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MOSFET à basse tension polyvalent à haut rendement pour le conducteur automobile

  • Multipurpose Low Voltage MOSFET High Efficiency For Motor Driver
Lieu d'origine Guangdong, NC
Nom de marque REASUNOS
Prix Confirm price based on product
Détails d'emballage Emballages tubulaires à l'épreuve de la poussière, de l'eau et antistatiques, placés dans une boîte
Délai de livraison 2 à 30 jours (selon la quantité totale)
Conditions de paiement 100% T/T à l'avance
Capacité d'approvisionnement 5KK/mois

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Détails sur le produit
Processus de structuration Tranchée/SGT Application du procédé de tranchée Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur DC/DC, commutateur haute fréquen
Capacité EAS Capacité EAS élevée Application de processus de SGT Conducteur de moteur, station de la base 5G, stockage de l'énergie, commutateur à haute fréquence, r
Consommation d'électricité Perte de puissance faible Résistance Le bas RDS (DESSUS)
Nom du produit MOSFET basse tension l'efficacité Haute efficacité et fiabilité
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MOSFET à basse tension polyvalent

,

Moteur conducteur MOSFET basse tension

,

MOSFET à moteur à haut rendement
Vous pouvez cocher les produits dont vous avez besoin et communiquer avec nous dans le babillard électronique.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Description de produit

MOSFET de processus de tranchée à faible perte de puissance pour l'application du conducteur à moteur

Description du produit:

Le MOSFET basse tension est un type de transistor basse tension de seuil qui fournit une optimisation FOM révolutionnaire et couvre plus d'applications, avec une faible perte de puissance et une capacité EAS élevée.Il est fabriqué à l'aide d'un procédé avancé de Trench/SGTLes MOSFET basse tension offrent d'excellentes performances de commutation, une faible consommation d'énergie et une grande fiabilité.Il est un choix parfait pour les applications nécessitant une faible tension de seuil et une faible perte de puissance.

 

Paramètres techniques:

Paramètres Définition
Application du procédé des tranchées Chargement sans fil, chargement rapide, pilote de moteur, convertisseur CC/DC, commutateur haute fréquence, rectification synchrone
Capacité du système EAS Capacité EAS élevée
Processus de la structure Traînée/SGT
Résistance Rds bas ((ON)
Consommation d'électricité Faible perte de puissance
Efficacité Très efficace et fiable
Nom du produit MOSFET à basse tension
Application du procédé SGT Conducteur de moteur, station de base 5G, stockage d'énergie, commutateur haute fréquence, rectification synchrone
Avantages du procédé SGT Optimisation FOM révolutionnaire, couvrant plus d'applications
Les avantages du procédé de tranchée RSP plus petit, les configurations en série et en parallèle peuvent être librement combinées et utilisées
Mots clés FET à basse tension, MOSFET à basse tension de sortie, MOSFET à basse VGS
 

Applications:

Le MOSFET basse tension REASUNOS, fabriqué à Guangdong, en Chine, est un choix parfait pour diverses applications. Il a une faible perte de puissance, et peut être utilisé dans le pilote de moteur, la station de base 5G, le stockage d'énergie,commutateur à haute fréquenceAvec les deux types de procédés, Trench et SGT, il offre aux clients des RSP plus petits, les configurations en série et en parallèle peuvent être librement combinées et utilisées,et l'optimisation FOM de percée, couvrant plus d'applications. En outre, il a une tension de seuil basse et une tension de porte basse. Son prix est compétitif et le délai de livraison est rapide, généralement dans un délai de 2 à 30 jours,selon la quantité totaleL'emballage est à l'épreuve de la poussière, imperméable à l'eau et antistatique, dans un emballage tubulaire et placé dans une boîte en carton dans des cartons.Avec une capacité d'approvisionnement de 5KK/mois, ce produit a gagné une grande popularité.

 

Assistance et services:

Assistance technique et service des MOSFET basse tension

Nous nous engageons à fournir à nos clients le meilleur support technique et service pour nos produits MOSFET basse tension.Notre équipe d'ingénieurs et de techniciens expérimentés est disponible pour répondre à toutes vos questions et vous fournir rapidement, une assistance professionnelle.

Nous offrons une variété de services, notamment:

  • Conseils techniques et sélection de produits
  • Services de dépannage et de réparation
  • Mises à jour logicielles et du firmware
  • Assistance à l'installation et à la configuration

Nous offrons également des options de service et de réparation étendues pour que vos produits MOSFET basse tension fonctionnent de manière optimale.

  • Maintenance préventive
  • Tests de diagnostic
  • Pièces de rechange
  • Réparation sur place

Pour plus d'informations sur notre support technique et le service MOSFET basse tension, s'il vous plaîtContactez-nous.

 

Emballage et expédition

Emballage et expédition du MOSFET basse tension:

Les MOSFET basse tension doivent être stockés dans un environnement sec et à l'abri de la lumière directe du soleil.Utiliser un matériau d'emballage antistatique pour empêcher toute décharge électrostatiqueL'emballage doit également être clairement étiqueté avec le nom du produit et le numéro du produit.

Les MOSFET à basse tension doivent être expédiés par un service de messagerie réputé qui fournit des informations de suivi.Il convient de veiller à ce que le produit ne soit pas exposé à des températures extrêmes ou à d'autres dangers environnementaux pendant le transport..

 

FAQ:

Q: Qu'est-ce qu'un MOSFET à basse tension?

A: Je suis désolé.Le MOSFET basse tension est un type de transistor à effet de champ semi-conducteur à oxyde de métal (MOSFET) conçu pour fonctionner avec une alimentation basse tension.

Q: Quelles sont les principales caractéristiques du MOSFET basse tension REASUNOS?

A: Je suis désolé.Le MOSFET basse tension REASUNOS présente une faible consommation d'énergie, une vitesse de commutation élevée, une grande fiabilité et une faible résistance.

Q: Quel est le lieu d'origine du MOSFET basse tension REASUNOS?

A: Je suis désolé.Le MOSFET basse tension REASUNOS est fabriqué à Guangdong, en Chine.

Q: Quel est le prix du MOSFET basse tension REASUNOS?

A: Je suis désolé.Le prix du MOSFET basse tension REASUNOS dépend du produit. Veuillez nous contacter pour plus d'informations.

Q: Comment le MOSFET basse tension REASUNOS est-il emballé?

A: Je suis désolé.Le MOSFET basse tension REASUNOS est emballé dans un emballage tubulaire à l' épreuve de la poussière, de l' eau et de l' antistatique, placé dans une boîte en carton.

Étiquettes:

N-canal Mosfet basse tension de seuil

Mosfet de canal P à faible puissance stable

MOSFET basse tension de la station de base