ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด
ชื่อผู้ติดต่อ : Anita Yin
หมายเลขโทรศัพท์ : +86 13712219843
วอทส์แอพพ์ : +8613712219843

MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ทนทาน การระบายความร้อนสําหรับอุตสาหกรรมรถยนต์

  • Durable Silicon Carbide MOSFET Heat Dissipation For Automotive
สถานที่กำเนิด กวางตุ้ง CN
ชื่อแบรนด์ REASUNOS
จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ 600
ราคา Confirm price based on product
รายละเอียดการบรรจุ บรรจุภัณฑ์แบบท่อกันฝุ่น กันน้ำ และป้องกันไฟฟ้าสถิต วางอยู่ภายในกล่องกระดาษแข็งในกล่องกระดาษแข็ง
เวลาการส่งมอบ 2-30 วัน (ขึ้นอยู่กับปริมาณรวม)
เงื่อนไขการชำระเงิน 100% T/T ล่วงหน้า (EXW)
สามารถในการผลิต 5KK/เดือน

ติดต่อฉันเพื่อรับตัวอย่างและคูปองฟรี

วอทส์แอพพ์:0086 18588475571

วีแชท: 0086 18588475571

สไกป์: sales10@aixton.com

หากคุณมีข้อสงสัย เราพร้อมให้ความช่วยเหลือทางออนไลน์ตลอด 24 ชั่วโมง

x
รายละเอียดสินค้า
วัสดุ ซิลิกอนคาร์ไบด์ การใช้งาน เครื่องแปลงกระแสไฟฟ้าพลังงานแสงอาทิตย์, เครื่องแปลงไฟ DC/DC ไฟฟ้าแรงสูง, ตัวขับมอเตอร์, เครื่องจ่ายไ
ประสิทธิภาพ ประสิทธิภาพสูง ชื่อสินค้า ซิลิคอนคาร์ไบด์ MOSFET
พลัง พลังงานสูง ความต้านทาน ความต้านทานต่ำ
ประเภทอุปกรณ์ มอสเฟต ประเภท เอ็น
เน้น

MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ที่ทนทาน

,

ซิลิคอนคาร์ไบด MOSFET รถยนต์

,

การระบายความร้อน Sic Mosfet รถยนต์
คุณสามารถเลือกผลิตภัณฑ์ที่คุณต้องการและสื่อสารกับเราได้ในกระดานข้อความ
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RSM065030W N 55 650 30 50 TO247-3 600
2 RSM065030Z N 55 650 30 50 TO247-4 600
3 RSM065060W N 29 650 60 79 TO247-3 600
4 RSM065060Z N 29 650 60 79 TO247-4 600
5 RSM120018Z N 105 1200 18 26 TO247-4 600
6 RSM120025W N 90 1200 25 34 TO247-3 600
7 RSM120025Z N 90 1200 25 34 TO247-4 600
8 RSM120040W N 68 1200 40 55 TO247-3 600
9 RSM120040Z N 68 1200 40 55 TO247-4 600
10 RSM120075W N 33 1200 75 95 TO247-3 600
11 RSM120075Z N 33 1200 75 95 TO247-4 600
12 RSM120080W N 36 1200 80 98 TO247-3 600
13 RSM120080Z N 36 1200 80 98 TO247-4 600
14 RSM120160W N 18 1200 160 196 TO247-3 600
15 RSM120160Z N 18 1200 160 196 TO247-4 600
16 RSM1701K0W N 5 1700 1000 1300 TO247-3 600
17 RSM1701K0Z N 5 1700 1000 1300 TO247-4 600
18 RSM170045W N 72 1700 45 70 TO247-3 600
19 RSM170045Z N 72 1700 45 70 TO247-4 600
ฝากข้อความ
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
รายละเอียดสินค้า

คําอธิบายสินค้า:

MOSFETs ของซิลิคอนคาร์ไบด์ เป็นชนิดของทรานซิสเตอร์ผลสนามโลหะ-ออกไซด์-ครึ่งนํา (MOSFET) ซึ่งใช้เทคโนโลยีของซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) Field Effect Transistor (FET)ทรานซิสเตอร์เหล่านี้ถูกออกแบบมาโดยเฉพาะ เพื่อให้พลังงานสูงและความถี่สูงข้อดีหลักของพวกเขาประกอบด้วยความน่าเชื่อถือและความมั่นคงของพวกเขา ซึ่งเป็นพื้นฐานของสายการผลิตมาตรฐานทหารระดับชาติMOSFETs Silicon Carbide สามารถทํางานได้ในความถี่สูง และมีการใช้งานที่หลากหลายในสาขาต่างๆ เช่น อิเล็กทรอนิกส์พลังงาน, อัตโนมัติอุตสาหกรรม, พลังงานที่เกิดใหม่ และอุตสาหกรรมรถยนต์

