Todos os Produtos
palavras-chave [ high power mosfet ] Combine 182 produtos.
MOSFET de baixa tensão, motor de alta eficiência para estação base 5G
| Structure process: | Trench/SGT |
|---|---|
| SGT process Advantages: | Breakthrough FOM Optimization, Covering More Application. |
| Product name: | Low Voltage MOSFET |
MOSFET de baixa tensão, motor de alta eficiência para estação base 5G
| Efficiency: | High Efficiency And Reliable |
|---|---|
| Trench process Application: | Wireless Charging, Fast Charging, Motor Driver, DC/DC Converter, High-frequency Switch, Synchronous Rectification. |
| Trench process Advantages: | Smaller RSP, Both Series And Parallel Configurations Can Be Freely Combined And Utilized. |
Multiscene MOSFET de Ultra Baixa Tensão Estável para Carregamento Rápido
| Vantagens do processo de SGT: | Otimização da descoberta FOM, cobrindo mais aplicação. |
|---|---|
| Aplicação de processo de vala: | Carregamento sem fio, carregamento rápido, driver de motor, conversor DC/DC, interruptor de alta fre |
| Consumo de energia: | Perda de baixa potência |
Motor Driver baixa tensão Fet estável para interruptor de alta frequência
| eficiência: | Alta eficiência e confiável |
|---|---|
| Capacidade EAS: | Alta capacidade de EAS |
| Resistência: | Baixo RDS (SOBRE) |
Multiscene 20V Mosfet Baixa Tensão, Estação Base 5G Transistor de Baixa Potência
| Resistência: | Baixo RDS (SOBRE) |
|---|---|
| processo de estrutura: | Trincheira/SGT |
| Nome do produto: | MOSFET de baixa tensão |
Função multi MOSFET de baixa tensão SGT durável com RSP menor
| Aplicação do processo de SGT: | Motorista do motor, 5G estação base, armazenamento de energia, interruptor de alta frequência, corre |
|---|---|
| Resistência: | Baixo RDS (SOBRE) |
| Aplicação de processo de vala: | Carregamento sem fio, carregamento rápido, driver de motor, conversor DC/DC, interruptor de alta fre |
Motorista Baixa Portão Voltagem Mosfet, Multiscene Baixo Vgs N Canal Mosfet
| Vantagens do processo de vala: | RSP menor, configurações em série e paralelas podem ser livremente combinadas e utilizadas. |
|---|---|
| Resistência: | Baixo RDS (SOBRE) |
| Aplicação de processo de vala: | Carregamento sem fio, carregamento rápido, driver de motor, conversor DC/DC, interruptor de alta fre |
MOSFET de baixa tensão de canal P Durável para carregamento sem fio
| Aplicação de processo de vala: | Carregamento sem fio, carregamento rápido, driver de motor, conversor DC/DC, interruptor de alta fre |
|---|---|
| Aplicação do processo de SGT: | Motorista do motor, 5G estação base, armazenamento de energia, interruptor de alta frequência, corre |
| Nome do produto: | MOSFET de baixa tensão |
Armazenamento de energia MOSFET de baixa tensão Prático N Canal Alta Capacidade EAS
| Capacidade EAS: | Alta capacidade de EAS |
|---|---|
| Vantagens do processo de vala: | RSP menor, configurações em série e paralelas podem ser livremente combinadas e utilizadas. |
| processo de estrutura: | Trincheira/SGT |
MOSFET de baixa tensão multifunção de alta eficiência para conversor
| Vantagens do processo de SGT: | Otimização da descoberta FOM, cobrindo mais aplicação. |
|---|---|
| Capacidade EAS: | Alta capacidade de EAS |
| Vantagens do processo de vala: | RSP menor, configurações em série e paralelas podem ser livremente combinadas e utilizadas. |


