ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด
อินเวอร์เตอร์คงที่ โวลเตชั่นสูง MOSFET ทรานซิสเตอร์หลายฟังก์ชัน
| สถานที่กำเนิด | กวางตุ้ง CN |
|---|---|
| ชื่อแบรนด์ | REASUNOS |
| ราคา | Confirm price based on product |
| รายละเอียดการบรรจุ | บรรจุภัณฑ์แบบท่อกันฝุ่น กันน้ำ และป้องกันไฟฟ้าสถิต วางอยู่ภายในกล่องกระดาษแข็งในกล่องกระดาษแข็ง |
| เวลาการส่งมอบ | 2-30 วัน (ขึ้นอยู่กับปริมาณรวม) |
| เงื่อนไขการชำระเงิน | 100% T/T ล่วงหน้า (EXW) |
| สามารถในการผลิต | 5KK/เดือน |
ติดต่อฉันเพื่อรับตัวอย่างและคูปองฟรี
วอทส์แอพพ์:0086 18588475571
วีแชท: 0086 18588475571
สไกป์: sales10@aixton.com
หากคุณมีข้อสงสัย เราพร้อมให้ความช่วยเหลือทางออนไลน์ตลอด 24 ชั่วโมง
xรายละเอียดสินค้า
| คะแนนแรงดันไฟฟ้า | ไฟฟ้าแรงสูง/ไฟฟ้าแรงสูงพิเศษ | แอปพลิเคชัน FRD HV MOSFET แบบฝัง | ซีรีย์มอเตอร์, อินเวอร์เตอร์, การใช้งานวงจรฮาล์ฟบริดจ์/ฟูลบริดจ์ ฯลฯ |
|---|---|---|---|
| ชื่อสินค้า | มอสเฟตแรงดันสูง | แอปพลิเคชัน Ultra-HV MOSFET | มิเตอร์อัจฉริยะ, พาวเวอร์ซัพพลายของตู้, พาวเวอร์ซัพพลายสวิตชิ่งอุตสาหกรรม, ระบบไฟฟ้ากำลัง ฯลฯ |
| การรั่วไหล | การรั่วไหลต่ำสามารถเข้าถึงน้อยกว่า 1 µ A | เทคโนโลยี | มอสเฟต |
| การกระจายความร้อน | กระจายความร้อนได้ดี | ความต้านทาน | ความต้านทานต่ำ |
| เน้น | MOSFET ความดันสูงคงที่,อินเวอร์เตอร์ โมสเฟตความดันสูง,ทรานซิสเตอร์ MOSFET ความแรงสูงหลายฟังก์ชัน |
||
คุณสามารถเลือกผลิตภัณฑ์ที่คุณต้องการและสื่อสารกับเราได้ในกระดานข้อความ
| No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | Diode Trr(nS) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | RSF38N30F | N | 38 | 300 | 0.09 | 0.11 | TO-220F | 1000 | 80 | |
| 2 | RSF45N50W | N | 45 | 500 | 0.1 | 0.125 | TO-247 | 600 | 95 | |
| 3 | RSF5N50D | N | 5 | 500 | 1.5 | 1.85 | TO-252 | 2500 | 61 | |
| 4 | RSF7N50D | N | 7 | 500 | 1.1 | 1.5 | TO-252 | 2500 | 100 | |
| 5 | RSF3N60D | N | 3 | 600 | 2.8 | 3.4 | TO-252 | 2500 | 55 | |
| 6 | RSF4N60D | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | 60 | |
| 7 | RSF4N60F | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | 60 | |
| 8 | RS2N65D | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 9 | RS2N65F | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 10 | RS4N65D | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 11 | RS4N65MD | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 12 | RS4N65F | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 13 | RS5N65D | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 14 | RS5N65F | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 15 | RS6N65D | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 16 | RS6N60F | N | 6 | 600 | 1 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 17 | RS6N65F | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 18 | RS7N65D | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 19 | RS7N65MD | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 20 | RS7N65F | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 21 | RS8N60F | N | 8 | 600 | 0.75 | 0.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 22 | RS8N65F | N | 8 | 650 | 0.95 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 23 | RS10N65D | N | 10 | 650 | 0.93 | 1.05 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 24 | RS10N65F | N | 10 | 650 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 25 | RS10N60F | N | 10 | 600 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 26 | RS12N65F | N | 12 | 650 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 27 | RS12N60F | N | 12 | 600 | 0.5 | 0.62 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 28 | RS13N65F | N | 13 | 650 | 0.52 | 0.65 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 29 | RS16N65F | N | 16 | 650 | 0.45 | 0.