Oberflächenmontage Hochleistungs-MOSFET Multiscene Dauerhafte Hochspannung

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xWiderstand | Geringer Widerstand | Typ | N |
---|---|---|---|
Vorteile | Basierend auf der Produktionslinie nach nationalem Militärstandard ist der Prozess stabil und die Qu | Macht | Hohe Leistung |
Einheitentyp | MOSFET | Effizienz | Hohe Leistungsfähigkeit |
Anwendung | Solarwechselrichter, Hochspannungs-DC/DC-Wandler, Motortreiber, USV-Stromversorgung, Schaltnetzteil, | Häufigkeit | Hochfrequenz |
Hervorheben | Oberflächenmontage Hochleistungs-MOSFET,MOSFET-Multiscene mit hoher Leistung,Dauerhafte Hochspannungs-Stromversorgung |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1 | RSM065030W | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-3 | 600 | |
2 | RSM065030Z | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-4 | 600 | |
3 | RSM065060W | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-3 | 600 | |
4 | RSM065060Z | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-4 | 600 | |
5 | RSM120018Z | N | 105 | 1200 | 18 | 26 | TO247-4 | 600 | |
6 | RSM120025W | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-3 | 600 | |
1 | RSE60R190F | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-220F | 1000 | |
2 | RSE60R190S | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-263 | 800 | |
3 | RSE60R150F | N | 22 | 600 | 130 | 150 | TO-220F | 1000 | |
4 | RSF60R150F | N | 22 | 600 | 130 | 150 | TO-220F | 1000 | |
5 | RSF60R190F | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-220F | 1000 | |
6 | RS60R130F | N | 30 | 600 | 110 | 130 | TO-220F | 1000 | |
7 | RS60R130W | N | 30 | 600 | 110 | 130 | TO247-3 | 600 | |
8 | RSF60R099F | N | 31 | 600 | 86 | 99 | TO-220F | 1000 | |
1 | RS2N65D | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-252 | 2500 | |
2 | RS2N65F | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-220F | 1000 | |
3 | RS4N65D | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | |
4 | RS4N65MD | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-251 | 4000 | |
5 | RS4N65F | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | |
6 | RS5N65D | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-252 | 2500 | |
7 | RS5N65F | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-220F | 1000 |
Hochspannungs-MOSFET Stabiler Prozess Zuverlässige Qualität Hohe Leistung
Beschreibung des Produkts:
DieHochleistungs-MOSFETist ein fortgeschrittener Typ eines Metalloxid-Halbleitertranzistors (MOSFET), der auf die höchsten Leistungsbedürfnisse einer Vielzahl von Anwendungen, einschließlich Solarumrichter, zugeschnitten ist,mit einer Leistung von mehr als 50 W, Motorfahrer, UPS-Stromversorgung, Schaltstromversorgung, Ladestellen und mehr.Es verfügt über eine hocheffiziente N-Typ Power MOSFET, die auf der nationalen militärischen Standard-Produktionslinie basiert, die für einen stabilen Prozess und eine zuverlässige Qualität sorgen. Sie bietet eine verbesserte Leistung und hohe Effizienz und ist somit eine ideale Wahl für Hochleistungsanwendungen.
Dieses MOSFET bietet eine hohe Strom- und Leistungskapazität, die es für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet macht.Während seine geringe Torladung und die geringe Tor-Quellkapazität Schaltverluste reduzierenDarüber hinaus ist es in einer Vielzahl von Paketen erhältlich, sodass es leicht in bestehende Designs integriert werden kann.
DieHochleistungs-MOSFETist aufgrund seiner hohen Effizienz und Zuverlässigkeit eine ausgezeichnete Wahl für viele Anwendungen.Hochstrom-MOSFET, das mit der nationalen militärischen Produktionslinie hergestellt wird, um eine höhere Qualität und Leistung zu gewährleisten.
Technische Parameter:
Eigentum | Wert |
---|---|
Macht | Hohe Macht |
Vorteile | Auf der Basis der nationalen Militärstandard-Produktionslinie ist der Prozess stabil und die Qualität zuverlässig. |
Typ | N |
Widerstand | Niedriger Widerstand |
Produktbezeichnung | Hochleistungs-MOSFET |
Häufigkeit | Hochfrequenz |
Gerätetypen | MOSFET |
Effizienz | Hohe Effizienz |
Anwendung | Solarumrichter, Hochspannungs-Gleichspannungs-/Gleichspannungsumrichter, Motorantrieb, UPS-Stromversorgung, Schaltstromversorgung, Ladestelle usw. |
Anwendungen:
REASUNOS High Power MOSFET ist ein Gerätetyp von MOSFET mit niedrigem Widerstand und hoher Leistung.Dies stellt sicher, dass der Prozess stabil und die Qualität zuverlässig istDie Frequenz dieses Geräts ist hoch.
Der Preis dieses Produkts wird je nach Produkt bestätigt. Die Verpackungsdetails sind GB + Master Carton. Die Lieferzeit beträgt 2-30 Tage, was von der Gesamtmenge abhängt.100% T/T im Voraus (EXW) für Zahlungsbedingungen erforderlichDie Versorgungsfähigkeit dieses Produkts beträgt 5 KK/Monat.
Die Vorteile von REASUNOS High Power MOSFET sind unter anderem der geringe Widerstand, hohe Leistung, hohe Frequenz,und seiner zuverlässigen Qualität aufgrund der nationalen militärischen Standard-Produktionslinie, auf der es basiert.
Unterstützung und Dienstleistungen:
Für alle Fragen im Zusammenhang mit High Power MOSFET bieten wir unseren Kunden technische Unterstützung und Dienstleistungen.
- Wir bieten 24/7 Kundendienst und technischen Support per Telefon, E-Mail und Live-Chat.
- Wir bieten umfassende Produktinformationen und FAQs, um Kunden bei der Auswahl des besten Produkts für ihre Anwendung zu unterstützen.
- Wir bieten einen kostenlosen technischen Beratungsservice an, um den Kunden zu helfen, das Produkt und seine Eigenschaften zu verstehen.
- Wir bieten technische Unterstützung und Reparaturleistungen vor Ort an.
- Wir bieten eine breite Palette von Schulungen an, um den Kunden zu helfen, das Produkt besser zu verstehen.
- Wir stellen Software- und Firmware-Updates zur Verfügung, um sicherzustellen, dass das Produkt auf dem neuesten Stand ist.
Verpackung und Versand:
Verpackung und Versand von Hochleistungs-MOSFET:
Hochleistungs-MOSFETs werden in elektrostatischer Entladung (ESD) -schützender Verpackung verpackt und in einer sicheren Box mit Blasenverpackung geliefert.Alle Verpackungen sind mit dem Produktnamen und einer eindeutigen Identifikationsnummer versehen, was eine einfache Verfolgung ermöglicht.