Inversor Solar MOSFET de Carbono de Silício N Canal Para Industrial
Lugar de origem | Guangdong, NC |
---|---|
Marca | REASUNOS |
Quantidade de ordem mínima | 600 |
Preço | Confirm price based on product |
Detalhes da embalagem | Embalagem tubular à prova de pó, à prova de água e antiestática, colocada dentro de uma caixa de pap |
Tempo de entrega | 2-30 dias (depende da quantidade total) |
Termos de pagamento | 100% T/T adiantado (EXW) |
Habilidade da fonte | 5KK/mês |

Contacte-me para amostras grátis e vales.
Whatsapp:0086 18588475571
bate-papo: 0086 18588475571
skype: sales10@aixton.com
Se você tem algum interesse, nós fornecemos a ajuda online de 24 horas.
xTipo de dispositivo | MOSFET | Frequência | De alta frequência |
---|---|---|---|
Resistência | Baixa resistência | Aplicação | Inversor solar, conversor DC/DC de alta tensão, driver de motor, fonte de alimentação UPS, fonte de |
eficiência | Eficiência elevada | Vantagens | Baseado na linha de produção do padrão militar nacional, o processo é estável e a qualidade é confiá |
Potência | Poder superior | Nome do produto | MOSFET de carboneto de silício |
Destacar | MOSFET de carburo de silício com inversor solar,MOSFET de carburo de silício N canal,MOSFET de canal N de silício industrial |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1 | RSM065030W | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-3 | 600 | |
2 | RSM065030Z | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-4 | 600 | |
3 | RSM065060W | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-3 | 600 | |
4 | RSM065060Z | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-4 | 600 | |
5 | RSM120018Z | N | 105 | 1200 | 18 | 26 | TO247-4 | 600 | |
6 | RSM120025W | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-3 | 600 | |
7 | RSM120025Z | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-4 | 600 | |
8 | RSM120040W | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-3 | 600 | |
9 | RSM120040Z | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-4 | 600 | |
10 | RSM120075W | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-3 | 600 | |
11 | RSM120075Z | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-4 | 600 | |
12 | RSM120080W | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-3 | 600 | |
13 | RSM120080Z | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-4 | 600 | |
14 | RSM120160W | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-3 | 600 | |
15 | RSM120160Z | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-4 | 600 | |
16 | RSM1701K0W | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-3 | 600 | |
17 | RSM1701K0Z | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-4 | 600 | |
18 | RSM170045W | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-3 | 600 | |
19 | RSM170045Z | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-4 | 600 |
MOSFET de carburo de silício de alta potência baseado na linha de produção padrão militar nacional
Descrição do produto:
O Transistor de Efeito de Campo de Semicondutores de Óxido de Carbono de Silício (SiC MOSFET) é um tipo de dispositivo semicondutor de potência feito de material de carburo de silício,ideal para aplicações de alta tensão e alta potênciaEstes MOSFETs de carburo de silício são amplamente utilizados em inversores solares, conversores DC/DC de alta voltagem, condutores de motores, fonte de alimentação UPS, comutação de fonte de alimentação e pilha de carregamento, etc.devido à sua baixa resistência de ligação e excelente performance de comutaçãoOs MOSFETs de Carbono de Silício são projetados para fornecer desempenho superior, robustez e confiabilidade nos ambientes mais exigentes.,Características independentes de comutação de temperatura, baixa perda de energia e ampla gama de temperaturas de funcionamento.
Parâmetros técnicos:
Parâmetro | Valor |
---|---|
Potência | Alto Poder |
Aplicação | Inversor solar, conversor de alta tensão DC/DC, condutor de motor, fonte de alimentação UPS, fonte de alimentação de comutação, pilha de carga, etc. |
Nome do produto | MOSFET de carburo de silício |
Vantagens | Baseado na linha de produção padrão militar nacional, o processo é estável e a qualidade é confiável |
Tipo de dispositivo | MOSFET |
Frequência | Frequência elevada |
Eficiência | Eficiência elevada |
Materiais | Carbono de silício |
Tipo | N |
Resistência | Baixa resistência |
Aplicações:
REASUNOS MOSFET de carburo de silício (SiC MOSFETs) é um tipo de transistor de efeito de campo de óxido de metal-semicondutor (MOSFET) que utiliza carburo de silício como material semicondutor.É projetado para ser utilizado em aplicações de alta frequência e alta eficiência, tais como inversores fotovoltaicos, módulos de potência de automóveis e motores industriais.O Transistor de Efeito de Campo SiC é capaz de lidar com alta potência e fornecer alta eficiência devido às suas excelentes propriedades térmicas e elétricasAlém disso, tem uma baixa resistência de ligação e uma alta frequência de comutação, o que o torna um componente adequado para aplicações de conversão de potência.
REASUNOS MOSFET de carburo de silício está disponível com uma quantidade mínima de 600 e é embalado em embalagens tubulares à prova de poeira, à prova de água e antistáticas, colocadas dentro de uma caixa de papelão em caixas de papelão.O produto é oferecido com um prazo de entrega de 2-30 dias, dependendo da quantidade total.O tipo de dispositivo é do tipo N, com alta frequência e alta potência..
Apoio e Serviços:
Fornecemos suporte técnico e serviço para os nossos produtos MOSFET de Carbono de Silício.A nossa equipa experiente está à disposição para responder a quaisquer perguntas que possa ter sobre os nossos produtos e fornecer-lhe as informações necessárias para tomar uma decisão de compra informada..
A nossa equipa de apoio técnico irá ajudá-lo a resolver qualquer problema que possa ter com os nossos produtos.e nossa equipe dedicada de atendimento ao cliente está lá para responder a quaisquer perguntas ou preocupações que você possa ter sobre nossos produtos e serviços.
Esforçamo-nos para lhe fornecer o melhor serviço possível e estamos empenhados em garantir que você esteja satisfeito com os nossos produtos e serviços.
Embalagem e transporte:
A embalagem e o transporte do MOSFET de Carbono de Silício incluem:
- Embalagem de bolhas
- Embalagem de plástico
- Em caixas
- Caixa isolada
- Marcado
- Asegurado
- Número de rastreamento
Perguntas frequentes:
P1: Qual é a marca do MOSFET de Carbono de Silício?
R1: A marca é REASUNOS.
P2: Onde é fabricado o MOSFET de carburo de silício?
A2: O MOSFET de carburo de silício é fabricado em Guangdong, na China.
Q3: Qual é a quantidade mínima de encomenda para o MOSFET de carburo de silício?
R3: A quantidade mínima de encomenda é de 600.
Q4: Qual é o prazo de entrega do MOSFET de carburo de silício?
A: O prazo de entrega é de 2 a 30 dias, dependendo da quantidade total.
Q5: Quais são os termos de pagamento do MOSFET de carburo de silício?
A5: Os termos de pagamento são 100% T/T adiantado (EXW).