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Industrielle Mosfet Hochleistungs-Metall-Oxid-Halbleiterfeldwirkungstransistor

  • Industrial Mosfet High Power , Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen GB+Masterkarton
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

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Produktdetails
Häufigkeit Hochfrequenz Vorteile Basierend auf der Produktionslinie nach nationalem Militärstandard ist der Prozess stabil und die Qu
Produktbezeichnung MOSFET der hohen Leistung Typ N
Effizienz Hohe Leistungsfähigkeit Widerstand Geringer Widerstand
Einheitentyp MOSFET Macht Hohe Leistung
Hervorheben

Industrie-Mosfet mit hoher Leistung

,

Stabiler Mosfet mit hoher Leistung

,

Metalloxid Halbleiterfeldwirkungstransistor
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RSM065030W N 55 650 30 50 TO247-3 600
2 RSM065030Z N 55 650 30 50 TO247-4 600
3 RSM065060W N 29 650 60 79 TO247-3 600
4 RSM065060Z N 29 650 60 79 TO247-4 600
5 RSM120018Z N 105 1200 18 26 TO247-4 600
6 RSM120025W N 90 1200 25 34 TO247-3 600
1 RSE60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
2 RSE60R190S N 17.6 600 165 190 TO-263 800
3 RSE60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
4 RSF60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
5 RSF60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
6 RS60R130F N 30 600 110 130 TO-220F 1000
7 RS60R130W N 30 600 110 130 TO247-3 600
8 RSF60R099F N 31 600 86 99 TO-220F 1000
1 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500
2 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000
3 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500
4 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000
5 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000
6 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500
7 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Produkt-Beschreibung

Beschreibung des Produkts:

High Power MOSFET ist eine Art von N-Kanal-MOSFET, das für Anwendungen wie Solarumrichter, Hochspannungs-DC/DC-Wandler, Motorantrieb, UPS-Stromversorgung, Schaltnetzteil,Ladehaufen, etc. Es hat die Vorteile eines geringen Widerstands, eines hohen Stroms, einer hohen Effizienz und einer militärischen Produktionslinie.Es basiert auf der nationalen militärischen Produktionslinie für Qualitätssicherung und zuverlässige Leistung.

 

Technische Parameter:

Parameter Hochleistungs-MOSFET
Widerstand Niedriger Widerstand
Häufigkeit Hochfrequenz
Typ N
Effizienz Hohe Effizienz
Macht Hohe Macht
Vorteile Auf der Basis der nationalen Militärstandard-Produktionslinie ist der Prozess stabil und die Qualität zuverlässig.
Produktbezeichnung Hochleistungs-MOSFET
Gerätetypen MOSFET
Anwendung Solarumrichter, Hochspannungs-Gleichspannungs-/Gleichspannungsumrichter, Motorantrieb, UPS-Stromversorgung, Schaltstromversorgung, Ladestelle usw.
 

Anwendungen:

REASUNOS High Power MOSFET ist ein hochfrequentes und hocheffizientes MOSFET mit geringem Widerstand.hohe Stromkapazität und ausgezeichnete thermische EigenschaftenDieses MOSFET ist für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet, wie Solarumrichter, Hochspannungs-DC/DC-Wandler, Motorantrieb, UPS-Stromversorgung, Schaltstromversorgung und Ladehaufen.

Das REASUNOS High Power MOSFET ist zu einem günstigen Preis erhältlich und wird mit GB+Master Carton verpackt.Die Zahlungsbedingungen sind 100% T/T im Voraus ((EXW)- Die Versorgungsfähigkeit beträgt bis zu 5KK/Monat.

Das REASUNOS Hochleistungs-MOSFET ist eine gute Wahl für Kunden auf dem Markt für ein Hochleistungs- und Hochfrequenz-MOSFET mit geringem Widerstand.Das Produkt bietet hervorragende thermische Eigenschaften und eine hohe Stromkapazität, so dass es für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet ist.

 

Unterstützung und Dienstleistungen:

Technische Unterstützung und Service für Hochleistungs-MOSFET

Wir bieten die neueste technische Unterstützung und Service für High Power MOSFET Produkte.Unsere Experten verfügen über das Wissen und die Erfahrung, um Ihnen bei Fragen oder Problemen zu helfen, die Sie in Bezug auf unsere Produkte haben..

Wir bieten umfassende technische Unterstützung für unsere High Power MOSFET Produkte, einschließlich Fehlerbehebung, Installation, Reparatur, Wartung und Optimierung.Unser Team von erfahrenen Ingenieuren und Technikern steht Ihnen zur Verfügung, um Ihre Fragen zu beantworten und Lösungen zu finden..

Unsere technischen Support-Dienstleistungen sollen Ihnen helfen, das Beste aus Ihren Hochleistungs-MOSFET-Produkten herauszuholen.Wir bieten Schritt für Schritt Anweisungen und Anleitungen, um die sichere und effiziente Verwendung unserer Produkte zu gewährleisten.

Wir sind bestrebt, unseren Kunden höchste Qualität an technischem Service und Support zu bieten.und unser Team ist immer bereit, Ihnen bei Fragen oder Bedenken zu helfen..

 

Verpackung und Versand:

Verpackung und Versand von Hochleistungs-MOSFET:

Hochleistungs-MOSFETs werden typischerweise in schwarzen Kunststoffbehältern verpackt.Anschließend werden die Behälter in einen Karton verpackt und mit Klebeband versiegelt.Die Box ist mit dem Produktnamen und der Bauteilnummer versehen und wird je nach Bedarf des Kunden per Luft- oder Landfracht versandt.

 

Häufige Fragen:

F1: Welcher Markenname trägt das Hochleistungs-MOSFET?

A1: Der Markenname des Hochleistungs-MOSFET ist REASUNOS.

F2: Wo wird das Produkt hergestellt?

A2: Das High Power MOSFET wird in Guangdong, China, hergestellt.

F3: Wie ist der Preis des Produktes?

A3: Der Preis des Hochleistungs-MOSFET hängt vom Produkt ab.

F4: Wie sind die Verpackungsdaten?

A4: Die Verpackungsdetails des Hochleistungs-MOSFET sind GB+Master Carton.

F5: Wie ist die Lieferzeit?

A5: Die Lieferzeit des Hochleistungs-MOSFET beträgt 2-30 Tage, abhängig von der Gesamtmenge.

F6: Wie sind die Zahlungsbedingungen?

A6: Die Zahlungsbedingungen für das Hochleistungs-MOSFET sind 100% T/T im Voraus (EXW).

F7: Wie hoch ist die Versorgungsfähigkeit?

A7: Die Versorgungsfähigkeit des Hochleistungs-MOSFET beträgt 5KK/Monat.

Umbauten:

Langlebige Hochleistungs-N-Kanal-Mosfet

MOSFET-Konverter mit hoher Leistung

N-Kanal-Hochleistungs-MOSFET