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Schlüsselwörter [ converter high power mosfet ] Spiel 116 produits.
N Typ 1200V Sic Power Mosfet, Metalloxid Siliziumfeldwirkungstransistor
| Produktbezeichnung: | Siliziumkarbid-MOSFET |
|---|---|
| Effizienz: | Hohe Leistungsfähigkeit |
| Widerstand: | Geringer Widerstand |
Praktische Low Power Mosfet Transistoren 20V 60V für drahtlose Ladevorrichtung
| Vorteile des Grabenverfahrens: | Kleinere RSPs, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt we |
|---|---|
| SGT-Prozessvorteile: | Optimierung des Durchbruch-FOM, mehr Anwendung umfassend. |
| EAS-Fähigkeit: | Hohe EAS-Fähigkeit |
Multiscene Niedrigleistungs-Mosfet-Transistoren SGT stabil mit niedriger Schwellenspannung
| Stromverbrauch: | Leistungsabfall der geringen Energie |
|---|---|
| Produktbezeichnung: | Niederspannungs-MOSFET |
| Anwendung im Grabenverfahren: | Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric |
Stabiler Wechselrichter Hochspannungs-MOSFET-Transistor
| Nennspannung: | Hochspannungs-/Ultrahochspannung |
|---|---|
| Eingebettete FRD Hochspg MOSFET-Anwendung: | Bewegungs-Reihe, Inverter, Halbbrücke-/Vollbrückenschaltung Anwendungen, etc. |
| Produktbezeichnung: | Hochspannungs-MOSFET |
SGT Industrielle Niederspannungsleistung Mosfet, Stabiler Mosfet Niedrigspannung Torschwelle
| Prozess strukturieren: | Graben/SGT |
|---|---|
| Vorteile des Grabenverfahrens: | Kleinere RSPs, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt we |
| Widerstand: | Niedriges RDS (AN) |
Mehrzweck-Niedrigleistungsmosfetten, N-Kanal-Mosfet Niedrigspannungsschwelle
| EAS-Fähigkeit: | Hohe EAS-Fähigkeit |
|---|---|
| Prozess strukturieren: | Graben/SGT |
| Anwendung im Grabenverfahren: | Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric |
Fahrzeugtechnische Halbleiter mit hoher Leistung Schneidkante Leistungselektronikmodul
| RDS (an): | Niedriges RDS (AN) |
|---|---|
| Temperaturbeständigkeit: | Hochtemperaturbeständigkeit |
| Produktbezeichnung: | Halbleiter mit hoher Leistung |
650V Siliziumkarbid-Leistung Mosfet Multifunktions-Dauerhaft N-Kanal
| Anwendung: | Solarwechselrichter, Hochspannungs-DC/DC-Wandler, Motortreiber, USV-Stromversorgung, Schaltnetzteil, |
|---|---|
| Widerstand: | Geringer Widerstand |
| Effizienz: | Hohe Leistungsfähigkeit |
Niedrigspannungs-MOSFET-Grench-Prozess, hocheffizienter Motorantrieb für 5G-Basisstation
| Efficiency: | High Efficiency And Reliable |
|---|---|
| Power consumption: | Low Power Loss |
| Trench process Advantages: | Smaller RSP, Both Series And Parallel Configurations Can Be Freely Combined And Utilized. |
N-Typ Siliziumkarbid-MOSFET praktische 650V Hochtemperatur
| Effizienz: | Hohe Leistungsfähigkeit |
|---|---|
| Macht: | Hohe Leistung |
| Widerstand: | Geringer Widerstand |