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 30 | RS20N65F | N | 20 | 650 | 0.35 | 0.45 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 31 | RS5N50D | N | 5 | 500 | 1.25 | 1.45 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 32 | RS6N50D | N | 6 | 500 | 1.2 | 1.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 33 | RS9N50D | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 34 | RS9N50F | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 35 | RS10N50F | N | 10 | 500 | 0.66 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 36 | RS11N50F | N | 11 | 500 | 0.48 | 0.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 37 | RS13N50F | N | 13 | 500 | 0.39 | 0.46 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 38 | RS15N50F | N | 15 | 500 | 0.35 | 0.42 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 39 | RS18N50F | N | 18 | 500 | 0.28 | 0.34 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 40 | RS20N50F | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 41 | RS20N50W | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 42 | RS25N50F | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 43 | RS25N50W | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 44 | RS28N50W | N | 28 | 500 | 0.14 | 0.18 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 45 | RS30N50W | N | 30 | 500 | 0.085 | 0.12 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 46 | RS4N80F | N | 4 | 800 | 3.2 | 3.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 47 | RS8N80F | N | 8 | 800 | 1.35 | 1.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 48 | RS10N80F | N | 10 | 800 | 1 | 1.2 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 49 | RS3N90MD | N | 3 | 900 | 4 | 4.8 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 50 | RS4N90D | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 51 | RS4N90F | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 52 | RS6N90F | N | 6 | 900 | 1.7 | 2.05 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 53 | RS9N90F | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 54 | RS9N90PF | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-3PF | 300 | -- | |
| 55 | RS2N100D | N | 2 | 1000 | 6 | 7.2 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 56 | RSE3N100F | N | 3 | 1000 | 4.6 | 5.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 57 | RS6N100F | N | 6 | 1000 | 1.2 | 1.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 58 | RS2N120D | N | 2 | 1200 | 10.5 | 12.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 59 | RS3N120D | N | 3 | 1200 | 7.3 | 8.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 60 | RS6N120T | N | 6 | 1200 | 2.1 | 2.5 | TO-220 | 1000 | -- | |
| 61 | RS3N150F | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 62 | RS3N150PF | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-3PF | 300 | -- | |
| 63 | RS3N150W | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO247-3 | 600 | -- |
รายละเอียดสินค้า
คําอธิบายสินค้า:
MOSFET ความดันสูง คือ MOSFET Ultra-hv เป็นชนิดของทรานซิสเตอร์ Mosfet ความดันสูง ที่มีผลงานดีเยี่ยมในเรื่องของการระบายความร้อนและความต้านทานต่ํามันพร้อมกับคุณสมบัติที่ทันสมัย เช่น เทคโนโลยีดอปปิ้งแบบแปรปรวนด้านหลังใหม่, โครงสร้าง MOS พลังงานพิเศษและคุณสมบัติที่ดีเยี่ยมในอุณหภูมิสูง, ทําให้สามารถทํางานได้ดีกว่า MOSFET ความดันสูงที่ปกติ
MOSFET ความดันสูงเป็นตัวเลือกที่สมบูรณ์แบบสําหรับการใช้งาน เช่น เครื่องยนต์ชุด, อินเวอร์เตอร์, การใช้งานวงจรครึ่งสะพาน / สะพานเต็ม เป็นต้น เนื่องจากการผสมผสานลักษณะที่โดดเด่นมันมีความสามารถในการ dissipation ความร้อนที่ดีและความต้านทานที่ต่ํา, ทําให้มันเป็นตัวเลือกที่เหมาะสมสําหรับการใช้งานความดันสูงด้วยเทคโนโลยีการด๊อปปิ้งแบบแปรทางด้านใหม่ และโครงสร้าง MOS พลังงานพิเศษ.
