Productomschrijving

Productbeschrijving:

Silicon Carbide (SiC) Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors (MOSFET's) zijn krachtige halfgeleiders die zeer efficiënt zijn, een hoge frequentie hebben,en zijn gemaakt van een uniek materiaalSiC-MOSFET's worden veel gebruikt in verschillende toepassingen, zoals zonne-omvormers, DC/DC-omvormers met hoogspanning, motorrijders, UPS-stroomvoorzieningen, schakelstroomvoorzieningen en oplaadpijlen.Deze apparaten hebben een hoog rendement en een breed bereik van werktemperaturenBovendien bieden SiC-MOSFET's een breed scala aan voordelen, zoals verbeterde schakelprestaties, lagere warmteafvoer,en een hogere draagcapaciteitAls zodanig zijn SiC MOSFET's geschikt voor een verscheidenheid aan toepassingen in de krachtelektronica-industrie.

Technische parameters:

Naam van het product	MOSFET van siliciumcarbide
Type	N
Voordelen	Gebaseerd op de nationale militaire standaard productielijn, het proces is stabiel en de kwaliteit is betrouwbaar
Toepassing	Solar Inverter, High-voltage DC/DC Converter, Motor Driver, UPS stroomvoorziening, Schakelstroomvoorziening, Charging Stack, enz.
Efficiëntie	Hoge efficiëntie
Resistentie	Weinig weerstand
Typ van apparaat	MOSFET
Kracht	Hoge macht
Frequentie	Hoge frequentie
Materiaal	Siliciumcarbide

Toepassingen:

Silicon Carbide MOSFETs, of Silicon Carbide Field Effect Transistors (SCFETs), zijn metaal-oxide-halfgeleiderveld-effect transistors (MOSFETs) gemaakt van siliciumcarbide materialen.Deze apparaten bieden vele voordelenREASUNOS, gevestigd in Guangdong, is een toonaangevende fabrikant van Silicon Carbide MOSFET's.Hun Silicon Carbide MOSFET's worden geproduceerd op een nationale militaire standaard productielijn.Deze Silicon Carbide MOSFET's zijn ontworpen voor een breed scala aan toepassingen, zoals energiebeheer, batterijbeheer, motorbesturing,en vermogensomzettingDeze apparaten zijn verkrijgbaar in minimale bestellingen van 600 stuks en hebben een concurrerende prijs, afhankelijk van het product.waterdicht, en antistatische buisvormige verpakkingen, geplaatst in een kartonnen doos in kartonnen dozen voor veilige levering.en levertijden van 2-30 dagen afhankelijk van de totale hoeveelheid. Betalingsvoorwaarden zijn 100% T/T in Advance (EXW). Over het algemeen zijn REASUNOS Silicon Carbide MOSFET's een ideale keuze voor klanten die op zoek zijn naar betrouwbare hoogfrequente schakelprestaties en lage weerstand.

Ondersteuning en diensten:

Silicon Carbide MOSFET biedt technische ondersteuning en diensten om klanten te helpen het meeste uit hun producten te halen.installatie en technische bijstandDe diensten omvatten productonderhoud, vervanging en reparatie, producttesting en opvoeding van klanten.

Verpakking en verzending:

Verpakking en verzending van siliciumcarbide MOSFET:

De Silicon Carbide MOSFET is veilig verpakt in een antistatische zak.
Het apparaat wordt verzonden in een statisch afgeschermde doos.
Alle apparaten worden geïnspecteerd voor verzending.

Vragen:

V1: Wat is de merknaam van het siliciumcarbide MOSFET?: A1: De merknaam van het siliciumcarbide MOSFET is REASUNOS.
V2: Waar is de plaats van oorsprong van het siliciumcarbide MOSFET?: A2: De plaats van oorsprong van het siliciumcarbide-MOSFET is Guangdong, China.
V3: Wat is de minimale bestelhoeveelheid voor siliciumcarbide MOSFET?: A3: De minimale orderhoeveelheid voor siliciumcarbide-MOSFET is 600.
V4: Hoe lang duurt het voordat Silicon Carbide MOSFET wordt geleverd?: A4: De levertijd voor siliciumcarbide MOSFET is 2-30 dagen (afhankelijk van de totale hoeveelheid).
V5: Wat zijn de betalingsvoorwaarden voor siliciumcarbide MOSFET?: A5: De betalingsvoorwaarden voor siliciumcarbide MOSFET zijn 100% T/T in Advance ((EXW).

Markeringen:

Plaats van herkomst	Guangdong, CN
Merknaam	REASUNOS
Min. bestelaantal	600
Prijs	Confirm price based on product
Verpakking Details	Stof-, waterdichte en antistatische buisvormige verpakking, geplaatst in een kartonnen doos in karto
Levertijd	2-30 dagen (afhankelijk van de totale hoeveelheid)
Betalingscondities	100% T/T vooraf (EXW)
Levering vermogen	5KK/maand

	No.	Part No.	Type	ID(A)	VDSS(V)	RDS(ON) Typ(mΩ)	RDS(ON) Max(mΩ)	Package	MOQ(pcs)
checkbox	1	RSM065030W	N	55	650	30	50	TO247-3	600
checkbox	2	RSM065030Z	N	55	650	30	50	TO247-4	600
checkbox	3	RSM065060W	N	29	650	60	79	TO247-3	600
checkbox	4	RSM065060Z	N	29	650	60	79	TO247-4	600
checkbox	5	RSM120018Z	N	105	1200	18	26	TO247-4	600
checkbox	6	RSM120025W	N	90	1200	25	34	TO247-3	600
checkbox	7	RSM120025Z	N	90	1200	25	34	TO247-4	600
checkbox	8	RSM120040W	N	68	1200	40	55	TO247-3	600
checkbox	9	RSM120040Z	N	68	1200	40	55	TO247-4	600
checkbox	10	RSM120075W	N	33	1200	75	95	TO247-3	600
checkbox	11	RSM120075Z	N	33	1200	75	95	TO247-4	600
checkbox	12	RSM120080W	N	36	1200	80	98	TO247-3	600
checkbox	13	RSM120080Z	N	36	1200	80	98	TO247-4	600
checkbox	14	RSM120160W	N	18	1200	160	196	TO247-3	600
checkbox	15	RSM120160Z	N	18	1200	160	196	TO247-4	600
checkbox	16	RSM1701K0W	N	5	1700	1000	1300	TO247-3	600
checkbox	17	RSM1701K0Z	N	5	1700	1000	1300	TO247-4	600
checkbox	18	RSM170045W	N	72	1700	45	70	TO247-3	600
checkbox	19	RSM170045Z	N	72	1700	45	70	TO247-4	600

Hoge Machtsmosfet

Siliciumcarbide MOSFET

Super Junction MOSFET

Siliciumcarbide SBD

Hoogspanningsmosfet

Laagspannings-MOSFET

IGBT met hoog vermogen

Schottky-Barrièredioden

Hoogvermogend halfgeleider

SIC Power halfgeleider

Multifunktioneel siliciumcarbide MOSFET Hoogspanning voor converter