Multi-scene Silicon Carbide Power Mosfet 650V cho Inverter Mặt trời

Nguồn gốc Quảng Đông, CN
Hàng hiệu REASUNOS
Số lượng đặt hàng tối thiểu 600
Giá bán Confirm price based on product
chi tiết đóng gói Bao bì dạng ống chống bụi, chống thấm nước và chống tĩnh điện, được đặt bên trong hộp bìa cứng dạng
Thời gian giao hàng 2-30 ngày (Phụ thuộc vào Tổng số lượng)
Điều khoản thanh toán Trả trước 100% T / T (EXW)
Khả năng cung cấp 5KK/tháng

Liên hệ với tôi để lấy mẫu miễn phí và phiếu giảm giá.

WhatsApp:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

Ứng dụng trò chuyện: sales10@aixton.com

Nếu bạn có bất kỳ mối quan tâm nào, chúng tôi cung cấp trợ giúp trực tuyến 24 giờ.

x
Thông tin chi tiết sản phẩm
Vật liệu cacbua silic Loại thiết bị MOSFET
Sức mạnh Năng lượng cao Tên sản phẩm MOSFET silicon cacbua
Loại N Ứng dụng Biến tần năng lượng mặt trời, Bộ chuyển đổi DC/DC điện áp cao, Trình điều khiển động cơ, Bộ nguồn UP
hiệu quả Hiệu quả cao Thuận lợi Dựa trên dây chuyền sản xuất tiêu chuẩn quân sự quốc gia, quy trình ổn định và chất lượng đáng tin c
Làm nổi bật

Multi-scene Silicon Carbide Power Mosfet

,

Nguồn điện Silicon Carbide Mosfet 650V

,

Máy biến đổi năng lượng mặt trời Mosfet Silicon

Bạn có thể đánh dấu vào các sản phẩm bạn cần và liên lạc với chúng tôi trong bảng tin.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RSM065030W N 55 650 30 50 TO247-3 600
2 RSM065030Z N 55 650 30 50 TO247-4 600
3 RSM065060W N 29 650 60 79 TO247-3 600
4 RSM065060Z N 29 650 60 79 TO247-4 600
5 RSM120018Z N 105 1200 18 26 TO247-4 600
6 RSM120025W N 90 1200 25 34 TO247-3 600
7 RSM120025Z N 90 1200 25 34 TO247-4 600
8 RSM120040W N 68 1200 40 55 TO247-3 600
9 RSM120040Z N 68 1200 40 55 TO247-4 600
10 RSM120075W N 33 1200 75 95 TO247-3 600
11 RSM120075Z N 33 1200 75 95 TO247-4 600
12 RSM120080W N 36 1200 80 98 TO247-3 600
13 RSM120080Z N 36 1200 80 98 TO247-4 600
14 RSM120160W N 18 1200 160 196 TO247-3 600
15 RSM120160Z N 18 1200 160 196 TO247-4 600
16 RSM1701K0W N 5 1700 1000 1300 TO247-3 600
17 RSM1701K0Z N 5 1700 1000 1300 TO247-4 600
18 RSM170045W N 72 1700 45 70 TO247-3 600
19 RSM170045Z N 72 1700 45 70 TO247-4 600
Để lại lời nhắn
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Mô tả sản phẩm

MOSFET Silicon Carbide công suất cao cho ứng dụng biến tần mặt trời

Mô tả sản phẩm:

Silicon Carbide MOSFET là một loại SiC Field Effect Transistor (FET) được tạo thành từ cấu trúc Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor (MOS).Nó là một thiết bị tần số cao với điện trở thấp., làm cho nó lý tưởng để sử dụng trong các ứng dụng chuyển đổi tốc độ cao.mất điện thấp, và độ tin cậy cao. MOSFET cacbon silic có khả năng hoạt động ở tần số lên đến 10 MHz, cung cấp tính toàn vẹn tín hiệu và hiệu quả năng lượng tuyệt vời.Nó cũng có khả năng chống căng nhiệt cao và có một điện áp ngưỡng cổng rất thấp, đảm bảo tiêu thụ năng lượng thấp và giảm mất điện. SiC Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) là một lựa chọn lý tưởng cho các ứng dụng đòi hỏi hiệu suất cao,độ tin cậy, và hiệu quả.

