Мультифункциональный КАРБИД КРЕМЕНТНЫЙ MOSFET высокое напряжение для преобразователя
Место происхождения | Гуандун, CN |
---|---|
Фирменное наименование | REASUNOS |
Количество мин заказа | 600 |
Цена | Confirm price based on product |
Упаковывая детали | Прочная, водонепроницаемая и антистатическая трубчатая упаковка, помещенная в картонную коробку в ка |
Время доставки | 2-30 дней (зависит от общего количества) |
Условия оплаты | 100% T/T заранее ((EXW) |
Поставка способности | 5кк/месяц |

Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.
WhatsApp:0086 18588475571
Вичат: 0086 18588475571
Скайп: sales10@aixton.com
Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.
xэффективность | Высокая эффективность | Частота | Высокочастотный |
---|---|---|---|
Сопротивление | Низкое сопротивление | Преимущества | Основанный на производственной линии национального военного стандарта, процесс стабилен, а качество |
Наименование продукта | МОП-транзистор из карбида кремния | Применение | Солнечный инвертор, высоковольтный преобразователь постоянного тока в постоянный, драйвер двигателя, |
Материал | Силиконовый карбид | Тип прибора | MOSFET |
Выделить | Мультифункциональный КАРБИД КРЕДИОННЫЙ MOSFET,Силиконовый карбид MOSFET высокое напряжение,Преобразователь Мосфета в серии высокого напряжения |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1 | RSM065030W | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-3 | 600 | |
2 | RSM065030Z | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-4 | 600 | |
3 | RSM065060W | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-3 | 600 | |
4 | RSM065060Z | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-4 | 600 | |
5 | RSM120018Z | N | 105 | 1200 | 18 | 26 | TO247-4 | 600 | |
6 | RSM120025W | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-3 | 600 | |
7 | RSM120025Z | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-4 | 600 | |
8 | RSM120040W | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-3 | 600 | |
9 | RSM120040Z | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-4 | 600 | |
10 | RSM120075W | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-3 | 600 | |
11 | RSM120075Z | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-4 | 600 | |
12 | RSM120080W | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-3 | 600 | |
13 | RSM120080Z | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-4 | 600 | |
14 | RSM120160W | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-3 | 600 | |
15 | RSM120160Z | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-4 | 600 | |
16 | RSM1701K0W | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-3 | 600 | |
17 | RSM1701K0Z | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-4 | 600 | |
18 | RSM170045W | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-3 | 600 | |
19 | RSM170045Z | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-4 | 600 |
Описание продукта:
Силиконовый карбид (SiC) Металло-оксид-полупроводниковый транзистор с полевым эффектом (MOSFET) - это высокопроизводительные полупроводники мощности, которые высокоэффективны, имеют высокую частоту,и сделаны из уникального материала. SiC MOSFET широко используются в различных приложениях, таких как солнечные инверторы, высоковольтные конвертеры постоянного тока / постоянного тока, драйверы двигателей, источники питания UPS, переключающие источники питания и зарядные свай.Эти устройства отличаются высокой эффективностью и имеют широкий диапазон температур работыКроме того, SiC MOSFET предлагают широкий спектр преимуществ, таких как улучшенная производительность переключения, меньшее рассеивание тепла,и более высокая пропускная способностьТаким образом, SiC MOSFET хорошо подходят для различных приложений в электротехнической промышленности.
Технические параметры:
Наименование продукта | Силиконокарбидный МОСФЕТ |
---|---|
Тип | N |
Преимущества | На основе национальной военной стандартной производственной линии, процесс стабилен и качество надежно |
Применение | Солнечный инвертор, высоковольтный преобразователь постоянного тока/ постоянного тока, драйвер двигателя, подача электроэнергии UPS, переключатель питания, зарядная куча и т.д. |
Эффективность | Высокая эффективность |
Сопротивление | Низкое сопротивление |
Тип устройства | MOSFET |
Сила | Высокая власть |
Частота | Высокая частота |
Материал | Силиконовый карбид |
Применение:
Поддержка и услуги:
Силиконовый карбид MOSFET предоставляет техническую поддержку и услуги, чтобы помочь клиентам получить максимальную отдачу от своих продуктов.установка и техническая помощьУслуги включают техническое обслуживание продукции, замену и ремонт, тестирование продукции и обучение клиентов.
Упаковка и перевозка:
Силиконовый карбид MOSFET упаковка и перевозка:
- Силиконовый карбид MOSFET надежно упакован в антистатический пакет.
- Устройство поставляется в статически защищенной коробке.
- Все устройства проверяются перед отправкой.
Часто задаваемые вопросы
- Вопрос 1: Как называется бренд КАРБИДОГРУБНОГО МОСФЕТА?
- Ответ 1: Торговая марка КАРБИДОвого КРЕМЕНТА является REASUNOS.
- Вопрос 2: Где находится место происхождения КАРБИДОВОГО МОСФЕТА?
- A2: Место происхождения карбидного кремниевого MOSFET - Гуандун, Китайская Народная Республика.
- Q3: Каково минимальное количество заказов для КАРБИДОВОГО МОСФЕТА?
- Ответ 3: Минимальное количество заказов для КАРБИДОВОГО МОСФЕТА составляет 600.
- Вопрос 4: Сколько времени требуется для доставки КАРБИТОВОГО МОСФЕТА?
- Ответ 4: Время доставки для КАРБИДОВОГО КАРБИДОВОГО МОСФЕТА составляет 2-30 дней (зависит от общего количества).
- Вопрос 5: Каковы условия оплаты для КАРБИДОВОГО КРУЗОФЕТА?
- A5: Условия оплаты для MOSFET из карбида кремния составляют 100% T/T заранее ((EXW).