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MOSFET de baixa tensão multifuncional de alta eficiência para motorista

  • Multipurpose Low Voltage MOSFET High Efficiency For Motor Driver
Lugar de origem Guangdong, NC
Marca REASUNOS
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Detalhes da embalagem Embalagens tubulares impermeáveis ao pó, à água e antistáticas, colocadas numa caixa de cartão em ca
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Detalhes do produto
processo de estrutura Trincheira/SGT Aplicação de processo de vala Carregamento sem fio, carregamento rápido, driver de motor, conversor DC/DC, interruptor de alta fre
Capacidade EAS Alta capacidade de EAS Aplicação do processo de SGT Motorista do motor, 5G estação base, armazenamento de energia, interruptor de alta frequência, corre
Consumo de energia Perda de baixa potência Resistência Baixo RDS (SOBRE)
Nome do produto MOSFET de baixa tensão eficiência Alta eficiência e confiável
Destacar

MOSFET de baixa tensão multiuso

,

MOSFET motorista de baixa tensão

,

MOSFET motorista de alta eficiência
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descrição de produto

MOSFET de processo de trincheira de baixa perda de potência para aplicação de motorista

Descrição do produto:

O MOSFET de baixa tensão é um tipo de transistor de baixa tensão de limiar que fornece uma otimização FOM inovadora e cobre mais aplicações, com baixa perda de energia e alta capacidade EAS.É fabricado utilizando o processo avançado Trench/SGTOs MOSFETs de baixa tensão oferecem excelente desempenho de comutação, baixo consumo de energia e alta confiabilidade.É uma escolha perfeita para aplicações que requerem baixa tensão de limiar e baixa perda de potência.

 

Parâmetros técnicos:

Parâmetros Descrição
Aplicação do processo de trincheira Carregamento sem fio, carregamento rápido, condutor de motor, conversor DC/DC, interruptor de alta frequência, retificação síncrona
Capacidade de EAS Alta capacidade de EAS
Processo de estrutura Tranche/SGT
Resistência Baixa Rds ((ON)
Consumo de energia Baixa perda de potência
Eficiência Alta eficiência e fiabilidade
Nome do produto MOSFET de baixa tensão
Aplicação do processo SGT Motorista, Estação Base 5G, Armazenamento de Energia, Comutador de Alta Frequência, Rectificação Síncrona
Vantagens do processo SGT Optimização FOM avançada, cobrindo mais aplicações
Vantagens do processo de trincheira RSPs menores, com configurações em série e paralelas podem ser combinadas e utilizadas livremente
Palavras-chave FET de baixa tensão, MOSFET de baixa tensão de entrada, MOSFET de baixa VGS
 

Aplicações:

O REASUNOS Low Voltage MOSFET, fabricado em Guangdong, China, é uma escolha perfeita para várias aplicações.Comutador de alta frequência, e retificação síncrona. Com os dois tipos de processo, Trench e SGT, fornece aos clientes RSP menores, ambas as configurações em série e paralelas podem ser livremente combinadas e utilizadas,e otimização FOM avançoAlém disso, tem baixa tensão de limiar e baixa tensão de porta. Seu preço é competitivo e o tempo de entrega é rápido, geralmente dentro de 2 a 30 dias,Dependendo da quantidade totalA embalagem é à prova de pó, à prova de água e antiestática, em embalagem tubular e colocada dentro de uma caixa de papelão em caixas de papelão.Com capacidade de abastecimento de 5KK/mês, este produto ganhou grande popularidade.

 

Apoio e Serviços:

Suporte técnico e serviço de MOSFET de baixa tensão

Estamos empenhados em fornecer aos nossos clientes o melhor suporte técnico e serviço para os nossos produtos MOSFET de baixa tensão.Nossa equipe de engenheiros e técnicos experientes estão disponíveis para responder a quaisquer perguntas que você possa ter e fornecer rápido, assistência profissional.

Oferecemos uma variedade de serviços, incluindo:

  • Aconselhamento técnico e selecção de produtos
  • Serviços de reparação e solução de problemas
  • Atualizações de software e firmware
  • Apoio à instalação e configuração

Oferecemos também opções de serviço e reparação estendidas para manter os seus produtos MOSFET de baixa tensão a funcionar de forma ideal.

  • Manutenção preventiva
  • Testes de diagnóstico
  • Peças de reposição
  • Reparação no local

Para mais informações sobre o nosso MOSFET de baixa tensão suporte técnico e serviço, por favorContacte-nos.

 

Embalagem e transporte:

Embalagem e transporte de MOSFET de baixa tensão:

Os MOSFETs de baixa tensão devem ser armazenados em um ambiente seco e longe da luz solar direta.Usar material de embalagem antiestático para evitar qualquer descarga eletrostáticaA embalagem deve também estar claramente rotulada com o nome do produto e o número do produto.

Os MOSFETs de baixa tensão devem ser enviados usando um serviço de correio respeitável que forneça informações de rastreamento.Deve ser tomado cuidado para garantir que o produto não é exposto a temperaturas extremas ou a outros riscos ambientais durante o processo de transporte..

 

Perguntas frequentes:

P: O que é um MOSFET de baixa tensão?

A:O MOSFET de baixa tensão é um tipo de transistor de efeito de campo de óxido de metal-semicondutor (MOSFET) projetado para operar com uma fonte de alimentação de baixa tensão.

P: Quais são as principais características do MOSFET de baixa tensão REASUNOS?

A:O MOSFET de baixa tensão REASUNOS possui baixo consumo de energia, alta velocidade de comutação, alta confiabilidade e baixa resistência.

P: Qual é o local de origem do MOSFET de baixa tensão REASUNOS?

A:O MOSFET de baixa tensão da REASUNOS é fabricado em Guangdong, China.

P: Qual é o preço do MOSFET de baixa tensão REASUNOS?

A:O preço do REASUNOS Low Voltage MOSFET é baseado no produto.

P: Como é que o REASUNOS MOSFET de Baixa Tensão é embalado?

A:O REASUNOS Low Voltage MOSFET é embalado em embalagens tubulares à prova de poeira, à prova de água e antistáticas, colocadas dentro de uma caixa de papelão em caixas de papelão.

Etiquetas:

N Canal Mosfet Baixa Tensão de limiar

Mosfet de canal P estável de baixa potência

MOSFET de baixa tensão da estação base