Alle Produkte
Ansprechpartner : Anita Yin
Telefonnummer : +86 13712219843
Whatsapp : +8613712219843

REACH Hochstromleistung Mosfet, stabiler N-Kanal Metalloxid Halbleiter

  • REACH High Current Power Mosfet , Stable N Channel Metal Oxide Semiconductor
Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen GB+Masterkarton
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

Treten Sie mit mir für freie Proben und Kupons in Verbindung.

Whatsapp:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

Skype: sales10@aixton.com

Wenn Sie irgendein Interesse haben, leisten wir 24-stündige Online-Hilfe.

x
Produktdetails
Typ N Produktbezeichnung MOSFET der hohen Leistung
Häufigkeit Hochfrequenz Macht Hohe Leistung
Widerstand Geringer Widerstand Einheitentyp MOSFET
Anwendung Solarwechselrichter, Hochspannungs-DC/DC-Wandler, Motortreiber, USV-Stromversorgung, Schaltnetzteil, Vorteile Basierend auf der Produktionslinie nach nationalem Militärstandard ist der Prozess stabil und die Qu
Hervorheben

REACH Hochstromleistung Mosfet

,

N-Kanal Hochstromleistung Mosfet

,

Stabiler N-Kanal Metalloxid Halbleiter
Sie können die gewünschten Produkte ankreuzen und im Message Board mit uns kommunizieren.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RSM065030W N 55 650 30 50 TO247-3 600
2 RSM065030Z N 55 650 30 50 TO247-4 600
3 RSM065060W N 29 650 60 79 TO247-3 600
4 RSM065060Z N 29 650 60 79 TO247-4 600
5 RSM120018Z N 105 1200 18 26 TO247-4 600
6 RSM120025W N 90 1200 25 34 TO247-3 600
1 RSE60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
2 RSE60R190S N 17.6 600 165 190 TO-263 800
3 RSE60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
4 RSF60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
5 RSF60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
6 RS60R130F N 30 600 110 130 TO-220F 1000
7 RS60R130W N 30 600 110 130 TO247-3 600
8 RSF60R099F N 31 600 86 99 TO-220F 1000
1 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500
2 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000
3 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500
4 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000
5 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000
6 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500
7 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000
Hinterlass eine Nachricht
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Produkt-Beschreibung

Beschreibung des Produkts:

High Power MOSFET ist eine Art Hochspannungs-FET (Feld-Effekt-Transistor) mit hoher Leistung und geringem Stromwiderstand.zum Beispiel Solarumrichter, Hochspannungs-Gleichspannungs-Gleichspannungs-Wandler, Motorantrieb, UPS-Stromversorgung, Schaltnetzteil, Ladehaufen usw.kostengünstige Lösung für Hochspannungs- und HochleistungsanwendungenMit seinem fortschrittlichen Design ist es in der Lage, den Stromverbrauch zu reduzieren und die Effizienz des Systems zu erhöhen.Hochleistungs-MOSFET ist die ideale Wahl für Hochspannung, Hochleistungs-Anwendungen, und ist die perfekte Wahl für HV MOSFET, Hochspannungs-FET und Hochleistungs-MOSFET-Anwendungen.

 

Technische Parameter:

Produktbezeichnung Eigenschaften
Hochleistungs-MOSFET Effizienz: Hohe Effizienz
Widerstandsfähigkeit: Niedrig
Anwendungsbereich: Solarumrichter, Hochspannungs-Gleichspannungs-/Gleichspannungsumrichter, Motorantrieb, UPS-Stromversorgung, Schaltstromversorgung, Ladestelle usw.
Macht: Hohe Macht
Häufigkeit: Hohe Häufigkeit
Gerätetypen: MOSFET
Typ: N
Vorteile: Basierend auf der nationalen Militärstandard-Produktionslinie ist der Prozess stabil und die Qualität zuverlässig
 

Anwendungen:

REASUNOS High Power MOSFET ist ein leistungsstarkes Gerät, das in einer Vielzahl von Anwendungen eine hohe Effizienz und hohe Frequenz bietet.Das Gerät ist in der Lage, eine hohe Spannung (HV) und einen hohen Strom zu liefernMit seiner hohen Energieeffizienz ist dieses MOSFET perfekt für Anwendungen wie Strommanagement, Stromkonvertierung und Datenerfassung geeignet.Es verfügt auch über einen niedrigen Widerstand und eine niedrige Torladung, was eine hohe Leistungsdichte und einen geringen Stromverbrauch ermöglicht.

