Eingebettete FRD-Hochspannungs-MOSFET-Multifunktion für LED-Treiber
Herkunftsort | Guangdong, KN |
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Markenname | REASUNOS |
Preis | Confirm price based on product |
Verpackung Informationen | Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons |
Lieferzeit | 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge) |
Zahlungsbedingungen | 100% T/T im Voraus (EXW) |
Versorgungsmaterial-Fähigkeit | 5KK/Monat |

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xHochspg Mosfet-Anwendung | LED-Fahrer, Adapter, industrielles Schaltnetzteil, Inverter usw. | Leckage | Niedriges Durchsickern kann weniger als 1 µ A erreichen |
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Eingebettete FRD Hochspg MOSFET-Anwendung | Bewegungs-Reihe, Inverter, Halbbrücke-/Vollbrückenschaltung Anwendungen, etc. | Typ | N |
Anwendung MOSFET-Ultra-Hochspg | Intelligentes Meter, Kabinett-Stromversorgung, industrielles Schaltnetzteil, System der elektrischen | Nennspannung | Hochspannungs-/Ultrahochspannung |
Wärmeableitung | Große Wärmeableitung | Technologie | MOSFET |
Hervorheben | Eingebettete FRD Hochspannungs-MOSFET,Hochspannungs-MOSFET mit mehreren Funktionen,LED-Treiber HV Mosfet |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | Diode Trr(nS) | |
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1 | RSF38N30F | N | 38 | 300 | 0.09 | 0.11 | TO-220F | 1000 | 80 | |
2 | RSF45N50W | N | 45 | 500 | 0.1 | 0.125 | TO-247 | 600 | 95 | |
3 | RSF5N50D | N | 5 | 500 | 1.5 | 1.85 | TO-252 | 2500 | 61 | |
4 | RSF7N50D | N | 7 | 500 | 1.1 | 1.5 | TO-252 | 2500 | 100 | |
5 | RSF3N60D | N | 3 | 600 | 2.8 | 3.4 | TO-252 | 2500 | 55 | |
6 | RSF4N60D | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | 60 | |
7 | RSF4N60F | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | 60 | |
8 | RS2N65D | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
9 | RS2N65F | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
10 | RS4N65D | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
11 | RS4N65MD | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
12 | RS4N65F | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
13 | RS5N65D | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-252 | 2500 | -- | |
14 | RS5N65F | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-220F | 1000 | -- | |
15 | RS6N65D | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-252 | 2500 | -- | |
16 | RS6N60F | N | 6 | 600 | 1 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
17 | RS6N65F | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
18 | RS7N65D | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
19 | RS7N65MD | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
20 | RS7N65F | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
21 | RS8N60F | N | 8 | 600 | 0.75 | 0.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
22 | RS8N65F | N | 8 | 650 | 0.95 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
23 | RS10N65D | N | 10 | 650 | 0.93 | 1.05 | TO-252 | 2500 | -- | |
24 | RS10N65F | N | 10 | 650 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
25 | RS10N60F | N | 10 | 600 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
26 | RS12N65F | N | 12 | 650 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
27 | RS12N60F | N | 12 | 600 | 0.5 | 0.62 | TO-220F | 1000 | -- | |
28 | RS13N65F | N | 13 | 650 | 0.52 | 0.65 | TO-220F | 1000 | -- | |
29 | RS16N65F | N | 16 | 650 | 0.45 | 0.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
30 | RS20N65F | N | 20 | 650 | 0.35 | 0.45 | TO-220F | 1000 | -- | |
31 | RS5N50D | N | 5 | 500 | 1.25 | 1.45 | TO-252 | 2500 | -- | |
32 | RS6N50D | N | 6 | 500 | 1.2 | 1.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
33 | RS9N50D | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-252 | 2500 | -- | |
34 | RS9N50F | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
35 | RS10N50F | N | 10 | 500 | 0.66 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
36 | RS11N50F | N | 11 | 500 | 0.48 | 0.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
37 | RS13N50F | N | 13 | 500 | 0.39 | 0.46 | TO-220F | 1000 | -- | |
38 | RS15N50F | N | 15 | 500 | 0.35 | 0.42 | TO-220F | 1000 | -- | |
39 | RS18N50F | N | 18 | 500 | 0.28 | 0.34 | TO-220F | 1000 | -- | |
40 | RS20N50F | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-220F | 1000 | -- | |
41 | RS20N50W | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-247-3 | 600 | -- | |
42 | RS25N50F | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-220F | 1000 | -- | |
43 | RS25N50W | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-247-3 | 600 | -- | |
44 | RS28N50W | N | 28 | 500 | 0.14 | 0.18 | TO-247-3 | 600 | -- | |
45 | RS30N50W | N | 30 | 500 | 0.085 | 0.12 | TO-247-3 | 600 | -- | |
46 | RS4N80F | N | 4 | 800 | 3.2 | 3.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
47 | RS8N80F | N | 8 | 800 | 1.35 | 1.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
48 | RS10N80F | N | 10 | 800 | 1 | 1.2 | TO-220F | 1000 | -- | |
49 | RS3N90MD | N | 3 | 900 | 4 | 4.8 | TO-251 | 4000 | -- | |
50 | RS4N90D | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
51 | RS4N90F | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
52 | RS6N90F | N | 6 | 900 | 1.7 | 2.05 | TO-220F | 1000 | -- | |
53 | RS9N90F | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
54 | RS9N90PF | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-3PF | 300 | -- | |
55 | RS2N100D | N | 2 | 1000 | 6 | 7.2 | TO-252 | 2500 | -- | |
56 | RSE3N100F | N | 3 | 1000 | 4.6 | 5.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
57 | RS6N100F | N | 6 | 1000 | 1.2 | 1.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
58 | RS2N120D | N | 2 | 1200 | 10.5 | 12.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
59 | RS3N120D | N | 3 | 1200 | 7.3 | 8.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
60 | RS6N120T | N | 6 | 1200 | 2.1 | 2.5 | TO-220 | 1000 | -- | |
61 | RS3N150F | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
62 | RS3N150PF | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-3PF | 300 | -- | |
63 | RS3N150W | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO247-3 | 600 | -- |
Ein eingebettetes FRD HV-MOSFET des Typs N für LED-Treiberanwendungen
Beschreibung des Produkts:
High Voltage MOSFET (HV MOSFET) ist eine Art Leistungshalbleiter, der für Anwendungen mit hoher Spannung und hohem Strom, z. B. bei Motorenreihen, Wechselrichtern, Halbbrücken-/Vollbrücken-Schaltungen,LED-Treiber, Adapter, industrielle Schaltnetzteile und Wechselrichter.Spezielle Leistung MOS-Struktur und ausgezeichnete Eigenschaften bei hohen TemperaturenMit einer Spannungsbewertung von bis zu Ultra-Hochspannung kann HV MOSFET in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet werden.
