Transistor de Superjunção de Óxido Metálico Multifuncional para Indústria

Lugar de origem Guangdong, NC
Marca REASUNOS
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Detalhes da embalagem Embalagens tubulares impermeáveis ao pó, à água e antistáticas, colocadas numa caixa de cartão em ca
Tempo de entrega 2-30 dias (depende da quantidade total)
Termos de pagamento 100% T/T adiantado (EXW)
Habilidade da fonte 5KK/mês

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Detalhes do produto
Resistencia interna Resistência interna ultra pequena Vantagens É feito pelo processo da epitaxia da Multi-camada. Comparado com o processo da trincheira, tem anti
Nome do produto Junção super MOSFET/SJ MOSTET Aplicação Motorista do diodo emissor de luz, circuito de PFC, fonte de alimentação de comutação, UPS do sistem
Pacote Pacote ultra pequeno Capacidade Ultra-baixa capacidade de junção
Tipo de dispositivo Dispositivos discretos do poder Tipo N
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Transistores de Superjunção de Óxido Metálico

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Transistor de Super Junção Multifuncional

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Transistores de óxido metálico industriais

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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RSE60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
2 RSE60R190S N 17.6 600 165 190 TO-263 800
3 RSE60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
4 RSF60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
5 RSF60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
6 RS60R130F N 30 600 110 130 TO-220F 1000
7 RS60R130W N 30 600 110 130 TO247-3 600
8 RSF60R099F N 31 600 86 99 TO-220F 1000
9 RSF60R099W N 31 600 86 99 TO247-3 600
10 RSF60R070W N 45 600 61 70 TO247-3 600
11 RSF60R041W N 70 600 35 41 TO247-3 600
12 RSF60R070F N 48 600 58 68 TO-220F 1000
13 RSF60R026W N 100 600 20 26 TO247-3 600
14 RSU4N65D N 4 650 880 1000 TO-252 2500
15 RSU7N65D N 7 650 560 650 TO-252 2500
16 RSU7N65F N 7 650 560 650 TO-220F 1000
17 RS65R600D N 7.3 650 520 600 TO-252 2500
18 RS65R600F N 7.3 650 520 600 TO-220F 1000
19 RSE65R550D N 7.6 650 480 550 TO-252 2500
20 RSU12N65F N 12 650 380 420 TO-220F 1000
21 RS65R380D N 11 650 340 380 TO-252 2500
22 RS65R380F N 11 650 340 380 TO-220F 1000
23 RS65R280D N 15 650 240 280 TO-252 2500
24 RS65R280F N 15 650 240 280 TO-220F 1000
25 RSE65R210F N 16.8 650 185 210 TO-220F 1000
26 RS65R190F N 20 650 160 190 TO-220F 1000
27 RS65R190S N 20 650 160 190 TO-263 800
28 RS65R190T N 20 650 160 190 TO-220 1000
29 RSF65R190T N 20 650 170 190 TO-220 1000
30 RSE65R180F N 22 650 150 180 TO-220F 1000
31 RSE65R165F N 20.4 650 145 165 TO-220F 1000
32 RSF65R130F N 26 650 115 130 TO-220F 1000
33 RSE70R600F N 7.3 700 520 600 TO-220F 1000
34 RSE70R420F N 11 700 365 420 TO-220F 1000
35 RSE70R360F N 12 700 315 360 TO-220F 1000
36 RSE80R850D N 7 800 740 850 TO-252 2500
37 RS80R500F N 9 800 420 500 TO-220F 1000
38 RSE80R380F N 13 800 330 380 TO-220F 1000
39 RSE80R250F N 18 800 220 250 TO-220F 1000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descrição de produto

Dispositivos de potência discreta MOSFET de super junção com capacidade de junção ultra-baixa

Descrição do produto:

Os Super Junction MOSFETs, ou SJ MOSTETs, são dispositivos discretos de potência com um pacote ultra pequeno e uma resistência interna ultra pequena.Eles têm ultra-baixa capacidade de junção e são ideais para alta eficiênciaO diodo Superjunction também pode ser utilizado para reduzir o consumo de energia e melhorar o desempenho do sistema.Os SJ MOSTETs são a escolha perfeita para os projetistas de sistemas de energia que procuram um desempenho superior com perdas mínimas de energia.

