すべての製品
コンタクトパーソン : Anita Yin
電話番号 : +86 13712219843
Whatsapp : 8613712219843

メタルオキシド超接点トランジスタ 多機能工業用

  • Metal Oxide Super Junction Transistor Multifunctional For Industry
起源の場所 広東省、CN
ブランド名 REASUNOS
価格 Confirm price based on product
パッケージの詳細 防塵,防水,防静的管状の包装,紙箱の中に詰め込まれる
受渡し時間 2~30日 (総量によって異なります)
支払条件 100%T/T 前払い (EXW)
供給の能力 5KK/月

試供品およびクーポンのための私に連絡しなさい。

Whatsapp:0086 18588475571

微信: 0086 18588475571

スカイプ: sales10@aixton.com

心配があれば、私達は24時間のオンライン・ヘルプを提供する。

x
商品の詳細
内部抵抗 超小さい内部抵抗 利点 それは多層エピタクシー プロセスによってなされる。堀プロセスと比較されて、それに優秀な反EMIおよび反サージ機能がある
製品名 極度の接続点MOSFET/SJ MOSTET 適用する 連続的な電源システムのLEDの運転者、PFC回路、転換の電源、UPS、新しいエネルギー電力設備、等
パッケージ 超小型パッケージ キャパシタンス 超低い接続点キャパシタンス
装置タイプ 力の分離した装置 タイプ N
ハイライト

メタルオキシド超接点トランジスタ

,

超接点トランジスタ 多機能

,

産業用金属酸化トランジスタ
あなたはあなたが必要とする製品にチェックを入れて、メッセージボードで私たちと通信することができます。
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RSE60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
2 RSE60R190S N 17.6 600 165 190 TO-263 800
3 RSE60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
4 RSF60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
5 RSF60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
6 RS60R130F N 30 600 110 130 TO-220F 1000
7 RS60R130W N 30 600 110 130 TO247-3 600
8 RSF60R099F N 31 600 86 99 TO-220F 1000
9 RSF60R099W N 31 600 86 99 TO247-3 600
10 RSF60R070W N 45 600 61 70 TO247-3 600
11 RSF60R041W N 70 600 35 41 TO247-3 600
12 RSF60R070F N 48 600 58 68 TO-220F 1000
13 RSF60R026W N 100 600 20 26 TO247-3 600
14 RSU4N65D N 4 650 880 1000 TO-252 2500
15 RSU7N65D N 7 650 560 650 TO-252 2500
16 RSU7N65F N 7 650 560 650 TO-220F 1000
17 RS65R600D N 7.3 650 520 600 TO-252 2500
18 RS65R600F N 7.3 650 520 600 TO-220F 1000
19 RSE65R550D N 7.6 650 480 550 TO-252 2500
20 RSU12N65F N 12 650 380 420 TO-220F 1000
21 RS65R380D N 11 650 340 380 TO-252 2500
22 RS65R380F N 11 650 340 380 TO-220F 1000
23 RS65R280D N 15 650 240 280 TO-252 2500
24 RS65R280F N 15 650 240 280 TO-220F 1000
25 RSE65R210F N 16.8 650 185 210 TO-220F 1000
26 RS65R190F N 20 650 160 190 TO-220F 1000
27 RS65R190S N 20 650 160 190 TO-263 800
28 RS65R190T N 20 650 160 190 TO-220 1000
29 RSF65R190T N 20 650 170 190 TO-220 1000
30 RSE65R180F N 22 650 150 180 TO-220F 1000
31 RSE65R165F N 20.4 650 145 165 TO-220F 1000
32 RSF65R130F N 26 650 115 130 TO-220F 1000
33 RSE70R600F N 7.3 700 520 600 TO-220F 1000
34 RSE70R420F N 11 700 365 420 TO-220F 1000
35 RSE70R360F N 12 700 315 360 TO-220F 1000
36 RSE80R850D N 7 800 740 850 TO-252 2500
37 RS80R500F N 9 800 420 500 TO-220F 1000
38 RSE80R380F N 13 800 330 380 TO-220F 1000
39 RSE80R250F N 18 800 220 250 TO-220F 1000
メッセージ
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
製品の説明

超低ジャンクション容量を持つパワーディスクリートデバイス

製品説明:

スーパージャンクションMOSFETまたはSJ MOSTETは,超小型パッケージと超小型内部抵抗を持つ電源離散装置である.超低コンセント容量があり,高効率の最適です超接線ダイオードは,電力消費を削減し,システムの性能を改善するためにも使用できます.高性能と信頼性の高い設計により,SJ MOSTET は,最小限の電力損失で優れた性能を求める電力システム設計者にとって完璧な選択です.