 

Các thông số kỹ thuật:

Tên Parameter
Tên sản phẩm Silicon Carbide MOSFET
Loại thiết bị MOSFET
Vật liệu Silicon Carbide
Tần số Tần số cao
Kháng chiến Không có nhiều người chống lại
Loại N
Sức mạnh Quyền lực cao
Hiệu quả Hiệu quả cao
Ưu điểm Dựa trên dây chuyền sản xuất tiêu chuẩn quân sự quốc gia, quy trình ổn định và chất lượng đáng tin cậy
Ứng dụng Inverter năng lượng mặt trời, Chuyển đổi DC / DC điện áp cao, Máy điều khiển động cơ, Cung cấp điện UPS, Cung cấp điện chuyển đổi, Đồ sạc, Vv
 

Ứng dụng:

Silicon Carbide MOSFET là một loại Silicon Carbide Field Effect Transistor (SiC FET), được sản xuất bởi thương hiệu nổi tiếng REASUNOS, nằm ở Quảng Đông, Trung Quốc.Với số lượng đặt hàng tối thiểu là 600 miếng, giá của sản phẩm phải được xác nhận dựa trên loại sản phẩm. Để đảm bảo an toàn, các MOSFET Silicon Carbide được đóng gói trong bao bì ống chống bụi, chống nước và chống tĩnh,được đặt bên trong một hộp bìa trong hộp bìaThời gian giao hàng của sản phẩm là 2-30 ngày, tùy thuộc vào tổng số lượng đặt hàng. Thanh toán mua hàng phải được thực hiện trước, 100% thông qua T / T.Công ty có khả năng cung cấp 5KK / thángCác MOSFET Silicon Carbide có điện trở thấp, hiệu quả cao, loại N và công suất cao. Nó chủ yếu được sử dụng trong các ứng dụng như biến tần năng lượng mặt trời, biến tần DC / DC cao cấp, trình điều khiển động cơ,Cung cấp điện UPS, chuyển nguồn cung cấp điện, và đống sạc.

 

Hỗ trợ và Dịch vụ:

Silicon Carbide MOSFET cung cấp hỗ trợ kỹ thuật và dịch vụ để đảm bảo hiệu suất tối ưu và độ tin cậy trong các ứng dụng của khách hàng.giải quyết các vấn đề, và cung cấp hướng dẫn và khuyến nghị cho giải pháp tốt nhất cho mỗi khách hàng.các chuyên gia kỹ thuật của chúng tôi có sẵn để cung cấp hướng dẫn về các thủ tục lắp đặt và bảo trì thích hợp để đảm bảo hoạt động lâu dài và hiệu suất của Silicon Carbide MOSFET.

 

Bao bì và vận chuyển:

Bao bì và vận chuyển silicon carbide MOSFET được thực hiện một cách an toàn và đáng tin cậy..Các hộp sau đó được niêm phong bằng băng dán và dán nhãn với thông tin vận chuyển cần thiết.được bảo mật để vận chuyểnCác pallet sau đó được tải lên xe tải hoặc tàu chở hàng để giao hàng.

 

FAQ:

Q1: Tên thương hiệu của Silicon Carbide MOSFET là gì?

A1: Tên thương hiệu của Silicon Carbide MOSFET là REASUNOS.

Q2: Nơi xuất xứ của Silicon Carbide MOSFET ở đâu?

A2: Nơi xuất xứ của Silicon Carbide MOSFET là Quảng Đông, Trung Quốc.

Q3: Số lượng đặt hàng tối thiểu của Silicon Carbide MOSFET là bao nhiêu?

A3: Số lượng đặt hàng tối thiểu của Silicon Carbide MOSFET là 600.

Q4: Loại bao bì nào được sử dụng cho Silicon Carbide MOSFET?

A4: Đối với Silicon Carbide MOSFET, bao bì ống chống bụi, chống nước và chống tĩnh được sử dụng, được đặt bên trong một hộp bìa trong hộp hộp.

Q5: Thời gian giao hàng của Silicon Carbide MOSFET là bao lâu?

A5: Thời gian giao hàng của Silicon Carbide MOSFET là 2-30 ngày, tùy thuộc vào tổng số lượng.