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Haltbares Siliziumkarbid MOSFET Wärmeabbau für den Automobilbereich

  • Durable Silicon Carbide MOSFET Heat Dissipation For Automotive
Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Min Bestellmenge 600
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen Staubdichte, wasserdichte und antistatische Rohrverpackung, in Kartons in einer Kartonbox.
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

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Produktdetails
Material Siliziumkarbid Anwendung Solarwechselrichter, Hochspannungs-DC/DC-Wandler, Motortreiber, USV-Stromversorgung, Schaltnetzteil,
Effizienz Hohe Leistungsfähigkeit Produktbezeichnung Siliziumkarbid-MOSFET
Macht Hohe Leistung Widerstand Geringer Widerstand
Einheitentyp MOSFET Typ N
Hervorheben

Dauerhafte Siliziumkarbid-MOSFET

,

MOSFET aus Siliziumkarbid für die Automobilindustrie

,

Wärmeentwässerung Sic Mosfet Automotive
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RSM065030W N 55 650 30 50 TO247-3 600
2 RSM065030Z N 55 650 30 50 TO247-4 600
3 RSM065060W N 29 650 60 79 TO247-3 600
4 RSM065060Z N 29 650 60 79 TO247-4 600
5 RSM120018Z N 105 1200 18 26 TO247-4 600
6 RSM120025W N 90 1200 25 34 TO247-3 600
7 RSM120025Z N 90 1200 25 34 TO247-4 600
8 RSM120040W N 68 1200 40 55 TO247-3 600
9 RSM120040Z N 68 1200 40 55 TO247-4 600
10 RSM120075W N 33 1200 75 95 TO247-3 600
11 RSM120075Z N 33 1200 75 95 TO247-4 600
12 RSM120080W N 36 1200 80 98 TO247-3 600
13 RSM120080Z N 36 1200 80 98 TO247-4 600
14 RSM120160W N 18 1200 160 196 TO247-3 600
15 RSM120160Z N 18 1200 160 196 TO247-4 600
16 RSM1701K0W N 5 1700 1000 1300 TO247-3 600
17 RSM1701K0Z N 5 1700 1000 1300 TO247-4 600
18 RSM170045W N 72 1700 45 70 TO247-3 600
19 RSM170045Z N 72 1700 45 70 TO247-4 600
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Produkt-Beschreibung

Beschreibung des Produkts:

Silicon Carbide MOSFETs sind eine Art Metall-Oxid-Halbleiter-Feldwirkungstransistor (MOSFET), der auf der Silicon Carbide (SiC) -Feldwirkungstransistor (FET) -Technologie basiert.Diese Transistoren sind speziell für die Bereitstellung von hoher Leistung und hoher FrequenzZu ihren Hauptvorteilen gehören Zuverlässigkeit und Stabilität, die auf der nationalen militärischen Produktionslinie basiert.Siliziumkarbid-MOSFETs sind in der Lage, bei hohen Frequenzen zu arbeiten und haben eine breite Palette von Anwendungen in verschiedenen Bereichen wie Leistungselektronik, Industrieautomation, erneuerbare Energien und Automobilindustrie.

Die Silicon Carbide MOSFETs verfügen über hohe Leistung und hohe Frequenzleistung, was sie für eine Vielzahl von Anwendungen ideal macht.Sie sind auch sehr zuverlässig und stabil aufgrund ihres Produktionsprozesses, der auf der nationalen militärischen Produktionslinie basiert.Diese Transistoren werden in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt, die eine hohe Frequenz erfordern, wie z. B. Leistungselektronik, industrielle Automatisierung, erneuerbare Energien und die Automobilindustrie.

Siliziumkarbid-MOSFETs bieten viele Vorteile gegenüber traditionellen Silizium-basierten Transistoren.und im Betrieb zuverlässiger und stabiler sindSie sind auch für viele Anwendungen effizienter und kostengünstiger.

Zusammenfassend sind Siliziumkarbid-MOSFETs eine ausgezeichnete Wahl für Anwendungen, die eine hohe Leistung und hohe Frequenz erfordern.Sie sind sehr zuverlässig und stabil aufgrund der nationalen militärischen Standard-ProduktionslinieSie bieten auch höhere Leistungsdichten, höhere Betriebstemperaturen, höhere Frequenzen und sind effizienter und kostengünstiger als herkömmliche siliziumbasierte Transistoren.

