Transistor de superunión de óxido metálico multifuncional para la industria

Lugar de origen Guangdong, NC
Nombre de la marca REASUNOS
Precio Confirm price based on product
Detalles de empaquetado Envases tubulares a prueba de polvo, agua y antistáticos, colocados en una caja de cartón en cartone
Tiempo de entrega 2-30 días (depende de la cantidad total)
Condiciones de pago 100% T/T por adelantado (EXW)
Capacidad de la fuente 5KK/mes

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Datos del producto
Resistencia interna Resistencia interna ultra pequeña Ventajas Es hecho por proceso de múltiples capas de la epitaxia. Comparado con proceso del foso, tiene EMI An
Nombre del producto Empalme estupendo MOSFET/SJ MOSTET Aplicación Conductor del LED, circuito de PFC, fuente de alimentación que cambia, UPS del sistema de abastecimi
paquete Paquete ultra pequeño Capacitancia Capacitancia de empalme ultrabaja
Tipo de dispositivo Dispositivos discretos del poder El tipo N
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Transistores de súper unión de óxido metálico

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Transistor de súper unión multifuncional

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Transistores de óxido metálico de la industria

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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RSE60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
2 RSE60R190S N 17.6 600 165 190 TO-263 800
3 RSE60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
4 RSF60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
5 RSF60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
6 RS60R130F N 30 600 110 130 TO-220F 1000
7 RS60R130W N 30 600 110 130 TO247-3 600
8 RSF60R099F N 31 600 86 99 TO-220F 1000
9 RSF60R099W N 31 600 86 99 TO247-3 600
10 RSF60R070W N 45 600 61 70 TO247-3 600
11 RSF60R041W N 70 600 35 41 TO247-3 600
12 RSF60R070F N 48 600 58 68 TO-220F 1000
13 RSF60R026W N 100 600 20 26 TO247-3 600
14 RSU4N65D N 4 650 880 1000 TO-252 2500
15 RSU7N65D N 7 650 560 650 TO-252 2500
16 RSU7N65F N 7 650 560 650 TO-220F 1000
17 RS65R600D N 7.3 650 520 600 TO-252 2500
18 RS65R600F N 7.3 650 520 600 TO-220F 1000
19 RSE65R550D N 7.6 650 480 550 TO-252 2500
20 RSU12N65F N 12 650 380 420 TO-220F 1000
21 RS65R380D N 11 650 340 380 TO-252 2500
22 RS65R380F N 11 650 340 380 TO-220F 1000
23 RS65R280D N 15 650 240 280 TO-252 2500
24 RS65R280F N 15 650 240 280 TO-220F 1000
25 RSE65R210F N 16.8 650 185 210 TO-220F 1000
26 RS65R190F N 20 650 160 190 TO-220F 1000
27 RS65R190S N 20 650 160 190 TO-263 800
28 RS65R190T N 20 650 160 190 TO-220 1000
29 RSF65R190T N 20 650 170 190 TO-220 1000
30 RSE65R180F N 22 650 150 180 TO-220F 1000
31 RSE65R165F N 20.4 650 145 165 TO-220F 1000
32 RSF65R130F N 26 650 115 130 TO-220F 1000
33 RSE70R600F N 7.3 700 520 600 TO-220F 1000
34 RSE70R420F N 11 700 365 420 TO-220F 1000
35 RSE70R360F N 12 700 315 360 TO-220F 1000
36 RSE80R850D N 7 800 740 850 TO-252 2500
37 RS80R500F N 9 800 420 500 TO-220F 1000
38 RSE80R380F N 13 800 330 380 TO-220F 1000
39 RSE80R250F N 18 800 220 250 TO-220F 1000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descripción de producto

Dispositivos discretos de potencia MOSFET de súper unión con capacidad de unión ultrabaja

Descripción del producto:

Los MOSFET de súper unión, o SJ MOSTET, son dispositivos discretos de potencia con un paquete ultra pequeño y una resistencia interna ultra pequeña.Tienen una capacidad de unión ultrabaja y son ideales para una alta eficienciaEl diodo Superjunction también se puede utilizar para reducir el consumo de energía y mejorar el rendimiento del sistema.Los MOSTET de SJ son la opción perfecta para los diseñadores de sistemas de energía que buscan un rendimiento superior con pérdidas de energía mínimas.

