Eingebettete FRD-Hochspannungs-MOSFET-Multifunktion für LED-Treiber

Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

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Produktdetails
Hochspg Mosfet-Anwendung LED-Fahrer, Adapter, industrielles Schaltnetzteil, Inverter usw. Leckage Niedriges Durchsickern kann weniger als 1 µ A erreichen
Eingebettete FRD Hochspg MOSFET-Anwendung Bewegungs-Reihe, Inverter, Halbbrücke-/Vollbrückenschaltung Anwendungen, etc. Typ N
Anwendung MOSFET-Ultra-Hochspg Intelligentes Meter, Kabinett-Stromversorgung, industrielles Schaltnetzteil, System der elektrischen Nennspannung Hochspannungs-/Ultrahochspannung
Wärmeableitung Große Wärmeableitung Technologie MOSFET
Hervorheben

Eingebettete FRD Hochspannungs-MOSFET

,

Hochspannungs-MOSFET mit mehreren Funktionen

,

LED-Treiber HV Mosfet

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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
Produkt-Beschreibung

Ein eingebettetes FRD HV-MOSFET des Typs N für LED-Treiberanwendungen

Beschreibung des Produkts:

High Voltage MOSFET (HV MOSFET) ist eine Art Leistungshalbleiter, der für Anwendungen mit hoher Spannung und hohem Strom, z. B. bei Motorenreihen, Wechselrichtern, Halbbrücken-/Vollbrücken-Schaltungen,LED-Treiber, Adapter, industrielle Schaltnetzteile und Wechselrichter.Spezielle Leistung MOS-Struktur und ausgezeichnete Eigenschaften bei hohen TemperaturenMit einer Spannungsbewertung von bis zu Ultra-Hochspannung kann HV MOSFET in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet werden.

 

Technische Parameter:

Parameter Wert
Wärmeabbau Große Wärmeverteilung
Typ N
Produktbezeichnung Hochspannungs-MOSFET
Anwendung von Ultra-HV-MOSFET Smart Meter, Kabinettstromversorgung, industrielle Schaltanlage, elektrische Stromversorgung usw.
Eingebettete FRD HV MOSFET-Anwendung Motorreihe, Wechselrichter, Halbbrücken-/Vollbrücken-Schaltkreis-Anwendungen usw.
Widerstand Niedriger Einsatzwiderstand
Nennspannung Hochspannung/Ultrahochspannung
Vorteile Neue Technologie für das doppende Abwechslungsmittel, spezielle MOS-Struktur, ausgezeichnete Eigenschaften bei hohen Temperaturen.
Anwendung von HV Mosfet LED-Treiber, Adapter, industrielle Schaltanlage, Wechselrichter usw.
Technologie MOSFET
 

Anwendungen:

Reasunos High Voltage MOSFET, hergestellt in Guangdong, China, ist ein Hochspannungs-MOS-Gate-Transistor, der Ultra-Hochspannungs-FET- und Hochspannungs-FET-Lösungen anbieten kann.Der Preis wird je nach Produkt bestätigt.. Um die Sicherheit des Produkts zu gewährleisten, wird es in staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen verpackt und in Kartons in Karton verpackt.je nach Gesamtmenge. 100% T/T im Voraus (EXW) sind die Zahlungsbedingungen, und die Lieferfähigkeit beträgt 5KK/Monat. Darüber hinaus kann seine geringe Leckage weniger als 1 μ A erreichen.Kabinettstromversorgung, industrielle Schaltnetzteil, elektrische Stromversorgung, LED-Treiber, Adapter und Wechselrichter.

 

Unterstützung und Dienstleistungen:

Technische Unterstützung und Service von Hochspannungs-MOSFET

Bei ABC Semiconductor sind wir bestrebt, unseren Kunden hochwertige Hochspannungs-MOSFET-Produkte und -Dienstleistungen bereitzustellen.Unser erfahrenes Team von Ingenieuren und Technikern ist bestrebt, Ihnen die bestmögliche Unterstützung und Service für Ihre Bedürfnisse zu bieten..

Wir sind bereit, alle technischen Fragen zu beantworten, die Sie über unsere Hochspannungs-MOSFET-Produkte haben, einschließlich Fehlerbehebung und Unterstützung bei der Installation und Einrichtung.Wir bieten auch kontinuierliche Wartungs- und Reparaturdienste an, um sicherzustellen, dass Ihre Produkte immer optimal funktionieren..

Wenn Sie Fragen haben oder Hilfe bei einem unserer Hochspannungs-MOSFET-Produkte benötigen, zögern Sie bitte nicht, uns zu kontaktieren.

 

Verpackung und Versand:

Verpackung und Versand von Hochspannungs-MOSFET

Hochspannungs-MOSFETs müssen so verpackt und versandt werden, dass sie folgende Kriterien erfüllen:

  • Die MOSFETs müssen in eine schützende Verpackung gebracht werden, um Schäden während des Versands zu vermeiden.
  • Die MOSFETs müssen richtig gekennzeichnet sein, um den Inhalt zu identifizieren.
  • Die MOSFETs müssen mit allen erforderlichen Unterlagen und Anweisungen versandt werden.
  • Die MOSFETs müssen mit entsprechenden Nachverfolgungsinformationen geliefert werden.
  • Alle Versandcontainer müssen deutlich mit Inhalt und Bestimmungsort gekennzeichnet sein.
 

Häufige Fragen:

F1: Wie lautet der Markenname des Hochspannungs-MOSFET?

A1: Der Markenname des Hochspannungs-MOSFET ist REASUNOS.

F2: Wo wird das Hochspannungs-MOSFET hergestellt?

A2: Das Hochspannungs-MOSFET wird in Guangdong, China, hergestellt.

F3: Wie hoch ist der Preis für das Hochspannungs-MOSFET?

A3: Der Preis des Hochspannungs-MOSFET wird je nach Produkt bestätigt.

F4: Wie ist die Verpackung des Hochspannungs-MOSFET?

A4: Das Hochspannungs-MOSFET wird in staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen verpackt und in Kartons in einem Karton verpackt.

F5: Wie lange dauert die Lieferung des Hochspannungs-MOSFET?

A5: Die Lieferzeit hängt von der Gesamtmenge ab, in der Regel dauert sie jedoch 2-30 Tage.