MOSFETs Silicon Carbide มีประสิทธิภาพสูงและประสิทธิภาพความถี่สูง ทําให้มันเหมาะสําหรับการใช้งานหลากหลายพวกเขายังมีความน่าเชื่อถือและมั่นคงสูง เนื่องจากกระบวนการผลิตของพวกเขาที่พัฒนาขึ้นจากสายการผลิตมาตรฐานทหารแห่งชาติทรานซิสเตอร์เหล่านี้ถูกใช้ในหลาย ๆ การใช้งานที่ต้องการความถี่สูง เช่น อิเล็กทรอนิกส์พลังงาน อัตโนมัติอุตสาหกรรม พลังงานที่สามารถปรับปรุงได้ และอุตสาหกรรมรถยนต์

มอสเฟตซิลิคอนคาร์ไบด์ มีข้อดีหลายอย่างเหนือจากทรานซิสเตอร์พื้นฐานซิลิคอนแบบดั้งเดิม มีความหนาแน่นของพลังงานสูงกว่าและมีความน่าเชื่อถือและมั่นคงในการใช้งานพวกเขายังมีประสิทธิภาพและประหยัดกว่าสําหรับการใช้งานหลาย ๆ อย่าง

สรุปคือ MOSFETs Silicon Carbide เป็นตัวเลือกที่ดีสําหรับการใช้งานที่ต้องการพลังงานสูงและประสิทธิภาพความถี่สูงพวกเขามีความน่าเชื่อถือและมั่นคงสูง เนื่องจากสายการผลิตมาตรฐานทหารแห่งชาติพวกมันยังมีความหนาแน่นของพลังงานที่สูงขึ้น อุณหภูมิการทํางานที่สูงขึ้น ความถี่ที่สูงขึ้น และมีประสิทธิภาพและประหยัดกว่าทรานซิสเตอร์พื้นฐานซิลิคอนแบบดั้งเดิม

 

ปริมาตรเทคนิค:

ชื่อสินค้า MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์
วัสดุ ซิลิคอนคาร์ไบด์
ประสิทธิภาพ ประสิทธิภาพสูง
ประเภท N
การใช้งาน อินเวอร์เตอร์แสงอาทิตย์ เครื่องแปลงไฟฟ้าแบบ DC/DC ความดันสูง เครื่องขับมอเตอร์ เครื่องไฟฟ้า UPS เครื่องไฟฟ้าสลับ เครื่องชาร์จ
ความต้านทาน ความ ต่อต้าน ต่ํา
ประเภทอุปกรณ์ MOSFET
ความถี่ ความถี่สูง
ข้อดี หลักฐานของสายการผลิตมาตรฐานทหารแห่งชาติ กระบวนการคงที่และคุณภาพที่น่าเชื่อถือ
พลัง อํานาจสูง
คําสําคัญ MOSFET ตามซิลิคอนคาร์ไบด์ SiC MOSFETs SiC โลหะ-ออกไซด์-ครึ่งตัวนํา ทรานซิสเตอร์ผลสนาม
 

การใช้งาน:

รายการREASUNOS ซิลิคอนคาร์ไบด์ MOSFETเป็นทรานซิสเตอร์ที่มีผลสนามโลหะ-ออกไซด์-ครึ่งประสาท ที่ใช้ซิลิคอนคาร์ไบด์ ซึ่งมีข้อดีมากมาย,ทําให้มันเป็นตัวเลือกที่เหมาะสมสําหรับการใช้งาน เช่น อินเวอร์เตอร์พลังแสงอาทิตย์, เครื่องแปลงความดันสูง DC / DC, เครื่องขับเคลื่อนมอเตอร์, เครื่องพลังงาน UPS, เครื่องพลังงานสลับ, เครื่องชาร์จมันถูกผลิตตามสายการผลิตมาตรฐานทหารแห่งชาติทําให้มันเป็นผลิตภัณฑ์ที่น่าเชื่อถือมาก

รายการREASUNOS ซิลิคอนคาร์ไบด์ MOSFETมีจํานวนการสั่งซื้อขั้นต่ํา 600 ชิ้น และราคาที่ขึ้นอยู่กับผลิตภัณฑ์และบรรจุแบบท่อแบบกันสแตติก และวางอยู่ในกล่องกระดาษกล่องในกล่องกล่อง. ระยะเวลาในการจัดส่งตั้งแต่ 2-30 วัน ขึ้นอยู่กับปริมาณทั้งหมดของคําสั่ง. เงื่อนไขการชําระเงินคือ 100% T / T ในล่วงหน้า ((EXW)REASUNOS Silicon Carbide MOSFET สามารถจําหน่ายได้ถึง 5K ชิ้นต่อเดือน.

