Praktische N-type Automotive Sic Mosfet, UPS Power Supply Sic Transistor
Plaats van herkomst | Guangdong, CN |
---|---|
Merknaam | REASUNOS |
Min. bestelaantal | 600 |
Prijs | Confirm price based on product |
Verpakking Details | Stof-, waterdichte en antistatische buisvormige verpakking, geplaatst in een kartonnen doos in karto |
Levertijd | 2-30 dagen (afhankelijk van de totale hoeveelheid) |
Betalingscondities | 100% T/T vooraf (EXW) |
Levering vermogen | 5KK/maand |

Contacteer me voor vrije steekproeven en coupons.
Whatsapp:0086 18588475571
wechatten: 0086 18588475571
Skypen: sales10@aixton.com
Als u om het even welke zorg hebt, verstrekken wij de online-Help van 24 uur.
xefficiëntie | Hoog rendement | Toepassing | Zonne-omvormer, hoogspannings-DC/DC-omzetter, motordriver, UPS-voeding, schakelende voeding, laadsta |
---|---|---|---|
Naam van het product | Siliciumcarbide MOSFET | Frequentie | Hoge Frequentie |
Materiaal | Siliciumcarbide | Apparatentype | MOSFET |
Kracht | Hoge macht | Voordelen | Gebaseerd op de nationale militaire standaardproductielijn, is het proces stabiel en is de kwaliteit |
Markeren | Praktische automotive Sic Mosfet,N Type Automotive Sic Mosfet,Stroomvoorziening Sic-transistor |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1 | RSM065030W | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-3 | 600 | |
2 | RSM065030Z | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-4 | 600 | |
3 | RSM065060W | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-3 | 600 | |
4 | RSM065060Z | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-4 | 600 | |
5 | RSM120018Z | N | 105 | 1200 | 18 | 26 | TO247-4 | 600 | |
6 | RSM120025W | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-3 | 600 | |
7 | RSM120025Z | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-4 | 600 | |
8 | RSM120040W | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-3 | 600 | |
9 | RSM120040Z | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-4 | 600 | |
10 | RSM120075W | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-3 | 600 | |
11 | RSM120075Z | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-4 | 600 | |
12 | RSM120080W | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-3 | 600 | |
13 | RSM120080Z | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-4 | 600 | |
14 | RSM120160W | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-3 | 600 | |
15 | RSM120160Z | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-4 | 600 | |
16 | RSM1701K0W | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-3 | 600 | |
17 | RSM1701K0Z | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-4 | 600 | |
18 | RSM170045W | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-3 | 600 | |
19 | RSM170045Z | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-4 | 600 |
Hoogfrequente siliciumcarbide-metaal-oxide-halfgeleider voor UPS-stroomvoorziening
Productbeschrijving:
MOSFET's van siliciumcarbide, ook bekend als metalen-oxide-halfgeleiderveld-effecttransistoren (MOSFET's),zijn geavanceerde halfgeleiderapparaten die een superieure prestatie en energie-efficiëntie kunnen bieden in een breed scala van toepassingenGemaakt van siliciumcarbide (SiC), zijn deze Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors ontworpen om lage weerstand en hoge vermogen te bieden.
Dit siliciumcarbide MOSFET wordt geproduceerd op een nationale militaire standaard productielijn, waardoor het proces stabiel is en de kwaliteit betrouwbaar is.met inbegrip van lage weerstandDit product is ontworpen om een betrouwbare en stabiele prestatie te bieden in de krachtelektronica, automotive, industriële,en andere toepassingen.
Met zijn lage weerstand en hoge vermogen maakt Silicon Carbide MOSFET een ideale oplossing voor krachtelektronica, automotive, industriële en andere toepassingen.,op basis van de nationale militaire standaard productielijn, zorgt voor processtabiliteit en kwaliteitsbetrouwbaarheid.
Technische parameters:
Parameter | Waarde |
---|---|
Typ van apparaat | Metalen-oxide-halfgeleider (MOS) veld-effect transistor (FET) |
Materiaal | Siliciumcarbide (SiC) |
Type | N |
Productnaam | MOSFET van siliciumcarbide |
Toepassing | Solar Inverter, High-voltage DC/DC Converter, Motor Driver, UPS stroomvoorziening, Schakelstroomvoorziening, Charging Stack, enz. |
Frequentie | Hoge frequentie |
Kracht | Hoge macht |
Efficiëntie | Hoge efficiëntie |
Voordelen | Gebaseerd op de nationale militaire standaard productielijn, het proces is stabiel en de kwaliteit is betrouwbaar |
Resistentie | Weinig weerstand |
Toepassingen:
Productnaam:MOSFET van siliciumcarbide
Merknaam:REDEN
Plaats van oorsprong:Guangdong, GN
Materiaal:Siliciumcarbide
Typ van apparaat:MOSFET
Vermogen:Hoge macht
Weerstand:Weinig weerstand
Minimale bestelhoeveelheid:600
Prijs:Bevestig de prijs op basis van het product
Verpakking:Stof-, waterdichte en antistatische buisvormige verpakking, geplaatst in een kartonnen doos in kartonnen dozen.
