुत उच्च वोल्टेज ट्रांजिस्टर मल्टीस्केन गर्मी विसर्जन

उत्पत्ति के प्लेस गुआंग्डोंग, सीएन
ब्रांड नाम REASUNOS
मूल्य Confirm price based on product
पैकेजिंग विवरण डस्टप्रूफ, वॉटरप्रूफ और एंटी-स्टैटिक ट्यूबलर पैकेजिंग, डिब्बों में कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर रखी गई ह
प्रसव के समय 2-30 दिन (कुल मात्रा पर निर्भर करता है)
भुगतान शर्तें अग्रिम में 100% टी/टी (EXW)
आपूर्ति की क्षमता 5KK/माह

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उत्पाद विवरण
एचवी मॉसफेट एप्लीकेशन एलईडी ड्राइवर, एडेप्टर, औद्योगिक स्विचिंग बिजली आपूर्ति, इनवर्टर आदि ताप लोपन महान ताप अपव्यय
प्रतिरोध कम प्रतिरोध अल्ट्रा-एचवी एमओएसएफईटी अनुप्रयोग स्मार्ट मीटर, कैबिनेट बिजली आपूर्ति, औद्योगिक स्विचिंग बिजली आपूर्ति, विद्युत ऊर्जा प्रणाली, आदि।
तकनीकी MOSFET रिसाव के कम रिसाव 1 μA से कम तक पहुंच सकता है
एंबेडेड एफआरडी एचवी एमओएसएफईटी एप्लीकेशन मोटर सीरीज, इन्वर्टर, हाफ ब्रिज/फुल ब्रिज सर्किट अनुप्रयोग, आदि। वेल्टेज रेटिंग उच्च वोल्टेज/अल्ट्रा-उच्च वोल्टेज
प्रमुखता देना

स्थिर बहुत उच्च वोल्टेज ट्रांजिस्टर

,

बहुत उच्च वोल्टेज ट्रांजिस्टर मल्टीस्कैन

,

ऊष्मा अपव्यय उच्च वोल्टेज द्विध्रुवीय ट्रांजिस्टर

आप अपनी ज़रूरत के उत्पादों को टिक कर सकते हैं और हमारे साथ संदेश बोर्ड में संचार कर सकते हैं।
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
उत्पाद विवरण

उत्पाद का वर्णन:

उच्च वोल्टेज एमओएसएफईटी कम प्रतिरोध एन-प्रकार ट्रांजिस्टर

उच्च वोल्टेज मोस्फेट उच्च वोल्टेज पावर मोस्फेट हैं जो विशेष रूप से कम प्रतिरोध प्रदान करने के लिए डिज़ाइन किए गए हैं।ये एन-प्रकार के ट्रांजिस्टर अत्यंत विश्वसनीय हैं और कई अनुप्रयोगों में उत्कृष्ट प्रदर्शन प्रदान करते हैं.

इन ट्रांजिस्टरों का उपयोग आमतौर पर एलईडी ड्राइवर, एडाप्टर, औद्योगिक स्विचिंग पावर सप्लाई, इन्वर्टर, स्मार्ट मीटर, कैबिनेट पावर सप्लाई, औद्योगिक स्विचिंग पावर सप्लाई,और विद्युत शक्ति प्रणाली.

उच्च वोल्टेज MOSFET अत्यधिक विश्वसनीय हैं और कम प्रतिरोध प्रदान करते हैं, उन्हें कई अनुप्रयोगों के लिए आदर्श विकल्प बनाते हैं।इन ट्रांजिस्टरों को उच्च वोल्टेज शक्ति की आवश्यकता है कि अनुप्रयोगों की एक विस्तृत विविधता में इस्तेमाल किया जा सकता है.

XYZ इलेक्ट्रॉनिक्स में, हमारे उच्च वोल्टेज MOSFET बेहतर प्रदर्शन प्रदान करते हैं और आपकी सभी आवश्यकताओं को पूरा करने के लिए डिज़ाइन किए गए हैं। ट्रांजिस्टर के हमारे व्यापक चयन के साथ,आप अपने आवेदन के लिए सही उच्च वोल्टेज MOSFET पा सकते हैं.

 

तकनीकी मापदंडः

पैरामीटर मूल्य
प्रकार एन
उत्पाद का नाम उच्च वोल्टेज MOSFET
ताप विसर्जन बड़ी गर्मी विसर्जन
एम्बेडेड FRD HV MOSFET अनुप्रयोग मोटर श्रृंखला, इन्वर्टर, हाफ ब्रिज/फुल ब्रिज सर्किट एप्लिकेशन, आदि।
एचवी मोस्फेट आवेदन एलईडी ड्राइवर, एडाप्टर, औद्योगिक स्विचिंग पावर सप्लाई, इन्वर्टर आदि
प्रतिरोध कम प्रतिरोध
लाभ नई पार्श्व परिवर्तनीय डोपिंग तकनीक, विशेष शक्ति एमओएस संरचना, उच्च तापमान में उत्कृष्ट विशेषताएं।
अल्ट्रा-एचवी एमओएसएफईटी अनुप्रयोग स्मार्ट मीटर, कैबिनेट पावर सप्लाई, इंडस्ट्रियल स्विचिंग पावर सप्लाई, इलेक्ट्रिकल पावर सिस्टम आदि।
प्रौद्योगिकी एमओएसएफईटी
वोल्टेज रेटिंग उच्च वोल्टेज/अति उच्च वोल्टेज
 

अनुप्रयोग:

