Transistor de Superjunção de Óxido Metálico Multifuncional para Indústria
Lugar de origem | Guangdong, NC |
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Marca | REASUNOS |
Preço | Confirm price based on product |
Detalhes da embalagem | Embalagens tubulares impermeáveis ao pó, à água e antistáticas, colocadas numa caixa de cartão em ca |
Tempo de entrega | 2-30 dias (depende da quantidade total) |
Termos de pagamento | 100% T/T adiantado (EXW) |
Habilidade da fonte | 5KK/mês |

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xResistencia interna | Resistência interna ultra pequena | Vantagens | É feito pelo processo da epitaxia da Multi-camada. Comparado com o processo da trincheira, tem anti |
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Nome do produto | Junção super MOSFET/SJ MOSTET | Aplicação | Motorista do diodo emissor de luz, circuito de PFC, fonte de alimentação de comutação, UPS do sistem |
Pacote | Pacote ultra pequeno | Capacidade | Ultra-baixa capacidade de junção |
Tipo de dispositivo | Dispositivos discretos do poder | Tipo | N |
Destacar | Transistores de Superjunção de Óxido Metálico,Transistor de Super Junção Multifuncional,Transistores de óxido metálico industriais |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
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1 | RSE60R190F | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-220F | 1000 | |
2 | RSE60R190S | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-263 | 800 | |
3 | RSE60R150F | N | 22 | 600 | 130 | 150 | TO-220F | 1000 | |
4 | RSF60R150F | N | 22 | 600 | 130 | 150 | TO-220F | 1000 | |
5 | RSF60R190F | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-220F | 1000 | |
6 | RS60R130F | N | 30 | 600 | 110 | 130 | TO-220F | 1000 | |
7 | RS60R130W | N | 30 | 600 | 110 | 130 | TO247-3 | 600 | |
8 | RSF60R099F | N | 31 | 600 | 86 | 99 | TO-220F | 1000 | |
9 | RSF60R099W | N | 31 | 600 | 86 | 99 | TO247-3 | 600 | |
10 | RSF60R070W | N | 45 | 600 | 61 | 70 | TO247-3 | 600 | |
11 | RSF60R041W | N | 70 | 600 | 35 | 41 | TO247-3 | 600 | |
12 | RSF60R070F | N | 48 | 600 | 58 | 68 | TO-220F | 1000 | |
13 | RSF60R026W | N | 100 | 600 | 20 | 26 | TO247-3 | 600 | |
14 | RSU4N65D | N | 4 | 650 | 880 | 1000 | TO-252 | 2500 | |
15 | RSU7N65D | N | 7 | 650 | 560 | 650 | TO-252 | 2500 | |
16 | RSU7N65F | N | 7 | 650 | 560 | 650 | TO-220F | 1000 | |
17 | RS65R600D | N | 7.3 | 650 | 520 | 600 | TO-252 | 2500 | |
18 | RS65R600F | N | 7.3 | 650 | 520 | 600 | TO-220F | 1000 | |
19 | RSE65R550D | N | 7.6 | 650 | 480 | 550 | TO-252 | 2500 | |
20 | RSU12N65F | N | 12 | 650 | 380 | 420 | TO-220F | 1000 | |
21 | RS65R380D | N | 11 | 650 | 340 | 380 | TO-252 | 2500 | |
22 | RS65R380F | N | 11 | 650 | 340 | 380 | TO-220F | 1000 | |
23 | RS65R280D | N | 15 | 650 | 240 | 280 | TO-252 | 2500 | |
24 | RS65R280F | N | 15 | 650 | 240 | 280 | TO-220F | 1000 | |
25 | RSE65R210F | N | 16.8 | 650 | 185 | 210 | TO-220F | 1000 | |
26 | RS65R190F | N | 20 | 650 | 160 | 190 | TO-220F | 1000 | |
27 | RS65R190S | N | 20 | 650 | 160 | 190 | TO-263 | 800 | |
28 | RS65R190T | N | 20 | 650 | 160 | 190 | TO-220 | 1000 | |
29 | RSF65R190T | N | 20 | 650 | 170 | 190 | TO-220 | 1000 | |
30 | RSE65R180F | N | 22 | 650 | 150 | 180 | TO-220F | 1000 | |
31 | RSE65R165F | N | 20.4 | 650 | 145 | 165 | TO-220F | 1000 | |
32 | RSF65R130F | N | 26 | 650 | 115 | 130 | TO-220F | 1000 | |
33 | RSE70R600F | N | 7.3 | 700 | 520 | 600 | TO-220F | 1000 | |
34 | RSE70R420F | N | 11 | 700 | 365 | 420 | TO-220F | 1000 | |
35 | RSE70R360F | N | 12 | 700 | 315 | 360 | TO-220F | 1000 | |
36 | RSE80R850D | N | 7 | 800 | 740 | 850 | TO-252 | 2500 | |
