Мосфет 650 В для солнечного инвертора
Место происхождения | Гуандун, CN |
---|---|
Фирменное наименование | REASUNOS |
Количество мин заказа | 600 |
Цена | Confirm price based on product |
Упаковывая детали | Прочная, водонепроницаемая и антистатическая трубчатая упаковка, помещенная в картонную коробку в ка |
Время доставки | 2-30 дней (зависит от общего количества) |
Условия оплаты | 100% T/T заранее ((EXW) |
Поставка способности | 5кк/месяц |

Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.
WhatsApp:0086 18588475571
Вичат: 0086 18588475571
Скайп: sales10@aixton.com
Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.
xМатериал | Силиконовый карбид | Тип прибора | MOSFET |
---|---|---|---|
Сила | Наивысшая мощность | Наименование продукта | МОП-транзистор из карбида кремния |
Тип | N | Применение | Солнечный инвертор, высоковольтный преобразователь постоянного тока в постоянный, драйвер двигателя, |
эффективность | Высокая эффективность | Преимущества | Основанный на производственной линии национального военного стандарта, процесс стабилен, а качество |
Выделить | Мосфеты на силиконовом карбиде,Силиконовый карбид Мосфет 650 В,Солнечный инвертор Мосфет Кремний |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1 | RSM065030W | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-3 | 600 | |
2 | RSM065030Z | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-4 | 600 | |
3 | RSM065060W | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-3 | 600 | |
4 | RSM065060Z | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-4 | 600 | |
5 | RSM120018Z | N | 105 | 1200 | 18 | 26 | TO247-4 | 600 | |
6 | RSM120025W | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-3 | 600 | |
7 | RSM120025Z | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-4 | 600 | |
8 | RSM120040W | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-3 | 600 | |
9 | RSM120040Z | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-4 | 600 | |
10 | RSM120075W | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-3 | 600 | |
11 | RSM120075Z | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-4 | 600 | |
12 | RSM120080W | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-3 | 600 | |
13 | RSM120080Z | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-4 | 600 | |
14 | RSM120160W | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-3 | 600 | |
15 | RSM120160Z | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-4 | 600 | |
16 | RSM1701K0W | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-3 | 600 | |
17 | RSM1701K0Z | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-4 | 600 | |
18 | RSM170045W | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-3 | 600 | |
19 | RSM170045Z | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-4 | 600 |
Мосфет из карбида кремния высокой мощности для применения в солнечных инверторах
Описание продукта:
Силиконовый карбидный MOSFET - это тип транзистора с эффектом поля SiC (FET), который состоит из структуры Силиконового карбида металлического оксида полупроводника (MOS).Это высокочастотное устройство с низким сопротивлениемЭтот карбид кремния MOSFET предназначен для обеспечения превосходных характеристик и надежности в приложениях, требующих быстрого переключения,низкая потеря мощностиКремниевый карбид MOSFET способен работать на частотах до 10 МГц, обеспечивая отличную целостность сигнала и энергоэффективность.Он также высоко устойчив к тепловым нагрузкам и имеет очень низкое пороговое напряжение, что обеспечивает низкое потребление электроэнергии и снижение потерь электроэнергии. Транзистор с эффектом поля SiC-металл-оксид-полупроводник (MOSFET) является идеальным выбором для приложений, требующих высокой производительности,надежность, и эффективности.
Технические параметры:
Имя | Параметр |
---|---|
Наименование продукта | Силиконокарбидный МОСФЕТ |
Тип устройства | MOSFET |
Материал | Силиконовый карбид |
Частота | Высокая частота |
Сопротивление | Низкое сопротивление |
Тип | N |
Сила | Высокая власть |
Эффективность | Высокая эффективность |
Преимущества | На основе национальной военной стандартной производственной линии, процесс стабилен и качество надежно |
Применение | Солнечный инвертор, высоковольтный преобразователь постоянного тока/ постоянного тока, драйвер двигателя, подача электроэнергии UPS, переключатель питания, зарядная куча и т.д. |
Применение:
Кремниевые карбидные MOSFET - это тип транзистора с эффектом полевого эффекта кремниевого карбида (SiC FET), производимый известной маркой REASUNOS, расположенной в Гуандун, Китай.Минимальное количество заказов 600 штук, цена продукта должна быть подтверждена в зависимости от типа продукта. Для обеспечения безопасности, КАРБИД КРМОСФЕТ упаковывается в пылестойкую, водонепроницаемую и антистатическую трубчатую упаковку,помещенные в картонную коробку в картонных коробках. Время доставки товара составляет 2-30 дней, в зависимости от общего количества заказанного. Оплата за покупку должна быть произведена заранее, 100% через T / T.Компания имеет возможности поставки 5KK / месяц. Кремниевый карбид MOSFET имеет низкое сопротивление, высокую эффективность, N-тип и высокую мощность. Он в основном используется в таких приложениях, как солнечный инвертор, высоковольтный конвертер постоянного тока / постоянного тока, драйвер двигателя,Электрическое питание ВПС, переключение питания, и зарядный столб.
Поддержка и услуги:
Силиконовый карбид MOSFET предлагает техническую поддержку и сервис для обеспечения оптимальной производительности и надежности в приложениях клиентов.устранение неполадок, и предоставлять рекомендации и рекомендации по наилучшему решению для каждого клиента.наши технические эксперты доступны для оказания руководства по правильным процедурам установки и обслуживания для обеспечения долгосрочной работы и производительности Кремниевого карбида MOSFET.
Упаковка и перевозка:
Все продукты тщательно проверяются и упаковываются в пузырьковую оболочку, прежде чем помещаться в теплоизолированные коробки..Затем коробки запечатываются лентой и помечены необходимой информацией о перевозке.которые закреплены для перевозкиЗатем поддоны загружаются на грузовики или грузовые суда для доставки.
Часто задаваемые вопросы
Ответ 1: Торговая марка КАРБИДОГРУБНОГО МОСФЕТА - REASUNOS.
A2: Место происхождения КАРБИДОВОГО КРОСФЕТА - Гуандун, Китай.
A3: Минимальное количество заказов на карбид кремния MOSFET составляет 600.
A4: Для КАРБИДОВОГО КАРБИДА MOSFET используется пылестойкая, водонепроницаемая и антистатическая трубчатая упаковка, помещенная в картонную коробку в картонные коробки.
Ответ: Время доставки КАРБИДОВОГО КАРБИДОВОГО МОСФЕТА составляет 2-30 дней, в зависимости от общего количества.