 

技術パラメータ:

属性 記述
適用する LEDドライバ,PFC回路,スイッチング電源,UPSの連続電源システム,新しいエネルギー電源機器,など
製品名 超交差点MOSFET/SJ MOSTET
タイプ N
EMI マージン 高いEMI手数料
装置の種類 電源を分離する装置
パッケージ 超小型パッケージ
内面 の 抵抗 極小な内抵抗
利点 多層エピタキシープロセスによって作られています. トレンチプロセスと比較して,それは優れた反EMIと反急増能力を有しています.
容量 超低回路容量
 

応用:

REASUNOSのスーパージャンクション金属酸化物フィールド効果トランジスタ (Super Junction MOSFET) は,ユニークな設計により,高効率と低損失を必要とするアプリケーションの主要な選択になりました.広東出身この優れたダイオードは 多層エピタキシープロセスで作られ 優れた抗EMIおよび抗急増能力を備えていますこの製品には超低の結合容量と非常に低い内部抵抗があります, LEDドライバー,PFC回路,スイッチング電源,連続電源システムのUPS,新しいエネルギー電源機器などのアプリケーションに最適です さらに,REASUNOS Super Junction MOSFETは,より優れたパフォーマンスと信頼性のために大きな EMI マージンを提供しています高電力用途に適しています.

REASUNOSは,製品を保護するために,紙箱に詰め込まれた,防塵,防水,反静的管状のパッケージを用意しています.このスーパー・ジャンクション MOSFETは,非常に手頃な価格です.REASUNOSはまた,総量に応じて2日から30日までの配達期間で,月5KKの供給能力を提供しています.支払条件は100%T/T (EXW).

 

サポートとサービス

スーパー・ジャンクション MOSFET 製品は,以下を含む幅広い技術サービスとサポートオプションによってサポートされています.

  • 製品選択,アプリケーション設計,トラブルシューティングの技術支援
  • 総合的な製品文書と文献
  • オンライン製品シミュレーションと設計ツール
  • 設計支援サービス,サンプルキットや評価ボードを含む
  • 製品の品質と信頼性に関する情報
 

梱包と輸送:

スーパージャンクションMOSFETは,密閉された保護容器に輸送のために包装されています.容器は,輸送中に物理的な損傷からMOSFETを保護するように設計されています.MOSFET に 損傷 を 及ぼす 可能性 を 避ける ため に,容器 は 常に 慎重 に 開かさ れる べき です..

また,容器は熱源から遠ざけられ,MOSFETは150°C以上の温度にさらされるべきではありません.MOSFETは腐食性のある材料や炎症性のある物質から遠ざかなければなりません..

 

FAQ:

Q:スーパージャンクションMOSFETとは?A: スーパージャンクション MOSFETは,メタルオキシド半導体フィールド効果トランジスタ (MOSFET) の1種類で,電力管理アプリケーションでの性能を向上させる高度な構造を備えています.
Q:スーパージャンクションMOSFETのブランド名は何ですか?A: スーパージャンクション MOSFETのブランド名は REASUNOSです
Q: スーパージャンクションMOSFETはどこから来るのですか?A: スーパージャンクション MOSFETは中国の広東で製造されています
Q:スーパージャンクション MOSFETのコストは?A: スーパージャンクション MOSFET の価格は製品に依存します. 価格を販売者に確認してください.
Q: スーパージャンクション MOSFET はどのように梱包され配送されますか?A: スーパー・ジャンクション MOSFET は 防塵,防水,防静的管状のパッケージで 紙箱に詰められています配送時間は2-30日 (総量に依存) 支払条件は100%T/T (EXW)供給能力は月5千円だ
札:

メタルオキシド超接点トランジスタ

PFC回路のスーパージャンクションMOSFET

電源スーパージャンクション MOSFET