 

Parâmetros técnicos:

Atributo Descrição
Aplicação Dirigente LED, circuito PFC, fonte de alimentação de comutação, UPS de sistema de alimentação contínua, equipamento de energia nova energia, etc.
Nome do produto Superjunção MOSFET/SJ MOSTET
Tipo N
Margem do IME Margem de EMI elevada
Tipo de dispositivo Dispositivos discretos de energia
Pacote Pacote ultra pequeno
Resistência interna Resistência interna ultra pequena
Vantagens Comparado com o processo de trincheira, tem excelentes capacidades anti EMI e anti surge.
Capacidade Capacidade de junção ultra-baixa
 

Aplicações:

O Super Junction Metal Oxide Field Effect Transistor (Super Junction MOSFET) da REASUNOS tornou-se a principal escolha para aplicações que exigem alta eficiência e baixas perdas devido ao seu design único.Originário de Guangdong, China, este diodo superior é feito com um processo de epitaxia de múltiplas camadas, permitindo que ele tenha excelentes capacidades anti-EMI e anti-surge.Este produto apresenta uma capacidade de junção ultra-baixa e uma resistência interna extremamente baixa, tornando-o perfeito para aplicações como controlador LED, circuito PFC, fonte de alimentação de comutação, UPS de sistema de alimentação contínua, equipamento de energia nova, etc. Além disso,O REASUNOS Super Junction MOSFET oferece uma grande margem de EMI para melhor desempenho e confiabilidadeComo tal, é adequado para muitas aplicações de alta potência.

Quando se trata de embalagens, a REASUNOS fornece embalagens tubulares à prova de poeira, à prova de água e antistáticas, colocadas dentro de uma caixa de papelão em caixas de papelão para garantir a proteção do produto.Este Super Junction MOSFET também é muito acessívelA REASUNOS oferece igualmente uma capacidade de abastecimento de 5KK/mês, com prazos de entrega que variam de 2 a 30 dias, dependendo da quantidade total.Os termos de pagamento são 100% T/T adiantado (EXW).

 

Apoio e Serviços:

Os produtos MOSFET Super Junction são suportados por uma ampla gama de serviços técnicos e opções de suporte, incluindo:

  • Auxílio técnico para a selecção de produtos, conceção de aplicações e resolução de problemas
  • Documentação e literatura abrangentes sobre o produto
  • Ferramentas de simulação e de conceção de produtos em linha
  • Serviços de apoio à concepção, incluindo conjuntos de amostras e quadros de avaliação
  • Informações sobre a qualidade e a fiabilidade do produto
 

Embalagem e transporte:

O Super Junction MOSFET é embalado para transporte em um recipiente selado e protetor.O recipiente deve sempre ser aberto com cuidado para evitar qualquer eventual dano ao MOSFET..

O recipiente deve igualmente ser mantido afastado de qualquer fonte de calor e o MOSFET não deve ser exposto a temperaturas superiores a 150°C.O MOSFET deve ser mantido longe de materiais corrosivos ou inflamáveis.

 

Perguntas frequentes:

P: O que é o MOSFET de Super Junção?R: O MOSFET Super Junction é um tipo de MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) com uma estrutura avançada que melhora seu desempenho em aplicações de gerenciamento de energia.
P: Qual é a marca do Super Junction MOSFET?A: A marca do Super Junction MOSFET é REASUNOS.
P: De onde vem o Super Junction MOSFET?R: O Super Junction MOSFET é fabricado em Guangdong, na China.
P: Quanto custa o MOSFET Super Junction?R: O preço do Super Junction MOSFET depende do produto, por favor confirme o preço com o vendedor.
P: Como é que o Super Junction MOSFET é embalado e entregue?R: O Super Junction MOSFET é embalado em embalagens tubulares à prova de poeira, à prova de água e antistáticas, colocadas dentro de uma caixa de papelão em caixas de papelão.O prazo de entrega é de 2 a 30 dias (depende da quantidade total) e os termos de pagamento são 100% T/T antecipado (EXW)Temos uma capacidade de abastecimento de 5K/mês.