 

Parámetros técnicos:

Atributo Descripción
Aplicación El conductor LED, el circuito PFC, el suministro de energía de conmutación, el sistema UPS de suministro de energía continua, el equipo de energía de nueva energía, etc.
Nombre del producto MOSFET/SJ MOSTET de súper unión
El tipo No
Margen de la EMI Gran margen de IEM
Tipo de dispositivo Dispositivos discretos de energía
Paquete Paquete muy pequeño
Resistencia interna Resistencia interna muy pequeña
Ventajas Se hace por proceso de epitaxia de múltiples capas. Comparado con el proceso de trinchera, tiene excelentes capacidades anti-EMI y anti-surge
Capacidad Capacidad de unión ultrabaja
 

Aplicaciones:

El transistor de efecto de campo de óxido metálico de súper unión (Super Junction MOSFET) de REASUNOS se ha convertido en la opción líder para aplicaciones que requieren una alta eficiencia y bajas pérdidas debido a su diseño único.Originario de Guangdong, China, este diodo superior está hecho con un proceso de epitaxia de múltiples capas, lo que le permite tener excelentes capacidades anti-EMI y anti-surge.Este producto presenta una capacidad de unión muy baja y una resistencia interna extremadamente baja, lo que lo hace perfecto para aplicaciones tales como controlador LED, circuito PFC, fuente de alimentación de conmutación, UPS de sistema de suministro de energía continua, equipo de energía nueva, etc. Además,el REASUNOS Super Junction MOSFET ofrece un gran margen de EMI para un mejor rendimiento y fiabilidadComo tal, es adecuado para muchas aplicaciones de alta potencia.

En lo que respecta al embalaje, REASUNOS proporciona embalajes tubulares a prueba de polvo, a prueba de agua y antistáticos, colocados dentro de una caja de cartón en cartones para garantizar la protección del producto.Este MOSFET de súper unión también es muy asequibleAdemás, REASUNOS ofrece una capacidad de suministro de 5KK/mes, con un plazo de entrega que oscila entre 2 y 30 días según la cantidad total.Las condiciones de pago son 100% T/T por adelantado (EXW).

 

Apoyo y servicios:

Los productos MOSFET de Super Junction están compatibles con una amplia gama de servicios técnicos y opciones de soporte, que incluyen:

  • Asistencia técnica para la selección de productos, el diseño de aplicaciones y la solución de problemas
  • Documentación y documentación completa del producto
  • Herramientas de simulación y diseño de productos en línea
  • Servicios de apoyo en el diseño, incluidos kits de muestras y tableros de evaluación
  • Información sobre la calidad y fiabilidad del producto
 

Embalaje y envío:

El Super Junction MOSFET se empaqueta para su envío en un contenedor sellado y protector.El recipiente siempre debe abrirse con cuidado para evitar cualquier daño potencial al MOSFET..

El recipiente también debe mantenerse alejado de cualquier fuente de calor y el MOSFET no debe exponerse a temperaturas superiores a 150°C.el MOSFET debe mantenerse alejado de cualquier material corrosivo o inflamable.

 

Preguntas frecuentes:

P: ¿Qué es el MOSFET de súper unión?R: El MOSFET de súper unión es un tipo de MOSFET (transistor de efecto de campo de óxido metálico-semiconductor) con una estructura avanzada que mejora su rendimiento en aplicaciones de gestión de energía.
P: ¿Cuál es la marca de Super Junction MOSFET?R: El nombre comercial de Super Junction MOSFET es REASUNOS.
P: ¿De dónde viene el MOSFET de súper unión?R: Super Junction MOSFET es fabricado en Guangdong, China.
P: ¿Cuánto cuesta el Super Junction MOSFET?R: El precio del Super Junction MOSFET depende del producto, por favor confirme el precio con el vendedor.
P: ¿Cómo se empaqueta y entrega el Super Junction MOSFET?R: El Super Junction MOSFET está envasado en un embalaje tubular a prueba de polvo, a prueba de agua y antiestático, colocado dentro de una caja de cartón en cajas de cartón.El tiempo de entrega es de 2-30 días (depende de la cantidad total) y los términos de pago son 100% T/T por adelantado (EXW)Tenemos una capacidad de suministro de 5K / mes.