Praktische Hochleistungs-N-Kanal-Mosfet-Metall-Hochstrom-Wandler

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xHäufigkeit | Hochfrequenz | Vorteile | Basierend auf der Produktionslinie nach nationalem Militärstandard ist der Prozess stabil und die Qu |
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Macht | Hohe Leistung | Anwendung | Solarwechselrichter, Hochspannungs-DC/DC-Wandler, Motortreiber, USV-Stromversorgung, Schaltnetzteil, |
Typ | N | Einheitentyp | MOSFET |
Effizienz | Hohe Leistungsfähigkeit | Widerstand | Geringer Widerstand |
Hervorheben | Praktische Hochleistungs-N-Kanal-Mosfet,Hochleistungs-N-Kanal-Mosfet-Metall,Konverter Hochstrom-N-Kanal Mosfet |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1 | RSM065030W | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-3 | 600 | |
2 | RSM065030Z | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-4 | 600 | |
3 | RSM065060W | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-3 | 600 | |
4 | RSM065060Z | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-4 | 600 | |
5 | RSM120018Z | N | 105 | 1200 | 18 | 26 | TO247-4 | 600 | |
6 | RSM120025W | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-3 | 600 | |
1 | RSE60R190F | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-220F | 1000 | |
2 | RSE60R190S | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-263 | 800 | |
3 | RSE60R150F | N | 22 | 600 | 130 | 150 | TO-220F | 1000 | |
4 | RSF60R150F | N | 22 | 600 | 130 | 150 | TO-220F | 1000 | |
5 | RSF60R190F | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-220F | 1000 | |
6 | RS60R130F | N | 30 | 600 | 110 | 130 | TO-220F | 1000 | |
7 | RS60R130W | N | 30 | 600 | 110 | 130 | TO247-3 | 600 | |
8 | RSF60R099F | N | 31 | 600 | 86 | 99 | TO-220F | 1000 | |
1 | RS2N65D | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-252 | 2500 | |
2 | RS2N65F | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-220F | 1000 | |
3 | RS4N65D | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | |
4 | RS4N65MD | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-251 | 4000 | |
5 | RS4N65F | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | |
6 | RS5N65D | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-252 | 2500 | |
7 | RS5N65F | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-220F | 1000 |
Low On Resistance MOSFET - Hochleistungsgerät für
Beschreibung des Produkts:
Ein Hochleistungs-MOSFET ist eine Art Metalloxid-Halbleiter-Feldwirkungstransistor (MOSFET), der für Hochstrom- und Hochfrequenzoperationen entwickelt wurde.Es basiert auf der nationalen militärischen Produktionslinie., die den Benutzern einen stabilen Prozess und eine zuverlässige Qualität bietet.Der geringe Einsatzwiderstand des Hochleistungs-MOSFET verschafft ihm einen Vorteil gegenüber anderen MOSFETs in Bezug auf die Leistungsfähigkeit und die LeistungsaufnahmeDer Gerätetypen des Hochleistungs-MOSFET ist N-Kanal, was seine Effizienz weiter verbessert. Dies macht es zu einer idealen Wahl für Hochstrom- und Hochfrequenzanwendungen.
Technische Parameter:
Parameter | Hochleistungs-MOSFET |
---|---|
Häufigkeit | Hochfrequenz |
Macht | Hohe Macht |
Gerätetypen | MOSFET |
Typ | N |
Effizienz | Hohe Effizienz |
Widerstand | Niedriger Widerstand |
Anwendung | Solarumrichter, Hochspannungs-Gleichspannungs-/Gleichspannungsumrichter, Motorantrieb, UPS-Stromversorgung, Schaltstromversorgung, Ladestelle usw. |
Produktbezeichnung | Hochleistungs-MOSFET |
Vorteile | Auf der Basis der nationalen Militärstandard-Produktionslinie ist der Prozess stabil und die Qualität zuverlässig. |
Hochstrom-MOSFET | - Ja, das ist es. |
MOSFET mit hohem Wirkungsgrad | - Ja, das ist es. |
MOSFET mit niedrigem Widerstand | - Ja, das ist es. |
Anwendungen:
Hochleistungs-MOSFETs derMarkenbezeichnungReasonos, vonHerkunftsortBei der Erstellung der Produkte sind diePreisist wettbewerbsfähig und auf dem Produkt basiert, währendVerpackungsdatendie GB+Master Carton enthalten.Lieferzeitvon 2 bis 30 Tagen hängt von der Gesamtmenge der Bestellung ab undZahlungsbedingungendie 100% T/T im Voraus (EXW) beinhalten.VersorgungsfähigkeitDer Preis für die Produkte beträgt bis zu 5KK/Monat, und das Produkt ist bekannt für seineHohe Effizienz. Sie beruht auf derProduktionslinie für den nationalen Militärstandardfür eine zuverlässige Qualität.Hochfrequenzund aTypvon N, kann dieses ProduktHohe Macht.
Unterstützung und Dienstleistungen:
Bei XYZ bieten wir umfassende technische Unterstützung und Service für unsere Hochleistungs-MOSFET-Produkte.und FehlerbehebungDarüber hinaus können wir Schulungsdienste anbieten, um Ihnen zu helfen, das Beste aus Ihren Hochleistungs-MOSFETs zu machen.
Wir verstehen, wie wichtig diese Produkte für Ihr Unternehmen sind und bemühen uns, Ihnen den bestmöglichen Service zu bieten.7 Tage die Woche, um alle Ihre Fragen zu beantwortenWir sind hier, um Ihnen zu helfen, das Beste aus Ihren Hochleistungs-MOSFETs herauszuholen und sicherzustellen, dass Ihre Produkte reibungslos laufen.
Wenn Sie Fragen oder Bedenken haben, zögern Sie bitte nicht, uns zu kontaktieren. Wir freuen uns darauf, von Ihnen zu hören und Ihnen zu helfen, das Beste aus Ihren Hochleistungs-MOSFETs zu machen.
Verpackung und Versand:
Verpackung und Versand von Hochleistungs-MOSFET
Hochleistungs-MOSFETs werden in antistatischen Beuteln oder Kartons verpackt und in Schutzschäumen versandt.Alle Bestellungen werden von einem zuverlässigen Kurierdienst versendet..
Häufige Fragen:
- F: Wie heißt Ihr Hochleistungs-MOSFET?
Unser Hochleistungs-MOSFET ist REASUNOS. - F: Wo ist der Ursprung Ihres Hochleistungs-MOSFET?
A: Unser Hochleistungs-MOSFET stammt aus Guangdong, China. - F: Wie hoch ist der Preis Ihres Hochleistungs-MOSFET?
A: Der Preis unseres Hochleistungs-MOSFET ist Preis basierend auf dem Produkt bestätigen. - F: Wie lautet die Verpackung Ihrer Hochleistungs-MOSFET?
A: Die Verpackungsdetails unseres Hochleistungs-MOSFET sind GB+Master Carton. - F: Wie lange dauert die Lieferzeit Ihres Hochleistungs-MOSFET?
A: Die Lieferzeit unseres Hochleistungs-MOSFET beträgt 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge). - F: Was sind die Zahlungsbedingungen für Ihr Hochleistungs-MOSFET?
A: Die Zahlungsbedingungen für unser Hochleistungs-MOSFET sind 100% T/T im Voraus ((EXW). - F: Was ist die Versorgungsfähigkeit Ihres Hochleistungs-MOSFET?
A: Die Versorgungsfähigkeit unseres Hochleistungs-MOSFET beträgt 5KK/Monat.