Levertijd:2-30 dagen (afhankelijk van de totale hoeveelheid)
Betalingsvoorwaarden:100% T/T vooraf (EXW)
Toeleveringskracht:5KK/maand
REASUNOS Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor (SiC MOSFET) is een hoog vermogen, laag weerstand MOSFET met superieure prestaties en betrouwbaarheid.Het is ontworpen voor gebruik in een breed scala van toepassingen, zoals motorbesturing, krachtomzetting, hernieuwbare energie en automotive.
REASUNOS SiC MOSFET's zijn in staat om hoge stroom- en hoge temperatuuroperaties te verwerken, dankzij hun superieure thermische prestaties en lage poortcapaciteit.Ze vertonen ook een lage poortlading en een snelle schakelingssnelheidBovendien zijn ze geschikt voor veeleisende toepassingen op het gebied van vermogenconversie vanwege hun lage weerstand en hun superieure robuustheid.
REASUNOS Silicon Carbide MOSFET's worden vervaardigd met geavanceerde technieken en hoogwaardige materialen, die een betrouwbare prestatie en langdurige betrouwbaarheid garanderen.Ze zijn verkrijgbaar in verschillende verpakkingen en maten., met een breed scala aan vermogen, waardoor ze geschikt zijn voor verschillende toepassingen.
Ondersteuning en diensten:
We zijn vastbesloten om u van de hoogste kwaliteit Silicon Carbide MOSFET producten en diensten te leveren.Onze ervaren technische ondersteuning team is hier om u te voorzien van de hulp en advies die u nodig heeft om het meeste uit uw Silicon Carbide MOSFETs.
Wij bieden uitgebreide technische ondersteuning en diensten voor al onze producten, waaronder:
- Installatie- en installatiehulp
- Probleemoplossing van hardware en software
- Probleemoplossing en reparatie
- Technische documentatie en gebruikersgids
- Productverbeteringen en -updates
- Opleiding en technisch advies
Wij verlenen ook voortdurende ondersteuning en onderhoudsdiensten, zoals:
- Voortgaande productontwikkeling en -tests
- Productoptimalisatie en -aanpassing
- Software- en firmware-updates
- Monitoring en optimalisatie van de prestaties
- 24/7 klantenservice en technische ondersteuning
Als u vragen heeft of hulp nodig heeft met een van onze producten, aarzel dan niet om contact met ons op te nemen.
Verpakking en verzending:
Silicon Carbide MOSFET's zijn gevoelig voor ESD en kunnen tijdens de verzending beschadigd raken als ze niet goed verpakt zijn.
Silicon Carbide MOSFET's moeten individueel worden verpakt in antistatisch, elektrostatisch afschermend materiaal.Dit materiaal moet in staat zijn om elke statische lading die zich tijdens het vervoer kan ophopen, te verdrijven.De verpakking dient tevens te worden verzegeld met een vergrendeling tegen manipulatie om ervoor te zorgen dat het product niet is geopend of is verpest.
Silicon Carbide MOSFET's moeten worden verzonden via een betrouwbare vervoerder die tracking en levering bevestiging biedt.De verpakking moet worden gemarkeerd met een Fragile-sticker om aan te geven dat bij het hanteren van de verpakking extra voorzichtigheid moet worden betracht.Bovendien dient een antistatische verpakking te worden gebruikt om elektrostatische ontlading te voorkomen.
Vragen:
Vragen en antwoorden over siliciumcarbide MOSFET
V: Wat is de merknaam van Silicon Carbide MOSFET?A: De merknaam van Silicon Carbide MOSFET is REASUNOS.
V: Waar is de plaats van oorsprong van siliciumcarbide MOSFET?
A: De oorsprong van Silicon Carbide MOSFET is Guangdong, China.
V: Wat is de minimale bestelhoeveelheid van siliciumcarbide MOSFET?
A: De minimale bestelhoeveelheid Silicon Carbide MOSFET is 600 stuks.
V: Wat is de prijs van Silicon Carbide MOSFET?
A: De prijs van Silicon Carbide MOSFET is afhankelijk van het productsoort.
V: Wat is de verpakking van Silicon Carbide MOSFET?
A: De verpakking van Silicon Carbide MOSFET is stofdicht, waterdicht en antistatisch buisvormig, geplaatst in een kartonnen doos in kartonnen dozen.
V: Hoe lang is de levertijd voor Silicon Carbide MOSFET?
A: De levertijd voor Silicon Carbide MOSFET is 2-30 dagen, afhankelijk van de totale hoeveelheid.
V: Wat zijn de betalingsvoorwaarden voor Silicon Carbide MOSFET?
A: De betalingsvoorwaarden voor siliciumcarbide-MOSFET zijn 100% T/T in advance (EXW).
V: Hoeveel stuks Silicon Carbide MOSFET kunnen per maand worden geleverd?
A: We kunnen 5K Silicon Carbide MOSFET stukken per maand leveren.