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mots clés [ high power mosfet ] rencontre 182 produits.
Moteur de conduite à haute efficacité pour la station de base 5G
| Structure process: | Trench/SGT |
|---|---|
| SGT process Advantages: | Breakthrough FOM Optimization, Covering More Application. |
| Product name: | Low Voltage MOSFET |
Moteur de conduite à haute efficacité pour la station de base 5G
| Efficiency: | High Efficiency And Reliable |
|---|---|
| Trench process Application: | Wireless Charging, Fast Charging, Motor Driver, DC/DC Converter, High-frequency Switch, Synchronous Rectification. |
| Trench process Advantages: | Smaller RSP, Both Series And Parallel Configurations Can Be Freely Combined And Utilized. |
MOSFET multi-scène à ultra-faible tension stable pour une charge rapide
| Avantages de processus de SGT: | Optimisation de la percée FOM, couvrant plus d'application. |
|---|---|
| Application du procédé de tranchée: | Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur DC/DC, commutateur haute fréquen |
| Consommation d'électricité: | Perte de puissance faible |
Conducteur moteur basse tension Fet stable pour le commutateur haute fréquence
| l'efficacité: | Haute efficacité et fiabilité |
|---|---|
| Capacité EAS: | Capacité EAS élevée |
| Résistance: | Le bas RDS (DESSUS) |
Multiscène 20V Mosfet basse tension, station de base 5G Transistor à faible puissance
| Résistance: | Le bas RDS (DESSUS) |
|---|---|
| Processus de structuration: | Tranchée/SGT |
| Nom du produit: | MOSFET basse tension |
Fonction multi MOSFET SGT à basse tension durable avec RSP plus petit
| Application de processus de SGT: | Conducteur de moteur, station de la base 5G, stockage de l'énergie, commutateur à haute fréquence, r |
|---|---|
| Résistance: | Le bas RDS (DESSUS) |
| Application du procédé de tranchée: | Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur DC/DC, commutateur haute fréquen |
Conducteur moteur basse tension Mosfet, Multiscene basse Vgs N canal Mosfet
| Avantages du procédé de tranchée: | Un RSP plus petit, les configurations série et parallèle peuvent être librement combinées et utilisé |
|---|---|
| Résistance: | Le bas RDS (DESSUS) |
| Application du procédé de tranchée: | Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur DC/DC, commutateur haute fréquen |
MOSFET à basse tension de canal P Durable pour une charge sans fil basse
| Application du procédé de tranchée: | Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur DC/DC, commutateur haute fréquen |
|---|---|
| Application de processus de SGT: | Conducteur de moteur, station de la base 5G, stockage de l'énergie, commutateur à haute fréquence, r |
| Nom du produit: | MOSFET basse tension |
Stockage de l'énergie MOSFET basse tension pratique N-canal Haute capacité EAS
| Capacité EAS: | Capacité EAS élevée |
|---|---|
| Avantages du procédé de tranchée: | Un RSP plus petit, les configurations série et parallèle peuvent être librement combinées et utilisé |
| Processus de structuration: | Tranchée/SGT |
MOSFET à basse tension multifonctionnel à haut rendement pour convertisseur
| Avantages de processus de SGT: | Optimisation de la percée FOM, couvrant plus d'application. |
|---|---|
| Capacité EAS: | Capacité EAS élevée |
| Avantages du procédé de tranchée: | Un RSP plus petit, les configurations série et parallèle peuvent être librement combinées et utilisé |