สรุปคือ MOSFET ความดันสูง เป็นตัวเลือกที่ดีสําหรับการใช้งานความดันสูง เนื่องจากการผสมผสานลักษณะที่พิเศษและคุณสมบัติที่ดีเยี่ยมในอุณหภูมิสูง, MOSFET ความดันสูงเป็นทางเลือกที่สมบูรณ์แบบสําหรับชุดมอเตอร์, อินเวอร์เตอร์, การใช้งานวงจรครึ่งสะพาน / สะพานเต็ม, เป็นต้น
ปริมาตรเทคนิค:
| ปริมาตร | คําอธิบาย |
|---|---|
| ระดับความกระชับกําลัง | ความดันสูง/ความดันสูงสุด |
| การใช้งาน HV MOSFET | ไดรฟ์ LED, อดอปเตอร์, พลังงานไฟฟ้าสลับอุตสาหกรรม, อินเวอร์เตอร์, ฯลฯ |
| การใช้งาน FRD HV MOSFET ที่ติดตั้ง | เครื่องยนต์ชุด อินเวอร์เตอร์ การใช้งานวงจรครึ่งสะพาน / สะพานเต็ม เป็นต้น |
| การระบายความร้อน | การ แปลง ความ ร้อน อย่าง ใหญ่ |
| ข้อดี | เทคโนโลยีการด๊อปปิ่งแบบแปรปรวนด้านใหม่ โครงสร้าง MOS พลังพิเศษ คุณสมบัติที่ดีเยี่ยมในอุณหภูมิสูง |
| ชื่อสินค้า | MOSFET ความดันสูง |
| การรั่วไหล | ความรั่วไหลต่ําสามารถถึงต่ํากว่า 1μA |
| ความต้านทาน | ความต้านทานต่ํา |
| การใช้งาน MOSFET Ultra-HV | เครื่องวัดอัจฉริยะ เครื่องไฟฟ้ากระบวนการ เครื่องไฟฟ้าเปลี่ยนอุตสาหกรรม เครื่องไฟฟ้าระบบไฟฟ้า เป็นต้น |
| เทคโนโลย | MOSFET |
การใช้งาน:
REASUNOS High Voltage MOSFET ถูกออกแบบมาโดยเฉพาะสําหรับการใช้งานพลังงานความดันสูง โดยรองรับความดันสูงถึงความดันสูงสุดต่ํากว่า 1 μ Aมอสเฟต hv นี้สมบูรณ์แบบสําหรับแอพลิเคชั่นที่ฝัง เนื่องจากมันให้การบูรณาการความหนาแน่นสูงและการเลือกแพคเกจที่กว้างขวางมันเป็นทางออกที่คุ้มค่าสําหรับการใช้งาน เช่น เครื่องแปลง DC-DC ความดันสูงเครื่องไฟฟ้า เครื่องขับเคลื่อนมอเตอร์ และเครื่องเปลี่ยนแสงอาทิตย์
REASUNOS High Voltage Power MOSFET เป็นผลิตภัณฑ์ที่เหมาะสมสําหรับคนที่ต้องการทางออกที่น่าเชื่อถือและมีประหยัดสําหรับการใช้งานของพวกเขาทําให้มันเหมาะสําหรับการใช้งานที่แตกต่างกัน.ยังให้ผลงานการสลับที่ดีและการสูญเสียพลังงานต่ํา ทําให้มันเป็นตัวเลือกที่ดีสําหรับการใช้งานที่ต้องการประสิทธิภาพการใช้งานพลังงานสูง.ยังเป็นที่เหมาะสมสําหรับการใช้งานประหยัดพลังงาน
REASUNOS Embedded FRD HV MOSFET เป็นตัวเลือกที่สมบูรณ์แบบสําหรับการใช้งานที่จํากัดMOSFET HV นี้เป็นที่เหมาะสมสําหรับการใช้งาน เช่น เครื่องแปลงไฟฟ้าแรงดันสูง DC-DC, แหล่งไฟฟ้า, เครื่องขับเคลื่อนมอเตอร์, และอินเวอร์เตอร์แสงอาทิตย์. มีช่วงอุณหภูมิการทํางานที่กว้างและความมั่นคงทางความร้อนที่ดีเยี่ยม. กระแสรั่วของสินค้านี้ต่ํามาก, ต่ํากว่า 1 μ A.มันยังมีประหยัดและมีความน่าเชื่อถือสูง, ทําให้มันเป็นตัวเลือกที่ดีสําหรับการใช้งานพลังงานความดันสูง
REASUNOS High Voltage MOSFET นําเสนอในราคาที่แข่งขันด้วยการบรรจุท่อกันฝุ่น, กันน้ํา, และต่อต้านสแตติก, วางอยู่ในกล่องกระดาษในกล่องกล่อง.ขึ้นอยู่กับปริมาณทั้งหมดและเงื่อนไขการชําระเงินคือ 100% T / T ในล่วงหน้า (EXW). ผลิตภัณฑ์นี้มีให้เลือกในระดับความแรงดันที่หลากหลายและถูกจัดจําหน่ายในปริมาณมากถึง 5KK / เดือน.