 

การสนับสนุนและบริการ:

การสนับสนุนและบริการทางเทคนิค MOSFET Silicon Carbide

เราให้บริการด้านการสนับสนุนทางเทคนิค และบริการให้กับลูกค้า MOSFET Silicon Carbideทีมงานสนับสนุนทางเทคนิคของเราพร้อมที่จะให้ความช่วยเหลือและคําปรึกษาสําหรับการใช้งานและการใช้งานผลิตภัณฑ์ของเราอย่างมีประสิทธิภาพ.

การเลือกสินค้า

ทีมงานของเราสามารถช่วยคุณเลือกสินค้าที่เหมาะสมที่สุดสําหรับการใช้งานของคุณ เรายังให้ความช่วยเหลือในการออกแบบและนํามาใช้ในทางที่เหมาะสมที่สุดสําหรับความต้องการของคุณ

การสนับสนุนทางเทคนิค

เราให้การสนับสนุนทางเทคนิคและวิศวกรรม สําหรับผลิตภัณฑ์ Silicon Carbide MOSFET ของเราทีมงานของเราพร้อมที่จะตอบคําถามใด ๆ ที่คุณอาจมีเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์และให้คําปรึกษาเกี่ยวกับการใช้งานของพวกเขา.

การฝึกอบรม

เราให้หลักสูตรการฝึกอบรมสําหรับลูกค้า MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ของเราหลักสูตรของเราถูกออกแบบเพื่อให้ลูกค้าที่มีความรู้ที่จําเป็นต้องใช้และนําผลิตภัณฑ์ของเราอย่างสําเร็จ

การรับประกัน

เราให้การรับประกันครบวงจร สําหรับผลิตภัณฑ์ MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบดทั้งหมดการรับประกันของเราครอบคลุมความบกพร่องในการผลิตทั้งหมด และให้บริการสําหรับการซ่อมแซมและเปลี่ยนในกรณีของความบกพร่องหรือความล้มเหลว.

 

การบรรจุและการขนส่ง

ซิลิคอนคาร์บได MOSFET การบรรจุและการจัดส่ง:

ซิลิคอนคาร์ไบด MOSFETs ถูกบรรจุในบรรจุที่ปิดปิดแบบแฮร์เมติก ซึ่งถูกออกแบบมาเพื่อปกป้องอุปกรณ์จากความชื้นและสารปนเปื้อนสิ่งแวดล้อมอื่น ๆจากนั้นบรรจุในถุงกันสติก เพื่อป้องกันต่อสิ้นส่วนนั้นถูกใส่ในกล่องและส่งไปยังลูกค้า

 

FAQ:

  • คําถาม: ชื่อแบรนด์ของ Silicon Carbide MOSFET คืออะไร?
    A: ชื่อแบรนด์คือ REASUNOS
  • ถาม: MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์มาจากไหน?
    ตอบ: MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ มาจากกวางดง ประเทศจีน
  • Q: MOQ ของ Silicon Carbide MOSFET คืออะไร?
    A: MOQ ของ Silicon Carbide MOSFET คือ 600.
  • คําถาม: ราคาของซิลิคอน คาร์ไบด์ มอสเฟตเท่าไหร่?
    A: ราคาของ Silicon Carbide MOSFET เป็นราคายืนยันขึ้นอยู่กับสินค้า
  • คําถาม: ซิลิคอน คาร์ไบด์ มอสเฟต มีบรรจุอะไร?
    ตอบ: การบรรจุของซิลิคอนคาร์ไบด์ MOSFET เป็นการบรรจุท่อที่กันฝุ่น กันน้ํา และกันสแตติก ซึ่งวางอยู่ในกล่องกระดาษกล่องในกล่องกระดาษ
แท็ก:

ซิกโมสเฟตรถยนต์ปฏิบัติ

N ประเภท Sic Power Mosfet

MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์สําหรับรถยนต์

แนะนำผลิตภัณฑ์