 

Technische Parameter:

Produktbezeichnung MOSFET aus Siliziumkarbid
Material Siliziumkarbid
Effizienz Hohe Effizienz
Typ N
Anwendung Solarumrichter, Hochspannungs-Gleichspannungs-/Gleichspannungsumrichter, Motorantrieb, UPS-Stromversorgung, Schaltstromversorgung, Ladestelle usw.
Widerstand Niedriger Widerstand
Gerätetypen MOSFET
Häufigkeit Hochfrequenz
Vorteile Auf der Basis der nationalen Militärstandard-Produktionslinie ist der Prozess stabil und die Qualität zuverlässig.
Macht Hohe Macht
Schlüsselwörter MOSFET auf Basis von Siliziumkarbid, SiC-MOSFETs, SiC-Metall-Oxid-Halbleiter-Feldwirkungstransistoren.
 

Anwendungen:

DieMOSFET aus Siliziumkarbidist ein auf Siliziumcarbid basierender Metalloxid-Halbleitungsfeldwirkungstransistor, der zahlreiche Vorteile aufweist.,Dies macht es zu einer idealen Wahl für Anwendungen wie Solarumrichter, Hochspannungs-Gleichspannungs-/Gleichspannungsumrichter, Motordreiber, UPS-Stromversorgung, Schaltstromversorgung, Ladehaufen usw.Es wird nach der nationalen militärischen Produktionslinie hergestellt., was es zu einem sehr zuverlässigen Produkt macht.

DieMOSFET aus SiliziumkarbidEs gibt eine Mindestbestellmenge von 600 Stück und einen Preis, der vom Produkt abhängt.und antistatische Rohrverpackungen und werden in Kartons in einer KartonscheibeDie Lieferzeiten reichen von 2-30 Tagen, abhängig von der Gesamtmenge der Bestellung. Die Zahlungsbedingungen sind 100% T/T im Voraus (EXW).Das REASUNOS Silicon Carbide MOSFET kann bis zu 5K Stück pro Monat liefern.

 

Unterstützung und Dienstleistungen:

MOSFET-Technikunterstützung und Service für Siliziumkarbid

Wir bieten eine breite Palette an technischen Support- und Serviceoptionen für unsere Kunden von Silicon Carbide MOSFET an.Unser technisches Support-Team ist zur Verfügung, um Hilfe und Beratung für die effektive Nutzung und Anwendung unserer Produkte zu bieten.

Produktauswahl

Unser Team kann Ihnen bei der Auswahl des für Ihre Anwendung am besten geeigneten Produkts helfen.

Technische Unterstützung

Wir bieten technische und technische Unterstützung für unsere Silicon Carbide MOSFET Produkte.Unser Team steht Ihnen zur Verfügung, um alle Fragen zu den Produkten zu beantworten und Ihnen bei der Anwendung zu beraten..

Ausbildung

Wir bieten Schulungen für unsere Kunden an, um ihnen die Kenntnisse zu vermitteln, die sie benötigen, um unsere Produkte erfolgreich zu nutzen und anzuwenden.

Gewährleistung

Wir bieten eine umfassende Garantie für alle unsere Silicon Carbide MOSFET Produkte.Unsere Garantie deckt alle Herstellungsfehler ab und sieht Reparaturen und Ersetzungen im Falle eines Fehlers oder Ausfalls vor.

 

Verpackung und Versand:

Verpackung und Versand von Siliziumkarbid-MOSFET:

Siliziumkarbid-MOSFETs werden in hermetisch versiegelten Verpackungen verpackt, die das Gerät vor Feuchtigkeit und anderen Umweltbelastungen schützen sollen.Die Verpackung wird dann für einen weiteren Schutz in einen antistatischen Beutel gelegt.Das Paket wird dann in eine Schachtel gelegt und an den Kunden verschickt.

 

Häufige Fragen:

  • F: Was ist der Markenname von Silicon Carbide MOSFET?
    A: Der Markenname ist REASUNOS.
  • F: Woher stammt Siliziumkarbid-MOSFET?
    A: Das Silicon Carbide MOSFET stammt aus Guangdong, China.
  • F: Wie hoch ist die MOQ für Siliziumkarbid-MOSFET?
    A: Das MOQ für Siliziumkarbid-MOSFET beträgt 600.
  • F: Wie hoch ist der Preis für Silicon Carbide MOSFET?
    A: Der Preis für Siliziumkarbid-MOSFET ist auf der Grundlage des Produkts bestätigt.
  • F: Was ist die Verpackung von Silicon Carbide MOSFET?
    A: Die Verpackung von Siliziumkarbid-MOSFET ist staub-, wasser- und antistatische Rohrverpackung, die in Kartons in einem Karton verpackt ist.
Umbauten:

Praktische Fahrzeugtechnik Sic Mosfet

N Typ Sic Power Mosfet

MOSFET aus Siliziumkarbid für die Automobilindustrie