विभिन्न अनुप्रयोग परिदृश्यों में अपने उत्कृष्ट प्रदर्शन के लिए REASUNOS उच्च वोल्टेज MOSFET प्रसिद्ध है।यह अल्ट्रा-हाई वोल्टेज के साथ एक पावर एमओएसएफईटी है और स्मार्ट मीटर जैसे विभिन्न क्षेत्रों में लागू किया जा सकता है।, कैबिनेट पावर सप्लाई, औद्योगिक स्विचिंग पावर सप्लाई, इलेक्ट्रिकल पावर सिस्टम, एलईडी ड्राइवर, एडाप्टर, इन्वर्टर, मोटर श्रृंखला, और हाफ ब्रिज/फुल ब्रिज सर्किट एप्लिकेशन।इस उत्पाद को इसकी नई पार्श्व चर डोपिंग तकनीक भी विशेषता है।, विशेष शक्ति एमओएस संरचना, और महान गर्मी अपव्यय।

REASUNOS उच्च वोल्टेज MOSFET ग्राहकों को प्रतिस्पर्धी मूल्य, धूलरोधी, जलरोधी और एंटी-स्टैटिक ट्यूबलर पैकेजिंग, 2-30 दिनों की डिलीवरी समय, 100% टी/टी एडवांस (एक्सडब्ल्यू) भुगतान शर्तों के साथ प्रदान करता है,और 5KK/माह की आपूर्ति क्षमता.

 

सहायता एवं सेवाएं:

उच्च वोल्टेज MOSFET तकनीकी सहायता और सेवा

हम अपने सभी उच्च वोल्टेज एमओएसएफईटी उत्पादों के लिए सर्वोत्तम तकनीकी सहायता और सेवा प्रदान करने के लिए प्रतिबद्ध हैं।हमारे विशेषज्ञों की टीम आपके सवालों के जवाब देने और आपके पास किसी भी मुद्दे के साथ सहायता प्रदान करने के लिए उपलब्ध हैहम आपके सिस्टम को अद्यतन रखने और सुचारू रूप से चलाने के लिए उत्पाद अद्यतन और नई रिलीज़ भी प्रदान करते हैं।

यदि आपको किसी समस्या का निवारण करने में सहायता की आवश्यकता है, तो हमारे विशेषज्ञों की टीम चरण-दर-चरण निर्देश और मार्गदर्शन प्रदान कर सकती है।हमारे पास अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्नों और उत्तरों के साथ एक व्यापक ज्ञान आधार भी है जिसे आप त्वरित समाधानों के लिए एक्सेस कर सकते हैं.

हम विश्वसनीय और सुरक्षित उत्पादों के महत्व को समझते हैं। हम आपके डेटा के लिए उच्चतम स्तर की सुरक्षा सुनिश्चित करने के लिए अपने सुरक्षा उपायों को लगातार अपडेट कर रहे हैं।हम यह सुनिश्चित करने के लिए नियमित रखरखाव और समर्थन भी प्रदान करते हैं कि हमारे उत्पाद हमेशा सुचारू रूप से काम करें.

यदि आपके कोई प्रश्न हैं या सहायता की आवश्यकता है, तो कृपया हमसे संपर्क करने में संकोच न करें। हम हमेशा मदद के लिए उपलब्ध हैं।

 

पैकिंग और शिपिंगः

उच्च वोल्टेज MOSFET को ऐसे पैक और शिप किया जाना चाहिए जिससे क्षति को रोका जा सके और उनका सुरक्षित आगमन सुनिश्चित हो सके।उच्च वोल्टेज MOSFETs को पैकेज और शिपिंग करते समय निम्नलिखित कदम उठाए जाने चाहिए:

  • एमओएसएफईटी को सुरक्षित रूप से एक एंटी-स्टेटिक बैग या एक स्टेटिक डिसिपेटिव बैग में रखा जाना चाहिए।
  • बैग को एक बॉक्स में रखा जाना चाहिए जिसमें पर्याप्त कम्पासिंग सामग्री जैसे फोम या बुलबुला लपेटें हों।
  • बॉक्स को सुरक्षित रूप से सील किया जाना चाहिए और स्पष्ट रूप से उच्च वोल्टेज MOSFETs के रूप में लेबल किया जाना चाहिए।
  • बॉक्स को एक भरोसेमंद वाहक के साथ भेजा जाना चाहिए, अधिमानतः एक जो ट्रैकिंग और बीमा प्रदान करता है।
 

अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न:

प्रश्न 1: उच्च वोल्टेज मोस्फेट का ब्रांड नाम क्या है?

A1: उच्च वोल्टेज MOSFET का ब्रांड नाम REASUNOS है।

Q2: उच्च वोल्टेज MOSFET का मूल स्थान कहाँ है?

A2: उच्च वोल्टेज MOSFET का मूल स्थान गुआंग्डोंग, चीन है।

Q3: उच्च वोल्टेज MOSFET की कीमत क्या है?

A3: उच्च वोल्टेज MOSFET की कीमत उत्पाद पर निर्भर करती है। कृपया हमारे साथ कीमत की पुष्टि करें।

Q4: उच्च वोल्टेज MOSFET को कैसे पैक किया जाता है?

A4: उच्च वोल्टेज MOSFET को धूल, पानी और एंटी-स्टेटिक ट्यूबलर पैकेजिंग के साथ पैक किया जाता है, जो एक कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर कार्टन में रखा जाता है।

Q5: उच्च वोल्टेज MOSFET के लिए डिलीवरी का समय कितना है?

A5: उच्च वोल्टेज MOSFET के लिए डिलीवरी का समय कुल मात्रा के आधार पर 2-30 दिन है।

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