Technische Parameter:
Parameter | Wert |
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Wärmeabbau | Große Wärmeverteilung |
Typ | N |
Produktbezeichnung | Hochspannungs-MOSFET |
Anwendung von Ultra-HV-MOSFET | Smart Meter, Kabinettstromversorgung, industrielle Schaltanlage, elektrische Stromversorgung usw. |
Eingebettete FRD HV MOSFET-Anwendung | Motorreihe, Wechselrichter, Halbbrücken-/Vollbrücken-Schaltkreis-Anwendungen usw. |
Widerstand | Niedriger Einsatzwiderstand |
Nennspannung | Hochspannung/Ultrahochspannung |
Vorteile | Neue Technologie für das doppende Abwechslungsmittel, spezielle MOS-Struktur, ausgezeichnete Eigenschaften bei hohen Temperaturen. |
Anwendung von HV Mosfet | LED-Treiber, Adapter, industrielle Schaltanlage, Wechselrichter usw. |
Technologie | MOSFET |
Anwendungen:
Reasunos High Voltage MOSFET, hergestellt in Guangdong, China, ist ein Hochspannungs-MOS-Gate-Transistor, der Ultra-Hochspannungs-FET- und Hochspannungs-FET-Lösungen anbieten kann.Der Preis wird je nach Produkt bestätigt.. Um die Sicherheit des Produkts zu gewährleisten, wird es in staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen verpackt und in Kartons in Karton verpackt.je nach Gesamtmenge. 100% T/T im Voraus (EXW) sind die Zahlungsbedingungen, und die Lieferfähigkeit beträgt 5KK/Monat. Darüber hinaus kann seine geringe Leckage weniger als 1 μ A erreichen.Kabinettstromversorgung, industrielle Schaltnetzteil, elektrische Stromversorgung, LED-Treiber, Adapter und Wechselrichter.
Unterstützung und Dienstleistungen:
Bei ABC Semiconductor sind wir bestrebt, unseren Kunden hochwertige Hochspannungs-MOSFET-Produkte und -Dienstleistungen bereitzustellen.Unser erfahrenes Team von Ingenieuren und Technikern ist bestrebt, Ihnen die bestmögliche Unterstützung und Service für Ihre Bedürfnisse zu bieten..
Wir sind bereit, alle technischen Fragen zu beantworten, die Sie über unsere Hochspannungs-MOSFET-Produkte haben, einschließlich Fehlerbehebung und Unterstützung bei der Installation und Einrichtung.Wir bieten auch kontinuierliche Wartungs- und Reparaturdienste an, um sicherzustellen, dass Ihre Produkte immer optimal funktionieren..
Wenn Sie Fragen haben oder Hilfe bei einem unserer Hochspannungs-MOSFET-Produkte benötigen, zögern Sie bitte nicht, uns zu kontaktieren.
Verpackung und Versand:
Hochspannungs-MOSFETs müssen so verpackt und versandt werden, dass sie folgende Kriterien erfüllen:
- Die MOSFETs müssen in eine schützende Verpackung gebracht werden, um Schäden während des Versands zu vermeiden.
- Die MOSFETs müssen richtig gekennzeichnet sein, um den Inhalt zu identifizieren.
- Die MOSFETs müssen mit allen erforderlichen Unterlagen und Anweisungen versandt werden.
- Die MOSFETs müssen mit entsprechenden Nachverfolgungsinformationen geliefert werden.
- Alle Versandcontainer müssen deutlich mit Inhalt und Bestimmungsort gekennzeichnet sein.
Häufige Fragen:
A1: Der Markenname des Hochspannungs-MOSFET ist REASUNOS.
A2: Das Hochspannungs-MOSFET wird in Guangdong, China, hergestellt.
A3: Der Preis des Hochspannungs-MOSFET wird je nach Produkt bestätigt.
A4: Das Hochspannungs-MOSFET wird in staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen verpackt und in Kartons in einem Karton verpackt.
A5: Die Lieferzeit hängt von der Gesamtmenge ab, in der Regel dauert sie jedoch 2-30 Tage.