Όλα τα Προϊόντα
λέξεις-κλειδιά [ converter high power mosfet ] αγώνας 96 προϊόντα.
Πολλαπλή σκηνή χαμηλής τάσης MOSFET P κανάλι για την αποθήκευση ενέργειας
| Ονομασία προϊόντος: | MOSFET χαμηλής τάσης |
|---|---|
| αποδοτικότητα: | Υψηλή απόδοση και αξιοπιστία |
| Εφαρμογή διαδικασίας τάφρου: | Ασύρματη φόρτιση, γρήγορη φόρτιση, πρόγραμμα οδήγησης κινητήρα, μετατροπέας DC/DC, Διακόπτης υψηλής |
Γρήγορη φόρτιση χαμηλής τάσης MOSFET N Channel Πολυδιάστατο για τον οδηγό του αυτοκινήτου
| Κατανάλωση ενέργειας: | Χαμηλής ισχύος απώλεια |
|---|---|
| Δυνατότητα EAS: | Υψηλή ικανότητα EAS |
| Διαδικασία δομής: | Τάφρο/SGT |
Μικρό RSP χαμηλής τάσης MOSFET πολλαπλής σκηνής N καναλιού χαμηλό κατώφλι
| Δυνατότητα EAS: | Υψηλή ικανότητα EAS |
|---|---|
| Πλεονεκτήματα διαδικασίας SGT: | Σημαντική FOM βελτιστοποίηση, που καλύπτει περισσότερη εφαρμογή. |
| Εφαρμογή διαδικασίας SGT: | Οδηγός μηχανών, σταθμός βάσης 5G, ενεργειακή αποθήκευση, υψηλής συχνότητας διακόπτης, σύγχρονη διόρθ |
Μεταλλικός Πρακτικός Υψηλής Τετάρσεως Sic Mosfet, N τύπου ημιαγωγός καρβιδίου πυριτίου
| Πλεονεκτήματα: | Με βάση την εθνική στρατιωτική γραμμή παραγωγής, η διαδικασία είναι σταθερή και η ποιότητα είναι αξι |
|---|---|
| Δύναμη: | Υψηλή δύναμη |
| Τύπος: | Ν |
Πολυεπιχειρησιακός SBD Mosfet, ανθεκτικός επιφανειακός όρος Schottky Barrier Rectifier
| Χαρακτηριστικά: | Εξαιρετικά χαμηλό ρεύμα ανάκτησης αντίστροφης ροής, ισχυρή ικανότητα ρεύματος αντιεξέλιξης |
|---|---|
| Συχνότητα: | Υψηλή συχνότητα |
| Υλικό: | Καρβίδιο πυριτίου |
Θερμοσταθερό Καρβίδιο Σιλικόνης SBD Mosfet Multiscene για τον οδηγό αυτοκινήτου
| αποδοτικότητα: | Υψηλή αποδοτικότητα |
|---|---|
| Υλικό: | Καρβίδιο πυριτίου |
| Δύναμη: | Υψηλή δύναμη |
N Channel MOSFET χαμηλής τάσης σταθερό υψηλό EAS για DC DC μετατροπέα
| Κατανάλωση ενέργειας: | Χαμηλής ισχύος απώλεια |
|---|---|
| Πλεονεκτήματα διαδικασίας τάφρου: | Μικρότερο RSP, τόσο σειρές όσο και παράλληλες διαμορφώσεις μπορούν να συνδυαστούν και να χρησιμοποιη |
| Ονομασία προϊόντος: | MOSFET χαμηλής τάσης |
Πολυλειτουργικό MOSFET καρβιδίου πυριτίου υψηλής τάσης για μετατροπέα
| αποδοτικότητα: | Υψηλή αποδοτικότητα |
|---|---|
| Συχνότητα: | Υψηλή συχνότητα |
| Αντίσταση: | Χαμηλή αντίσταση |
Υψηλή απόδοση χαμηλή απώλεια ισχύος χαμηλή τάση MOSFET Trench / SGT διαδικασία
| Power consumption: | Low Power Loss |
|---|---|
| Efficiency: | High Efficiency And Reliable |
| Trench process Advantages: | Smaller RSP, Both Series And Parallel Configurations Can Be Freely Combined And Utilized. |
Χαμηλής τάσης MOSFET Τρύπης διαδικασίας υψηλής απόδοσης κινητήρα για σταθμό βάσης 5G
| Structure process: | Trench/SGT |
|---|---|
| SGT process Advantages: | Breakthrough FOM Optimization, Covering More Application. |
| Product name: | Low Voltage MOSFET |