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Résistance à la température des semi-conducteurs de type N au silicium
| l'efficacité: | Rendement élevé |
|---|---|
| Courant de récupération d'inversion: | Courant de récupération inverse extrêmement faible |
| Résistance de la température: | Résistance aux températures élevées |
Des semi-conducteurs industriels à base de silicium, des transistors à haute fréquence polyvalents.
| Courant de récupération d'inversion: | Courant de récupération inverse extrêmement faible |
|---|---|
| Le pouvoir: | Puissance élevée |
| Fréquence: | À haute fréquence |
UPS, semi-conducteur à haute tension, semi-conducteur stable de type N, silicium
| Fréquence: | À haute fréquence |
|---|---|
| Application du projet: | Invertisseur solaire, convertisseur CC/CC haute tension, pilote de moteur, UPS, alimentation électri |
| Résistance de la température: | Résistance aux températures élevées |
Un semi-conducteur à carbure de silicium durable, un transistor multifonctionnel à haute puissance.
| Courant anti-poussée: | Capacité de résistance aux surtensions |
|---|---|
| Nom du produit: | Semi-conducteurs à haute puissance |
| Application du projet: | Invertisseur solaire, convertisseur CC/CC haute tension, pilote de moteur, UPS, alimentation électri |
Transistor bipolaire à haute fréquence de 60 kHz
| Vitesse de changement: | Vitesse de commutation plus rapide |
|---|---|
| Fréquence d'application: | 60KHz |
| Le pouvoir: | Puissance élevée |
Transistors Mosfet à faible puissance multi-scène SGT Stable avec basse tension de seuil
| Consommation d'électricité: | Perte de puissance faible |
|---|---|
| Nom du produit: | MOSFET basse tension |
| Application du procédé de tranchée: | Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur DC/DC, commutateur haute fréquen |
60V 150V basse tension haut courant Mosfet durable multi-fonction
| Résistance: | Le bas RDS (DESSUS) |
|---|---|
| l'efficacité: | Haute efficacité et fiabilité |
| Capacité EAS: | Capacité EAS élevée |
MOSFET de puissance à basse tension à tranchée durable, MOSFET de tension de seuil ultra bas SGT
| Avantages de processus de SGT: | Optimisation de la percée FOM, couvrant plus d'application. |
|---|---|
| l'efficacité: | Haute efficacité et fiabilité |
| Consommation d'électricité: | Perte de puissance faible |
Mosfets à faible puissance polyvalents, N-Channel Mosfet Voltage de seuil bas
| Capacité EAS: | Capacité EAS élevée |
|---|---|
| Processus de structuration: | Tranchée/SGT |
| Application du procédé de tranchée: | Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur DC/DC, commutateur haute fréquen |
Stable à basse tension 20V P Channel Mosfet, Transistor à haute tension pratique.
| l'efficacité: | Haute efficacité et fiabilité |
|---|---|
| Consommation d'électricité: | Perte de puissance faible |
| Application de processus de SGT: | Conducteur de moteur, station de la base 5G, stockage de l'énergie, commutateur à haute fréquence, r |