การสนับสนุนและบริการ:
การสนับสนุนและบริการทางเทคนิค MOSFET ความดันสูง
การเริ่มต้นกับ MOSFET ความดันสูง อาจเป็นภารกิจที่น่าทึ่ง เพื่อให้แน่ใจว่าคุณจะได้รับผลประโยชน์สูงสุดจากสินค้าของคุณ เราให้การสนับสนุนทางเทคนิคและบริการ
ทีมงานสนับสนุนทางเทคนิคของเราพร้อมที่จะตอบคําถามใด ๆ ที่คุณอาจมี เราสามารถติดต่อได้ทางโทรศัพท์, อีเมล หรือผ่านดอฟไลน์ของเราเรายังให้การสอนและคู่มือออนไลน์ เพื่อช่วยให้คุณเริ่มต้นทํางานได้เร็ว.
เรายังให้บริการหลายอย่าง เพื่อช่วยให้ผลิตภัณฑ์ของคุณทํางานได้เรียบร้อย เราสามารถให้บริการด้านการบํารุงรักษาและซ่อมแซมรวมถึงการปรับปรุงและเสริมสร้าง เพื่อให้แน่ใจว่าสินค้าของคุณจะทํางานได้ดีที่สุด.
หากคุณมีปัญหาใด ๆ กับ MOSFET ความดันสูงของคุณ ไม่ลังเลที่จะติดต่อเรา เราอยู่ที่นี่เพื่อช่วย!
การบรรจุและการขนส่ง
ผลิตภัณฑ์ MOSFET ความดันสูงต้องถูกบรรจุและส่งให้ถูกต้อง เพื่อให้แน่ใจว่าผลิตภัณฑ์ยังคงปลอดภัยและใช้งานได้ในระหว่างการขนส่งผลิตภัณฑ์ทั้งหมดถูกบรรจุไว้อย่างปลอดภัยในกระดาษกระเป๋า และวางอยู่ในกล่องกระดาษกล่อง. กล่องจะปิดด้วยเทปบรรจุและติดป้ายด้วยชื่อของลูกค้า, ที่อยู่, และข้อมูลที่เกี่ยวข้องอื่น ๆ เรายังให้ข้อมูลการติดตามตามตามคําขอลูกค้ารับผิดชอบสําหรับค่าจัดส่งเพิ่มเติมใด ๆ สําหรับผลิตภัณฑ์ MOSFET ความดันสูงของพวกเขา.
FAQ:
Q1: MOSFET ความดันสูงคืออะไร?
A1: MOSFET ความดันสูง เป็นชนิดของทรานซิสเตอร์ที่มีผลสนาม (FET) ที่มีความสามารถในการทํางานในความดันสูงเป็นสวิตช์ไฟฟ้าที่ใช้ควบคุมการไหลของกระแสในวงจร.
Q2: ชื่อแบรนด์ของ MOSFET ความดันสูงคืออะไร?
A2: MOSFET ความดันสูงถูกผลิตโดย REASUNOS
Q3: MOSFET ความดันสูงถูกผลิตที่ไหน?
A3: MOSFET ความดันสูงถูกผลิตในกรุงกวนดง ประเทศจีน
Q4: ราคาของ MOSFET ความดันสูงคืออะไร?
A4: ราคาของ MOSFET ความดันสูงถูกกําหนดโดยผลิตภัณฑ์. กรุณาติดต่อผู้จําหน่ายสําหรับราคาเฉพาะเจาะจง.
Q5: MOSFET ความดันสูงถูกบรรจุอย่างไร?
A5: MOSFET ความดันสูงถูกบรรจุไว้ในบรรจุท่อกันฝุ่น กันน้ํา และกันสแตติก ใส่ในกล่องกระดาษกล่อง
แนะนำผลิตภัณฑ์