37 | RS80R500F | N | 9 | 800 | 420 | 500 | TO-220F | 1000 | |
38 | RSE80R380F | N | 13 | 800 | 330 | 380 | TO-220F | 1000 | |
39 | RSE80R250F | N | 18 | 800 | 220 | 250 | TO-220F | 1000 |
Dispositivos de potência discreta MOSFET de super junção com capacidade de junção ultra-baixa
Descrição do produto:
Os Super Junction MOSFETs, ou SJ MOSTETs, são dispositivos discretos de potência com um pacote ultra pequeno e uma resistência interna ultra pequena.Eles têm ultra-baixa capacidade de junção e são ideais para alta eficiênciaO diodo Superjunction também pode ser utilizado para reduzir o consumo de energia e melhorar o desempenho do sistema.Os SJ MOSTETs são a escolha perfeita para os projetistas de sistemas de energia que procuram um desempenho superior com perdas mínimas de energia.
Parâmetros técnicos:
Atributo | Descrição |
---|---|
Aplicação | Dirigente LED, circuito PFC, fonte de alimentação de comutação, UPS de sistema de alimentação contínua, equipamento de energia nova energia, etc. |
Nome do produto | Superjunção MOSFET/SJ MOSTET |
Tipo | N |
Margem do IME | Margem de EMI elevada |
Tipo de dispositivo | Dispositivos discretos de energia |
Pacote | Pacote ultra pequeno |
Resistência interna | Resistência interna ultra pequena |
Vantagens | Comparado com o processo de trincheira, tem excelentes capacidades anti EMI e anti surge. |
Capacidade | Capacidade de junção ultra-baixa |
Aplicações:
O Super Junction Metal Oxide Field Effect Transistor (Super Junction MOSFET) da REASUNOS tornou-se a principal escolha para aplicações que exigem alta eficiência e baixas perdas devido ao seu design único.Originário de Guangdong, China, este diodo superior é feito com um processo de epitaxia de múltiplas camadas, permitindo que ele tenha excelentes capacidades anti-EMI e anti-surge.Este produto apresenta uma capacidade de junção ultra-baixa e uma resistência interna extremamente baixa, tornando-o perfeito para aplicações como controlador LED, circuito PFC, fonte de alimentação de comutação, UPS de sistema de alimentação contínua, equipamento de energia nova, etc. Além disso,O REASUNOS Super Junction MOSFET oferece uma grande margem de EMI para melhor desempenho e confiabilidadeComo tal, é adequado para muitas aplicações de alta potência.
Quando se trata de embalagens, a REASUNOS fornece embalagens tubulares à prova de poeira, à prova de água e antistáticas, colocadas dentro de uma caixa de papelão em caixas de papelão para garantir a proteção do produto.Este Super Junction MOSFET também é muito acessívelA REASUNOS oferece igualmente uma capacidade de abastecimento de 5KK/mês, com prazos de entrega que variam de 2 a 30 dias, dependendo da quantidade total.Os termos de pagamento são 100% T/T adiantado (EXW).
Apoio e Serviços:
Os produtos MOSFET Super Junction são suportados por uma ampla gama de serviços técnicos e opções de suporte, incluindo:
- Auxílio técnico para a selecção de produtos, conceção de aplicações e resolução de problemas
- Documentação e literatura abrangentes sobre o produto
- Ferramentas de simulação e de conceção de produtos em linha
- Serviços de apoio à concepção, incluindo conjuntos de amostras e quadros de avaliação
- Informações sobre a qualidade e a fiabilidade do produto
Embalagem e transporte:
O Super Junction MOSFET é embalado para transporte em um recipiente selado e protetor.O recipiente deve sempre ser aberto com cuidado para evitar qualquer eventual dano ao MOSFET..
O recipiente deve igualmente ser mantido afastado de qualquer fonte de calor e o MOSFET não deve ser exposto a temperaturas superiores a 150°C.O MOSFET deve ser mantido longe de materiais corrosivos ou inflamáveis.