Alle Produkte
Schlüsselwörter [ converter high power mosfet ] Spiel 126 produits.
Hohe EAS-Kapazität Niedrige Rds ((ON) Trench-Prozess MOSFET Synchrone Berichtigung
| Trench process Application: | Wireless Charging, Fast Charging, Motor Driver, DC/DC Converter, High-frequency Switch, Synchronous Rectification. |
|---|---|
| Trench process Advantages: | Smaller RSP, Both Series And Parallel Configurations Can Be Freely Combined And Utilized. |
| SGT process Advantages: | Breakthrough FOM Optimization, Covering More Application. |
Niedrigspannungs-MOSFET-Grench-Prozess, hocheffizienter Motorantrieb für 5G-Basisstation
| Efficiency: | High Efficiency And Reliable |
|---|---|
| EAS capability: | High EAS Capability |
| SGT process Application: | Motor Driver, 5G Base Station, Energy Storage, High-frequency Switch, Synchronous Rectification. |
Industrielle SiC-Carbid-Mosfet-Schaltfrequenz Dauerhafte Hitzefestigkeit
| Effizienz: | Hohe Leistungsfähigkeit |
|---|---|
| Material: | Siliziumkarbid |
| Einheitentyp: | MOSFET |
Praktische Siliziumkarbid-MOSFET Stabile Hochfrequenz-Militärstandard
| Material: | Siliziumkarbid |
|---|---|
| Häufigkeit: | Hochfrequenz |
| Einheitentyp: | MOSFET |
Industrielle Transistoren aus Siliziumkarbid
| Effizienz: | Hohe Leistungsfähigkeit |
|---|---|
| Einheitentyp: | MOSFET |
| Produktbezeichnung: | Siliziumkarbid-MOSFET |
MOSFET-Multiscene mit stabiler Ultra-Niedrigspannung für schnelles Laden
| SGT-Prozessvorteile: | Optimierung des Durchbruch-FOM, mehr Anwendung umfassend. |
|---|---|
| Anwendung im Grabenverfahren: | Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric |
| Stromverbrauch: | Leistungsabfall der geringen Energie |
Motorfahrer Niederspannung Fet stabil für Hochfrequenzschalter
| Effizienz: | Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit |
|---|---|
| EAS-Fähigkeit: | Hohe EAS-Fähigkeit |
| Widerstand: | Niedriges RDS (AN) |
Langlebige SGT Niederspannungs-MOSFET-Multifunktion mit kleinerer RSP
| SGT-Prozessanwendung: | Lokführer, 5G Basisstation, Energie-Speicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Korrektur. |
|---|---|
| Widerstand: | Niedriges RDS (AN) |
| Anwendung im Grabenverfahren: | Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric |
Industrielles Niederspannungs-MOSFET für 5G-Basisstationen
| Stromverbrauch: | Leistungsabfall der geringen Energie |
|---|---|
| EAS-Fähigkeit: | Hohe EAS-Fähigkeit |
| Widerstand: | Niedriges RDS (AN) |
Energiespeicherung Niederspannungs-MOSFET praktische N-Kanal-Hoch-EAS-Fähigkeit
| EAS-Fähigkeit: | Hohe EAS-Fähigkeit |
|---|---|
| Vorteile des Grabenverfahrens: | Kleinere RSPs, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt we |
| Prozess strukturieren: | Graben/SGT |