多面性シリコンカービッド電源 モスフェット 650V ソーラーインバーター用

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x材料 | シリコンカービッド | 装置タイプ | MOSFET |
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パワー | 高い発電 | 製品名 | 炭化ケイ素MOSFET |
タイプ | N | 適用する | ソーラーインバータ、高圧DC/DCコンバータ、モータドライバ、UPS電源、スイッチング電源、充電パイルなど |
効率性 | 高性能 | 利点 | 国家軍事規格の生産ラインに基づいており、プロセスは安定しており、品質は信頼できます |
ハイライト | マルチシーン シリコンカービッド パワー モスフェット,シリコンカービッド電源 モスフェット 650V,ソーラーインバーター モスフェット シリコン |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
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1 | RSM065030W | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-3 | 600 | |
2 | RSM065030Z | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-4 | 600 | |
3 | RSM065060W | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-3 | 600 | |
4 | RSM065060Z | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-4 | 600 | |
5 | RSM120018Z | N | 105 | 1200 | 18 | 26 | TO247-4 | 600 | |
6 | RSM120025W | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-3 | 600 | |
7 | RSM120025Z | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-4 | 600 | |
8 | RSM120040W | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-3 | 600 | |
9 | RSM120040Z | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-4 | 600 | |
10 | RSM120075W | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-3 | 600 | |
11 | RSM120075Z | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-4 | 600 | |
12 | RSM120080W | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-3 | 600 | |
13 | RSM120080Z | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-4 | 600 | |
14 | RSM120160W | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-3 | 600 | |
15 | RSM120160Z | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-4 | 600 | |
16 | RSM1701K0W | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-3 | 600 | |
17 | RSM1701K0Z | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-4 | 600 | |
18 | RSM170045W | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-3 | 600 | |
19 | RSM170045Z | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-4 | 600 |
ソーラーインバーター向け高功率シリコンカービッドMOSFET
製品説明:
シリコンカービッドMOSFETは,シリコンカービッド金属酸化半導体 (MOS) 構造から成るSiCフィールド効果トランジスタ (FET) の一種である.低電阻の高周波装置ですこのシリコンカービッドMOSFETは,高速スイッチを必要とするアプリケーションで優れたパフォーマンスと信頼性を提供するように設計されています.低電力損失シリコンカービッドMOSFETは,10MHzまでの周波数で動作し,優れた信号完整性と電力効率を提供します.また,熱圧に強い耐性があり,非常に低いゲートしきい電圧を持っています低電力消費と低電力損失を保証する. SiC金属酸化半導体フィールド効果トランジスタ (MOSFET) は,高性能を必要とするアプリケーションに理想的な選択です.信頼性効率性について
技術パラメータ:
名前 | パラメータ |
---|---|
製品名 | シリコンカービッドモスフェット |
装置の種類 | MOSFET |
材料 | シリコンカービッド |
頻度 | 高頻度 |
抵抗力 | 抵抗 が 少なく |
タイプ | N |
パワー | 高い力 |
効率性 | 高効率性 |
利点 | 国軍標準生産ラインに基づいて,プロセスは安定し,品質は信頼性があります |
適用する | ソーラーインバーター,高電圧DC/DCコンバーター,モータードライバー,UPS電源,スイッチング電源,充電台など |
応用:
シリコンカービッドMOSFETは,中国の広東に位置する有名なブランドREASUNOSによって製造されるシリコンカービッドフィールド効果トランジスタ (SiC FET) の1種類である.最低注文量600個製品種類によって価格が確認されます.安全性を確保するため,シリコンカービッドMOSFETは,防塵,防水,反静的管状のパッケージに詰められています.紙箱の中に入れる商品の配送時間は,注文された総量に応じて2~30日です.購入料は,T/Tで100%事前で支払います.会社は月5KKの供給能力を有しています. シリコンカービッドMOSFETは抵抗が低く,高効率,N型,高電力があります. 主に太陽逆変体,高電圧DC/DCコンバーター,モータードライバー,UPS電源電源を切り替えて 充電し
サポートとサービス
シリコン・カービッド MOSFETは,顧客アプリケーションにおける最適なパフォーマンスと信頼性を確保するために,技術サポートとサービスを提供します.問題を解決する顧客ごとに最適なソリューションのガイドラインと推奨事項を提供します.シリコンカービッドMOSFETの長期的運用とパフォーマンスを確保するための適切なインストールと保守手順に関するガイドラインを提供するために,私たちの技術専門家が利用できます.
梱包と輸送:
シリコン カービッド MOSFET の 梱包 や 輸送 は 安全 で 信頼 できる 方法 で 行なわ れ ます.すべての 製品 は,熱 隔離 箱 に 置か れる 前 に 慎重 に 検査 さ れ,泡 紙 に 包まれ て い ます..箱はテープで封印され,必要な輸送情報でラベルが付けられます.箱はより大きな輸送コンテナに置かれ,パレットに置かれます.輸送のために確保されているものパレットはトラックや貨物船に載せられ 配送されます
FAQ:
A1: シリコンカービッドMOSFETのブランド名は REASUNOSです
A2: シリコンカービッドMOSFETの原産地は中国広東です.
A3: シリコン・カービッド・モスフェットの最小注文量は 600 枚です.
A4: シリコン・カービッド MOSFET では,防塵・防水・防静的管状のパッケージが使用され,紙箱の中に箱詰められています.
A5: シリコンカービッドMOSFETの配送時間は,総量に応じて 2-30 日です.