نوع عملی N اتومبیل سیک موسفیت، UPS منبع برق سیک ترانزیستور
محل منبع | گوانگدونگ، CN |
---|---|
نام تجاری | REASUNOS |
مقدار حداقل تعداد سفارش | 600 |
قیمت | Confirm price based on product |
جزئیات بسته بندی | بسته بندی لوله ای ضد گرد و غبار، ضد آب و ضد الکتریسیته ساکن، داخل جعبه مقوایی در کارتن قرار داده شده |
زمان تحویل | 2-30 روز (بستگی به مقدار کل دارد) |
شرایط پرداخت | 100% T/T پیشاپیش (EXW) |
قابلیت ارائه | 5KK در ماه |

برای نمونه و کوپن رایگان با من تماس بگیرید.
واتس اپ:0086 18588475571
ویچت: 0086 18588475571
اسکایپ: sales10@aixton.com
اگر نگرانی دارید، ما به صورت آنلاین 24 ساعته راهنمایی می کنیم.
xکارایی | بازدهی بالا | درخواست | اینورتر خورشیدی، مبدل DC/DC ولتاژ بالا، درایور موتور، منبع تغذیه UPS، منبع تغذیه سوئیچینگ، شمع شارژ |
---|---|---|---|
نام محصول | ماسفت سیلیکون کاربید | فرکانس | فرکانس بالا |
مواد | سیلیکون کاربید | نوع وسیله | ماسفت |
قدرت | قدرت بالا | مزایای | بر اساس خط تولید استاندارد نظامی ملی، فرآیند پایدار و کیفیت قابل اعتماد است |
برجسته کردن | ماشین آلات عملی Sic Mosfet,N نوع موتورسیک موزفیت,منبع برق ترانزیستور Sic,N Type Automotive Sic Mosfet,Power Supply Sic Transistor |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1 | RSM065030W | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-3 | 600 | |
2 | RSM065030Z | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-4 | 600 | |
3 | RSM065060W | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-3 | 600 | |
4 | RSM065060Z | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-4 | 600 | |
5 | RSM120018Z | N | 105 | 1200 | 18 | 26 | TO247-4 | 600 | |
6 | RSM120025W | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-3 | 600 | |
7 | RSM120025Z | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-4 | 600 | |
8 | RSM120040W | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-3 | 600 | |
9 | RSM120040Z | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-4 | 600 | |
10 | RSM120075W | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-3 | 600 | |
11 | RSM120075Z | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-4 | 600 | |
12 | RSM120080W | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-3 | 600 | |
13 | RSM120080Z | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-4 | 600 | |
14 | RSM120160W | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-3 | 600 | |
15 | RSM120160Z | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-4 | 600 | |
16 | RSM1701K0W | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-3 | 600 | |
17 | RSM1701K0Z | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-4 | 600 | |
18 | RSM170045W | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-3 | 600 | |
19 | RSM170045Z | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-4 | 600 |
سیلیکون کاربید فلزی-اکسید-نیم رسانای فرکانس بالا برای منبع برق UPS
توضیحات محصول:
MOSFETهای کربید سیلیکون، که به عنوان ترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید-نیم رسانا (MOSFET) نیز شناخته می شوند،دستگاه های نیمه هادی پیشرفته ای هستند که می توانند عملکرد برتر و بهره وری انرژی را در طیف گسترده ای از برنامه ها ارائه دهند.ساخته شده از سیلیکون کاربید (SiC) ، این ترانزیستورهای فلزی اکسید نیمه هادی اثر میدان طراحی شده اند تا مقاومت کم و عملکرد قدرت بالا را ارائه دهند.
این سیلیکون کربید MOSFET در یک خط تولید استاندارد نظامی ملی تولید می شود، اطمینان حاصل شود که فرآیند پایدار است و کیفیت قابل اعتماد است.از جمله مقاومت کم، قدرت بالا و عملکرد برتر در طیف گسترده ای از برنامه های کاربردی. این محصول طراحی شده است برای ارائه عملکرد قابل اعتماد و پایدار در الکترونیک قدرت، خودرو، صنعتی،و سایر برنامه ها.
