Invertisseur solaire à carbure de silicium MOSFET N canal pour l'industrie
Lieu d'origine | Guangdong, NC |
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Nom de marque | REASUNOS |
Quantité de commande min | 600 |
Prix | Confirm price based on product |
Détails d'emballage | Emballage tubulaire antipoussière, imperméable à l'eau et antistatique, placé dans une boîte en cart |
Délai de livraison | 2 à 30 jours (selon la quantité totale) |
Conditions de paiement | 100% T/T à l'avance |
Capacité d'approvisionnement | 5KK/mois |

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xType de dispositif | Transistor MOSFET | Fréquence | À haute fréquence |
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Résistance | Faible résistance | Application du projet | Onduleur solaire, convertisseur DC/DC haute tension, pilote de moteur, alimentation UPS, alimentatio |
l'efficacité | Rendement élevé | Avantages | Basé sur la chaîne de production de normes militaires nationales, le processus est stable et la qual |
Le pouvoir | Puissance élevée | Nom du produit | MOSFET en carbure de silicium |
Mettre en évidence | MOSFET au carbure de silicium,MOSFET au carbure de silicium N canal,Mousfet à base de silicium industriel |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
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1 | RSM065030W | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-3 | 600 | |
2 | RSM065030Z | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-4 | 600 | |
3 | RSM065060W | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-3 | 600 | |
4 | RSM065060Z | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-4 | 600 | |
5 | RSM120018Z | N | 105 | 1200 | 18 | 26 | TO247-4 | 600 | |
6 | RSM120025W | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-3 | 600 | |
7 | RSM120025Z | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-4 | 600 | |
8 | RSM120040W | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-3 | 600 | |
9 | RSM120040Z | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-4 | 600 | |
10 | RSM120075W | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-3 | 600 | |
11 | RSM120075Z | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-4 | 600 | |
12 | RSM120080W | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-3 | 600 | |
13 | RSM120080Z | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-4 | 600 | |
14 | RSM120160W | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-3 | 600 | |
15 | RSM120160Z | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-4 | 600 | |
16 | RSM1701K0W | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-3 | 600 | |
17 | RSM1701K0Z | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-4 | 600 | |
18 | RSM170045W | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-3 | 600 | |
19 | RSM170045Z | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-4 | 600 |
MOSFET au carbure de silicium de haute puissance basé sur la ligne de production standard militaire nationale
Description du produit:
Le transistor à effet de champ à semi-conducteurs à oxyde de silicium de carbure de silicium (SiC MOSFET) est un type de dispositif semi-conducteur de puissance fabriqué à partir de carbure de silicium.qui est idéal pour les applications haute tension et haute puissanceCes MOSFET en carbure de silicium sont largement utilisés dans l'onduleur solaire, le convertisseur à haute tension CC/CC, le pilote de moteur, l'alimentation UPS, le commutateur d'alimentation et la pile de charge, etc.en raison de sa faible résistance d'allumage et de ses excellentes performances de commutationIls sont conçus pour fournir des performances supérieures, robustesse et fiabilité dans les environnements les plus exigeants.,caractéristiques de commutation indépendante de température, faible perte de puissance et large plage de température de fonctionnement.
Paramètres techniques:
Paramètre | Valeur |
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Le pouvoir | Le pouvoir suprême |
Application du projet | Invertisseur solaire, convertisseur CC/CC haute tension, pilote de moteur, alimentation UPS, alimentation commutée, pile de charge, etc. |
Nom du produit | MOSFET au carbure de silicium |
Les avantages | Basé sur la ligne de production militaire nationale, le processus est stable et la qualité est fiable |
Type de dispositif | MOSFET |
Fréquence | Fréquence élevée |
Efficacité | Haute efficacité |
Matériel | Carbure de silicium |
Le type | N |
Résistance | Faible résistance |
Applications:
Le MOSFET au carbure de silicium (SiC MOSFETs) est un type de transistor à effet de champ à semi-conducteurs d'oxyde de métal (MOSFET) qui utilise le carbure de silicium comme matériau semi-conducteur.Il est conçu pour être utilisé dans des applications à haute fréquence et à haut rendement, tels que les onduleurs photovoltaïques, les modules d'alimentation automobile et les moteurs industriels.Le transistor à effet de champ SiC est capable de gérer une puissance élevée et de fournir une efficacité élevée en raison de ses excellentes propriétés thermiques et électriquesEn outre, il a une faible résistance d'allumage et une fréquence de commutation élevée, ce qui en fait un composant approprié pour les applications de conversion de puissance.
Le MOSFET au carbure de silicium REASUNOS est disponible avec une quantité minimale de 600 et est emballé dans un emballage tubulaire antipoussière, imperméable à l'eau et antistatique, placé dans une boîte en carton dans des cartons.Le produit est offert avec un délai de livraison de 2 à 30 jours, en fonction de la quantité totale.Le type de dispositif est de type N avec une fréquence élevée et une puissance élevée.
Assistance et services:
Nous fournissons un soutien technique et un service pour nos produits MOSFET au carbure de silicium.Notre équipe expérimentée est à votre disposition pour répondre à toutes vos questions sur nos produits et vous fournir les informations dont vous avez besoin pour prendre une décision d'achat éclairée..
Notre personnel de support technique vous aidera à résoudre tout problème que vous pourriez avoir avec nos produits,et notre équipe dédiée au service à la clientèle est là pour répondre à toutes vos questions ou préoccupations concernant nos produits et services.
Nous nous efforçons de vous fournir le meilleur service possible et nous nous engageons à vous assurer que vous êtes satisfait de nos produits et services.
Emballage et expédition
L'emballage et l'expédition du MOSFET au carbure de silicium comprennent:
- Enveloppe à bulles
- Enveloppe en plastique
- En boîtes
- Boîte isolée
- Étiqueté
- Assuré
- Numéro de suivi
FAQ:
Q1: Quel est le nom de marque du MOSFET au carbure de silicium?
R1: La marque est REASUNOS.
Q2: Où le MOSFET au carbure de silicium est-il fabriqué?
R2: Le MOSFET au carbure de silicium est fabriqué à Guangdong, en Chine.
Q3: Quelle est la quantité minimale de commande pour le MOSFET au carbure de silicium?
R3: La quantité minimale de commande est de 600.
Q4: Quel est le délai de livraison du MOSFET au carbure de silicium?
R4: Le délai de livraison est de 2 à 30 jours, selon la quantité totale.
Q5: Quelles sont les conditions de paiement pour le MOSFET au carbure de silicium?
R5: Les conditions de paiement sont de 100% T/T à l'avance (EXW).