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LED 드라이버에 대한 내장된 FRD 고전압 MOSFET 멀티 기능

  • Embedded FRD High Voltage MOSFET Multi Function For LED Driver
원래 장소 광동, CN
브랜드 이름 REASUNOS
가격 Confirm price based on product
포장 세부 사항 방진, 방수, 정전기 방지 관형 포장으로 판지 상자 안에 포장되어 있습니다.
배달 시간 2-30일 (총 수량에 따라 다름)
지불 조건 사전에 100% T/T(EXW)
공급 능력 5KK/월

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제품 상세 정보
HV MOSFET 애플리케이션 LED 드라이버, 어댑터, 산업용 스위칭 전원 공급 장치, 인버터 등 누출 낮은 누설은 1 µ A 미만에 도달할 수 있습니다.
임베디드 FRD HV MOSFET 애플리케이션 모터 시리즈, 인버터, 하프 브리지/풀 브리지 회로 애플리케이션 등 종류 엔
Ultra-HV MOSFET 애플리케이션 스마트 미터, 캐비닛 전원 공급 장치, 산업용 스위칭 전원 공급 장치, 전력 시스템 등 전압 정격 고전압/초고압
방열 뛰어난 열 방출 기술 MOSFET
강조하다

내장된 FRD 고전압 MOSFET

,

고전압 MOSFET 다기능

,

LED 드라이버 HV 모스페트
필요한 제품을 선택하고 게시판에서 당사와 소통 할 수 있습니다.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
제품 설명

LED 드라이버 애플리케이션을 위한 N형 내장 FRD HV MOSFET

제품 설명:

고전압 MOSFET (HV MOSFET) 는 모터 시리즈, 인버터, 반 브릿지 / 풀 브릿지 회로 애플리케이션과 같은 고전압 및 고전류 애플리케이션을 위해 설계된 전력 반도체 유형입니다.LED 드라이버, 어댑터, 산업용 스위치 전원 공급 및 인버터.특수 전력 MOS 구조와 높은 온도에서 우수한 특성초고전압까지의 전압 등급으로, HV MOSFET는 광범위한 응용 분야에서 사용될 수 있습니다.

 

기술 매개 변수:

매개 변수 가치
열 분산 큰 열 분산
종류 N
제품 이름 고전압 MOSFET
초고압 MOSFET 적용 스마트 미터, 캐비닛 전원 공급, 산업 스위칭 전력 공급, 전기 전력 시스템, 등
임베디드 FRD HV MOSFET 애플리케이션 모터 시리즈, 인버터, 하프 브리지 / 풀 브리지 회로 응용 프로그램, 등
저항력 낮은 전원 저항
전압 등급 고전압/극대고전압
장점 새로운 변동성 도핑 기술, 특수 전력 MOS 구조, 높은 온도에서 우수한 특성.
HV 모스페트 적용 LED 드라이버, 어댑터, 산업용 스위치 전원 공급 장치, 인버터 등
기술 MOSFET
 

응용 프로그램:

중국 광둥에서 제조된 Reasunos 고전압 MOSFET는 초고전압 FET 및 고전압 FET 솔루션을 제공할 수 있는 고전압 MOS-Gate 트랜지스터입니다.가격은 제품에 따라 확인됩니다.제품의 안전성을 보장하기 위해, 그것은 먼지, 방수, 반 정적 튜버 포장에 포장되어, 카튼 상자 안에 배치됩니다. 배달 시간은 2 ~ 30 일입니다.전체량에 따라. 100% T / T 사전 (EXW) 는 지불 조건이며 공급 능력은 5KK / 달입니다. 게다가 낮은 누출량은 1 μ A 이하에 도달 할 수 있습니다. Reasunos 고전압 MOSFET는 스마트 미터에 널리 사용됩니다.캐비닛 전원 공급 장치, 산업 스위칭 전원 공급, 전기 전력 시스템, LED 드라이버, 어댑터 및 인버터. 그것은 훌륭한 열 방출 및 전압 등급을 가지고 있습니다.

 

지원 및 서비스:

고전압 MOSFET 기술 지원 및 서비스

ABC 반도체에서는 고객에게 최고 품질의 고전압 MOSFET 제품과 서비스를 제공하기 위해 헌신합니다.엔지니어와 기술자들로 구성된 우리의 경험이 풍부한 팀은 귀하의 필요에 대한 최상의 지원과 서비스를 제공하기 위해 최선을 다하고 있습니다..

우리는 고전압 MOSFET 제품에 대한 모든 기술적 질문에 답변 할 수 있습니다. 문제 해결 및 설치 및 설정에 대한 지원 포함합니다.또한 지속적인 유지보수 및 수리 서비스를 제공하여 제품들이 항상 최고 성능으로 작동하도록 보장합니다..

만약 당신이 어떤 질문이나 우리의 고전압 MOSFET 제품과 함께 도움을 필요로 하는 경우, 저희에게 연락하는 것을 주저하지 마십시오. 우리의 팀은 항상 사용 가능하고 기꺼이 도움이 됩니다.

 

포장 및 운송:

고전압 MOSFET 의 포장 및 운송

고전압 MOSFET는 다음 기준을 충족하는 방식으로 포장되고 배송되어야 합니다.

  • MOSFET는 운송 중에 손상을 방지하기 위해 보호용 포장지에 배치되어야합니다.
  • MOSFET는 그 내용을 식별하기 위해 제대로 표시되어야 합니다.
  • MOSFET는 필요한 모든 문서와 지침과 함께 배송되어야 합니다.
  • MOSFET는 적절한 추적 정보와 함께 배송되어야 합니다.
  • 모든 운송 컨테이너에는 그 내용과 목적지가 명확하게 표시되어야 합니다.
 

FAQ:

Q1: 고전압 MOSFET의 브랜드 이름은 무엇입니까?

A1: 고전압 MOSFET의 브랜드 이름은 REASUNOS입니다.

Q2: 고전압 MOSFET는 어디에서 생산됩니까?

A2: 고전압 MOSFET는 CN 광둥에서 제조됩니다.

Q3: 고전압 MOSFET의 가격은 무엇입니까?

A3: 고전압 MOSFET의 가격은 제품에 따라 확인됩니다.

Q4: 고전압 MOSFET의 패키지는 무엇입니까?

A4: 고전압 MOSFET는 먼지, 방수, 반 정적 튜버형 포장재에 포장되어 있으며, 카튼 상자 안에 배치됩니다.

Q5: 고전압 MOSFET를 공급하는 데 얼마나 걸리나요?

A5: 배달 시간은 전체 양에 따라 다르지만 일반적으로 2~30일이 걸립니다.

꼬리표:

안정적인 고전압 전원 모스페트

고전압 시크 모스페트

산업용 초고전압 트랜지스터