با مقاومت کم و عملکرد قدرت بالا، سیلیکون کارباید MOSFET آن را به یک راه حل ایده آل برای الکترونیک قدرت، خودرو، صنعتی و سایر کاربردهای دیگر تبدیل می کند.,بر اساس خط تولید استاندارد نظامی ملی، ثبات فرآیند و قابلیت اطمینان کیفیت را تضمین می کند.
پارامترهای فنی:
پارامتر | ارزش |
---|---|
نوع دستگاه | ترانزیستور اثر میدان فلزی اکسید نیمه هادی (MOS) |
مواد | سیلیکون کارباید (SiC) |
نوع | N |
نام محصول | MOSFET کربید سیلیکون |
درخواست | اینورتر خورشیدی، کنورتر DC/DC ولتاژ بالا، راننده موتور، منبع برق UPS، منبع برق سوئیچینگ، انبار شارژ، و غیره |
فرکانس | فرکانس بالا |
قدرت | قدرت بالا |
کارایی | کارایی بالا |
مزایا | بر اساس خط تولید استاندارد نظامی ملی، فرآیند پایدار است و کیفیت قابل اعتماد است |
مقاومت | مقاومت کم |
کاربردها:
نام محصول:MOSFET کربید سیلیکون
نام تجاری:دلايل
محل تولید:گوانگ دونگ، CN
ماده:کربید سیلیکون
نوع دستگاه:MOSFET
قدرت:قدرت بالا
مقاومت:مقاومت کم
حداقل مقدار سفارش:600
قیمت:تایید قیمت بر اساس محصول
جزئیات بسته بندی:بسته بندی لوله ای ضد گرد و غبار، ضد آب و ضد استاتیک، داخل یک جعبه کارتن در کارتن قرار داده شده است.
زمان تحویل:2-30 روز (بسته به کل مقدار)
شرایط پرداخت:100% T/T پیش پرداخت
قدرت عرضه:5KK/ماه
REASUNOS سیلیکون کربید متال اکسید نیمه هادی ترانزیستور اثر میدان (SiC MOSFET) یک قدرت بالا، مقاومت پایین در MOSFET با عملکرد و قابلیت اطمینان برتر است.برای استفاده در طیف گسترده ای از برنامه های کاربردی طراحی شده است، مانند کنترل موتور، تبدیل قدرت، انرژی های تجدید پذیر و خودرو.
MOSFET های REASUNOS SiC می توانند با توجه به عملکرد حرارتی برتر و ظرفیت دروازه پایین، عملیات جریان بالا و دمای بالا را اداره کنند.آنها همچنین دارای شارژ دروازه پایین و سرعت سوئیچ سریع، که آنها را برای کاربردهای سوئیچینگ فرکانس بالا ایده آل می کند. علاوه بر این، مقاومت پایین در حالت فعال و مقاومت برتر آنها را برای کاربردهای تبدیل قدرت تقاضا مناسب می کند.
MOSFET های کربید سیلیکون REASUNOS با تکنیک های پیشرفته و مواد با کیفیت بالا تولید می شوند که عملکرد قابل اعتماد و قابلیت اطمینان طولانی مدت را تضمین می کنند.آنها در بسته بندی های مختلف و اندازه های مختلف در دسترس هستند، با طیف گسترده ای از قدرت های نامگذاری شده، آنها را برای کاربردهای مختلف مناسب می کند.
پشتیبانی و خدمات:
ما متعهد به ارائه شما با بالاترین کیفیت محصولات و خدمات سیلیکون کاربید MOSFET هستیم.تیم پشتیبانی فنی با تجربه ما در اینجا برای ارائه کمک و مشاوره به شما نیاز دارید تا بیشترین استفاده را از MOSFET های کربید سیلیکون خود داشته باشید.