Einige der wichtigsten Merkmale von REASUNOS High Power MOSFET sind seine hohe Spannungsausgabe, hohe Stromleistung, hohe Effizienz, hohe Frequenz, geringer Widerstand, geringe Torladung,und hohe LeistungsdichteDieses Gerät bietet zudem eine große Flexibilität mit einer breiten Palette von Anwendungen, wie z. B. Stromverwaltung, Stromumwandlung und Datenerfassung.das Gerät ist zu einem wettbewerbsfähigen Preis erhältlich und in GB+Master Kartonverpackungen erhältlichDie Lieferzeit beträgt 2-30 Tage, abhängig von der Bestellmenge und die Zahlungsbedingungen sind 100% T/T im Voraus (EXW).REASUNOS High Power MOSFET ist die perfekte Wahl für alle, die ein effizientes und zuverlässiges HV MOSFET suchen.

 

Unterstützung und Dienstleistungen:

Technische Unterstützung und Service für Hochleistungs-MOSFET

Wir sind stolz darauf, umfassende technische Unterstützung und Service für unsere High Power MOSFET Produkte anzubieten.Unser Team von erfahrenen Ingenieuren und Technikern steht Ihnen bei technischen Fragen oder bei der Fehlerbehebung zur Verfügung.Unser technischer Support ist telefonisch, per E-Mail oder über unser Online-Support-Portal verfügbar.

Wir bieten auch eine Vielzahl von Schulungs- und Bildungsmitteln an, um Kunden zu helfen, mehr über unsere Produkte zu erfahren und wie sie verwendet werden.und andere Lehrmaterialien bieten Kunden eine einfache Möglichkeit, mehr über unsere Produkte zu erfahren und wie sie das Beste daraus machen können.

Natürlich bieten wir unseren Kunden auch den höchsten Kundenservice.und wir bemühen uns, den besten Kundenservice zu bietenWir sind bereit, Fragen zu beantworten, Hilfe zu leisten und Unterstützung zu leisten, wann immer dies erforderlich ist.

 

Verpackung und Versand:

Verpackung und Versand von Hochleistungs-MOSFET:

  • Alle Produkte sind in eine versiegelte antistatische Tüte mit Schaumpolsterung verpackt.
  • Der Versand erfolgt in der Regel über einen zuverlässigen Spediteur wie FedEx, UPS oder DHL.
  • Die Nachverfolgungsinformationen werden so schnell wie möglich zur Verfügung gestellt, sobald das Produkt versandt wird.
 

Häufige Fragen:

  1. F: Wie heißt der High Power MOSFET?
    A: Die Marke ist REASUNOS.
  2. F: Wo ist der Ursprungsort des Hochleistungs-MOSFET?
    A: Herkunftsort ist Guangdong, China.
  3. F: Wie hoch ist der Preis für das Hochleistungs-MOSFET?
    A: Der Preis des Produkts wird anhand des Produkts bestätigt.
  4. F: Wie ist die Verpackungsanweisung für das Hochleistungs-MOSFET?
    A: Die Verpackung ist GB+Master Carton.
  5. F: Wie lange dauert die Lieferzeit für das Hochleistungs-MOSFET?
    A: Die Lieferzeit beträgt 2-30 Tage, je nach Gesamtmenge.
  6. F: Welche Zahlungsbedingungen gelten für das Hochleistungs-MOSFET?
    A: Die Zahlungsbedingungen sind 100% T/T im Voraus (EXW).
  7. F: Wie hoch ist die Versorgungsfähigkeit von Hochleistungs-MOSFET?
    A: Die Lieferkapazität beträgt 5KK/Monat.
Umbauten:

Langlebige Hochleistungs-N-Kanal-Mosfet

MOSFET-Konverter mit hoher Leistung

N-Kanal-Hochleistungs-MOSFET