ما پشتیبانی فنی و خدمات جامع را برای تمام محصولات خود ارائه می دهیم، از جمله:
- کمک به نصب و راه اندازی
- رفع مشکلات سخت افزار و نرم افزار
- عیب یابی و تعمیر
- اسناد فنی و راهنمای کاربر
- ارتقا و به روز رسانی محصولات
- آموزش و مشاوره فنی
ما همچنین خدمات پشتیبانی و نگهداری مداوم را ارائه می دهیم، مانند:
- توسعه و آزمایش محصولات در حال انجام
- بهینه سازی محصول و سفارشی سازی
- به روز رسانی نرم افزار و نرم افزار
- نظارت و بهینه سازی عملکرد
- خدمات مشتری 24/7 و پشتیبانی فنی
اگر سوالی دارید یا نیاز به کمک در مورد هر یک از محصولات ما دارید، لطفاً با ما تماس بگیرید.
بسته بندی و حمل:
MOSFET های کربید سیلیکون نسبت به ESD حساس هستند و اگر به درستی بسته بندی نشوند در طول حمل و نقل آسیب می بینند. بنابراین بسته بندی و حمل و نقل مناسب برای MOSFET های کربید سیلیکون ضروری است.
MOSFET های کربید سیلیکون باید به صورت جداگانه در مواد ضد استاتیک و محافظ الکتروستاتیک بسته بندی شوند.این ماده باید قادر به از بین بردن هر بار استاتیک که ممکن است در طول حمل و نقل ایجاد شود باشد.بسته بندی نیز باید با مهر و موم ضد دستکاری بسته بندی شود تا اطمینان حاصل شود که محصول باز نشده یا دستکاری نشده است.
MOSFET های کربید سیلیکون باید از طریق یک حامل قابل اعتماد ارسال شوند که ردیابی و تأیید تحویل را ارائه دهد.بسته بندی باید با برچسب "Fragile" نشان داده شود تا نشان دهد که باید در هنگام دست زدن به بسته به دقت بیشتری توجه شود.علاوه بر این، یک پوشش بسته ضد ایستاتیک باید برای جلوگیری از تخلیه الکترواستاتیک استفاده شود.
سوالات متداول:
سوالات و پاسخ ها در مورد سیلیکون کارباید MOSFET
سوال: نام تجاری سیلیکون کاربید MOSFET چیست؟ج: نام تجاری سیلیکون کاربید MOSFET REASUNOS است.
سوال: محل منشأ سیلیکون کاربید MOSFET کجاست؟
ج: محل منشأ سیلیکون کاربید MOSFET گوانگدونگ، چین است.
سوال: حداقل مقدار سفارش سیلیکون کاربید MOSFET چیست؟
ج: حداقل مقدار سفارش سیلیکون کاربید MOSFET 600 عدد است.
سوال: قیمت سیلیکون کاربید موسفیت چیست؟
A: قیمت سیلیکون کاربید MOSFET بسته به نوع محصول است. لطفا برای قیمت خاص محصول با ما تماس بگیرید.
س: بسته بندی سیلیکون کاربید MOSFET چیست؟
A: بسته بندی سیلیکون کاربید MOSFET ضد گرد و غبار، ضد آب و ضد جامد است بسته بندی لوله ای، قرار داده شده در داخل یک جعبه کارتن در کارتن.
س: زمان تحویل برای سیلیکون کارباید MOSFET چقدر است؟
A: زمان تحویل برای سیلیکون کاربید MOSFET 2-30 روز است، بسته به کل مقدار.
سوال: شرایط پرداخت برای سیلیکون کاربید MOSFET چیست؟
ج: شرایط پرداخت برای سیلیکون کارباید MOSFET 100٪ T / T پیش پرداخت (EXW) است.
س: چند قطعه از سیلیکون کاربید MOSFET می تواند در ماه عرضه شود؟
پاسخ: ما می توانیم 5 هزار قطعه سیلیکون کاربید MOSFET در ماه تامین کنیم.